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文档简介

N-Channel Enhacement Mode Field Effectt Transistor 4N60广州友益电子科技有限公司 主要用途高速开关应用极限参数（TA=25）参数说明符号数值单位漏极源极电压VDSS600V漏极电流(连续)ID4A漏极电流(脉冲)IDM17.6A栅源电压VGS30V耗散功率(TC=25)PD100W结温TJ150贮存温度Tatg-55-1505-1 2007 G D S电参数（TA=25） 参数说明符号测试条件最小值典型值最大值单 位漏源反向电压BVDSSVGS=0V, ID=250A600V漏源截止电流IDSSVDS = 600V, VGS= 0V, TJ = 2510A栅源截止电流IGSSVGS = 30V100nA通态电阻RDS(ON)VGS=10V,ID=2A1.772.2栅-源极开启电压VGS(TH)VDS = VGS, ID = 250A2.04.0V跨导gfsVDS=50V, ID = 2A3.1S 动态特性参数说明符号测试条件最小值典型值最大值单 位输入电容CissVGS = 0V VDS = 25V f = 1.0MHz 520670pF输出电容Coss7090反向传输电容Crss811栅极电荷QgID =4.4A VDD =480V VGS = 10V1520nC栅源电荷Qgs3.4栅漏电荷Qgd7.1 开关特性参数说明符号测试条件最小值典型值最大值单 位延迟时间（开启）td(ON)ID = 4.4AVDD = 300VRG = 251315ns上升时间trise45100延迟时间（关断）td(OFF)2560下降时间tfall3580 源漏二极管特性参数说明符号测试条件最小值典型值最大值单 位源漏二极管正向导通电压VSDIS=4A,VGS=0V1.4V 20075-2图一 安全工作区曲线图二 PD-TC关系曲线ID(A)PD(W)TC()VDS(V) 图三 ID-TC关系曲线图四 典型输出特性曲线ID(A)ID(A)VDS(V)TC() 20075-3图五 结到管壳热阻ZJCtp(s)图六 最大峰值电流IDM(A)tp(s)图八 RDS(ON)-VGS曲线图七 典型传输特性曲线RDS(ON)( )ID(A)VGS(V)VGS(V) VDS(V) 20075-4图十 RDS(ON)-TJ曲线图九 RDS(ON)-ID曲线RDS(ON)RDS(ON)( )TJ()ID(A)图十二
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