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贴片三极管封装2007-09-20 16:021A SOT323 BC846AW NPN1A SOT416 BC846AT N BC546A1A SOT89 PXT3904 NPN1A SOT89 SXT3904 NPN-1A SOT323 PMST3904 N 2N39041A- SOT323 BC846AW N BC546A1AM SOT23 MMBT3904L N 2N39041Ap SOT23 BC846A N BC546A1At SOT23 BC846A N BC546A1At SOT323 BC846AW N BC546A1B SOT23 BC846B NPN1B SOT23 BC846B N BC546B1B SOT23 FMMT2222 NPN1B SOT23 FMMT2222 N 2N22221B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A1B SOT23 MMBT2222 NPN1B SOT23 MMBT2222 N 2N22221B SOT23 PMBT2222 NPN1B SOT23 SMBT2222 NPN1B SOT23 YTS2222 NPN1B SOT323 BC846BW NPN1B SOT416 BC846BT N BC546B1B SOT89 PXT2222 NPN-1B SOT323 PMST2222 N 2N22221B- SOT323 BC846BW N BC546B1Bp SOT23 BC846B N BC546B1Bs SC74 BC817UPN N1Bt SOT23 BC846B N BC546B1Bt SOT323 BC846BW N BC546B1C SOT23 FMMT-A20 NPN1C SOT23 FMMT-A20 N MPSA201C SOT23 IRLML6302 F p-ch mosfet 20V 0.6A1C SOT23 MMBTA20 NPN1C SOT23 MMBTA20L N MPS39041C SOT23 SMBTA20 NPN1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode1Cs SOT363 BC847S BC4571D SOT23 BC846 NPN1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A1D SOT23 MMBTA42 NPN1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn1D SOT23 SMBTA42 NPN1D SOT323 BC846W NPN1D SOT89 SXTA42 NPN1D- SOT323 BC846W N BC4561DN 2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners1Dp SOT23 BC846 N BC4561DR SC59 MSD1328-RT1 NPN1DR SOT346 MSD1328R N npn gp 25V 500mA1Ds SC74 BC846U N BC4561Ds SOT363 BC846U BC4561Dt SOT23 BC846 N BC4561Dt SOT323 BC846W N BC4561E FMMT-A43 N MPSA431E SOT23 BC847A NPN1E SOT23 BC847A N BC547A1E SOT23 FMMT-A43 NPN1E SOT23 MMBTA43 NPN1E SOT23 MMBTA43 N MPSA43 200V npn1E SOT23 SMBTA43 NPN1E SOT323 BC847AW NPN1E SOT416 BC847AT N BC547A1E SOT89 SXTA43 NPN1E- SOT323 BC847A N BC547A1EN 2SC4084 N npn 20V 2.0GHz TV tuners1Ep SOT23 BC847A N BC547A1ER SOT23R BC847AR R BC547A1Es SOT23 BC847A N BC4571Es SOT323 BC847AW N BC4571Et SOT23 BC847A N BC547A1Et SOT323 BC847A N BC547A1F SOT23 BC847B NPN1F SOT23 BC847B N BC547B1F SOT23 FMMT5550 NPN1F SOT23 MMBT5550 NPN1F SOT23 MMBT5550 N 2N5550 140V npn1F SOT23 PMBT5550 NPN1F SOT323 BC847BW NPN1F SOT416 BC847BT N BC547B1F- SOT323 BC847BW N BC547B1Fp SOT23 BC847B N BC547B1FR SOT23R BC847BR R BC547B1Fs SC75 BC847BT N BC547B1Fs SOT23 BC847B N BC547B1Fs SOT323 BC847BW N BC547B1Ft SOT23 BC847B N BC547B1Ft SOT323 BC847BW N BC547B1G FMMT-A06 N MPSA061G SOT23 BC847C NPN1G SOT23 BC847C N BC547C1G SOT23 FMMT-A06 NPN1G SOT23 MMBTA06 NPN1G SOT23 MMBTA06 N MPSA061G SOT23 SMBTA06 NPN1G SOT323 BC847CW NPN1G SOT416 BC847CT N BC547C1G- SOT323 BC847CW N BC547C1GM SOT23 MMBTA06 N MPSA061Gp SOT23 BC847C N BC547C1GR SOT23R BC847CR R BC547C1Gs SOT23 BC847C N BC547C1Gs SOT323 BC847CW N BC547C1GT SOA06 N MPSA061GT SOT23 SOA06 NPN1Gt SOT323 BC847CW N BC547C1H FMMT-A05 N MPSA051H SOT23 BC847 NPN1H SOT23 FMMT-A05 NPN1H SOT23 MMBTA05 NPN1H SOT23 MMBTA05 N MPSA051H SOT23 SMBTA05 NPN1H SOT323 BC847W NPN1H- SOT323 BC847W N BC5471Hp SOT23 BC847 N BC5471Ht SOT23 BC847 N BC5471HT SOT23 SOA05 NPN1HT SOT23 SOA05 N MPSA051Ht SOT323 BC847W N BC5471J FMMT2369 N 2N23691J SOT23 BC848A N BC548A1J SOT23 MMBT2369 N MPS23691JA SOT23 MMBT2369A N 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BC848 NPN1M SOT23 FMMT-A13 NPN1M SOT23 FMMT-A13 N MPSA131M SOT23 MMBTA13 NPN1M SOT23 MMBTA13 N MPSA13 darlington1M SOT23 PMBTA13 NPN1M SOT23 SMBTA13 NPN1M SOT323 BC848W NPN1Mp SOT143B BCV61 VQ npn current mirror1Mp SOT23 BC848 N BC5481N SOT23 FMMT-A14 NPN1N SOT23 FMMT-A14 N MPSA141N SOT23 MMBTA14 NPN1N SOT23 MMBTA14 N MPSA14 darlington1N SOT23 PMBTA14 NPN1N SOT23 SMBTA14 NPN1N SOT89 PXTA14 NPN1N10 SOT223 MMFT1N10ET1 MOSFET1P BC847PN DI pnp/npn separate pair gpAF1P FMMT2222A N 2N2222A1P SOT23 FMMT2222A NPN1P SOT23 MMBT2222A NPN1P SOT23 MMBT2222A N 2N2222A1P SOT23 PMBT2222A NPN1P SOT23 SMBT2222A NPN1P SOT23 YTS2222A NPN1P SOT89 PKT2222A NPN1Q SOT23 FMMT5088 NPN1Q SOT23 MMBT5088 NPN1Q SOT23 MMBT5088 N MPSA18 Vce 30V1Q SOT23 PMBT5088 NPN半导体三极管参数符号及其意义三极管基础知识及检测方法： 一、晶体管基础 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k = 0.1mA 。 如果晶体管的共发射极电流放大系数 = IC / IB =100, 集电极电流 IC= *IB=10mA。在500的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=，实现了双极晶体管的电流放大作用。 金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGSVT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。 二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。三、 常用中小功率三极管参数表型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 60 100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 20 100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G C8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190 C8580 SI-PNP 1 -1.5A -40 200 2N5551 SI-NPN 0.625 600 180 2N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 100 2N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300 四、用万用表测试三极管（1） 判别基极和管子的类型 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。（2）判别集电极 因为三极管发射极和集电极正确连接时大（表针摆动幅度大），反接时就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。（2） 电流放大系数的估算 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，值越高。晶体三极管由两个PN结组成，PN结的正向电阻很小，反向电阻很大，根据三个电极之间的电阻关系，可以确定三极管的基极。由于三极管的发射结与集电结的结构上的差别，当把集电极当发射极使用时，其电流放大系数较小，反之值较大。在确定基极后，比较三极管的值大小，可以确定集电极和发射极。使三极管基极开路，在发射极和集电极之间加一小电压，使发射结承受正向电压，集电结承受反向电压，这时集电极之间加一偏流电流（如用欧姆表，反映出来是电阻很大）。在基极和集电极之间加一偏流电阻，集电极电流显著增大（因有了一定的基极电流），这时集电极和发射极之间电阻仅为偏流电阻的十几分之一。从集电极电流墙的幅度可判断值的大小（用欧姆表时，如果表针偏角较基极开路时增加的幅度大，则值就大）。常见的三极管的封状2009-04-27 12:17三极管9015管脚图 参数资料、引脚实物图片三极管9015管脚图9015是一种常用的普通三极管。它是一种小电压,小电流,小信号的PNP型硅三极管特性： 集电极电流Ic：Max -100mA 集电极-基极电压Vcbo：-50V 工作温度：-55 to +150 和9014（NPN）相对 主要用途： 开关应用 射频放大 引脚图其它三极管资料：点击查看9013PDF资料：sot-23封装 TO-92封装点击查看9015PDF资料：sot-23封装 TO-92封装点击查看BC817资料 :贴片封装点击查看8550PDF资料：sot-23封装 TO-92封装点击查看9012PDF资料：sot-23封装 TO-92封装摘自 http:/w