518ICT教育2.doc

教 育 训 练第一章 ICT的TR-518系列软体，硬体的介绍第二章 测试原理第三章 Debug治具方法 日期：2000/10/13（一） TRI机器硬件的介绍整个机器包括：PC，ICT主机，压床，测桌。DC Board To pressTest controlBoardISADigital I/O CardISAISZSWB#1AC BoardDigital I/O Card DataAddress Cable To Fixture/IOR SWB#14Power Board/ION Cable To FixtureIRQ10 HPTESTJET +5V 15V +12V +24V(FAN) +48V(HVM-32) a. PC通过I/O Card与ICT主机交换处理数据，各种机型ICT所属I/O Card类型各不相同；518FE兼容518FO机器I/O Card。I/O为非即插即用卡，需设定IRQ10为manual,以防止其它电脑设备占用IRQ10而使压床无法动作; 使用Windows操作系统的机器，需注意VGA占用IRQ10。b. ICT主机相应有DC, AC, TCB ；TR-518 机器对应有AC, DC, HF, PRESS，TCB ；TR518FR机器DC与TCB合成一块板上，称DC或TCB SWB有64Pin, 128Pin, 256Pin 三种类型. AC Board 量测处理交流信号； DC Board量测处理直流信号； TC Board连接I/O Card同时提供测试信号源. SWB上的Pin点具有确定编号,这是的Pin点的编号具有连续性。 C压床由DC通过D-type 15Pin排线控制。 1Test sw ( I ) 8.reject light ( O ) 2.down sol ( O ) 9.test light ( O ) 3.up sol (O) 10. 24V 4.abust sw ( I ) 11. 24V 5.sensor sw ( I ) 12.光电sensor ( O) 6.down sw ( I ) 13.retest sw ( O ) 7.accept light ( O ) 14.gnd 15.gnd *.电位“low”有效 sensor感应活塞的位置控制测试 压床工作原理（气体动力）A. B点气体由五口三位阀控制 SENSOR A A点充气压床下降B点充气压床上升 B 两对节流阀门分别控制气缸活塞的上升与下降的速度与缓冲。 压力表调节，需把盖提起调到46Mpa（根据治具针点数情况）再按下盖钮。（二）软体的介绍（以TR-518FO为例）C：TR-518FOTR-518FO.EXEMESSAGE.DATICTBATDEBUGBOXAICT.BAT:文本编辑如下:Call CHKRAM.BAT C:DOSSMARTORV.EXE/x150ECHO OFFPROMPT $P$GECHO ONCLSCDTR-518FO.中文档时加Call字库Call C:UTTFDYNA.BATICT.BAT文本编辑如下：DEVICE=C:DOSHIMEM.SYSDEVICE=C:DOSEMM386.EXE NOEMSBUFFERS=60FILES=40DOS=HIGH, UMBDEVICEHIGH=C:DOSRAMDRIVE.SYS 2048/E 建立虚拟盘2M安装测试文件如下操作：（1） Copy A盘所有文件到C:TR-518FO目录下（2） 编辑Edit A.BAT成TR-518FO.EXE A.DAT A格式(设A为文件名)(3) 运行ICT.BAT会自动COPY安装完成.第二章 测试原理1. 信号源与Guarding pina. 电流源利用额定电流为信号源,量测电压值,以电阻量测最普遍.* VsIs Rs=Vs/Isb. 电压源用额定电压源为信号源,量测电流值,以应用在大电容、电感量测最普遍。 Is Vs=Zc*IS=1/（2f*C）*.Ic Vs Guarding pin电流源信号时: 电流会在HI-PIN分流,因此会提供G1,G2隔离,此时 Vhi=VG1=VG2, GUARD PIN 位于HI串联点HI- PIN LO- PIN G2 G1电压源信号时:为防止节点LO有外电流入应加G1,G2隔离,此时出 VLO=VG1=VG2，GUARD PIN位于LO串联点。 HI C LO G1 G22.电阻,电容,电感量测原理a. 电阻使用固定电流模式(mode0)规格如下,相应电阻提供相应电阻提供相应电流；非正常情况下时，请选择处理.范围 电流 R1R299.9 5mA R300R2.99K 500uA I Vr3K29.9K 50uA30K299.9K 5uA Vr=I*R300K2.99M 0.5uA3M40M 0.1uAb. 不同阻抗的电容或电感,ICT会本身自动选择一个适当的频率AC电压源作为测试，使用.(mode 0,mode 1,mode 2,mode 3)以及所对应的测试debug mode signal source capacitor (inductor)0 1KHZ 400PF-30uF 6mH-60H1 10KHZ 40PF-4uF 600mH以下2 100KHZ 1PF-40uF 6mH以下3 1MHZ 1PF-300PF 1uH-60uH Ic V Zc V=Ic*Zc=1/（2 fc）*Ic = C = Ic /（2f）.*V V=IL*ZL=2f*IL= L=V/2f*ILc.交流相位（AC phase）测试模式（mode 3,mode 4,mode 5） 提供AC电压源，利用相位角度的领先，反落后方式而得知被测电阻值。 R HI LO V CSignal Range(L) Range(R)1KHZ 600MH-60M 5-300K10KHZ 60MH600MH 5-40K100KHZ 6MH-6MH 5-4Kd. 低固定电流源（Low constant current）模式（mode 1） 该测试方法和固定电流源模式一样，只是在被测电阻于电路上若有并联二极体或是IC Clamping Diode,对于该电阻两端测量电压值若超过0.5V至0.7V时,因为二极体导电的关系,该电阻两端电压将被维持在0.5V至0.7V左右,只要将原先的电流源降低一级即可.Range Current1299.9 500uH3002.99K 50uA3K29.9K 5uA30K299K 0.5uA300K2.99M 0.1uA I R D Vr=I*R0.7V时，需要用低固定电流源 当V0.7V时, D会导通,形成分流,如测2K的电阻时,MODE0会:2K*0.5mA=1v.0.7v,此时,应选MODE1:2K*0.05Ma=0.1vR=V/Ir R C0.2VF. DC固定电流(DC .constant Current)测试模式(mode 4) 3UF以上电容值的电容，若使用AC电压源模式测试时，将要较低频率来测试，而增加ICT测试时间，故可利用电容充电曲线的斜率方式得知电容值。V V2 V Is C V1 T1 T2 T Slope=(V2-V1)/(T2-T1)= V/T Slope*c=常数 G齐纳二极体（zener Diode）测试原理（mode 0,mode 1） ZD As Vx DuTBs ZD 齐纳二极体的测试和二极体的测试一样，其差异只在测试电压源不同，其电压源为0V-10V./3mA 可调节两种,由Vx两端量(0)负载电压0V-10V./20mAH.电晶体测试原理 电晶体测试需要三步骤 (1)B-E脚使用二极体测试方式CLCL (2)C-E脚使用二极体测试方式 (3)E-C脚使用Vcc的饱和电压值及截止 C 电压值的不同,来测试电晶体是否反插. V B V 需从(1)(2)两步判断出电晶体属NPN、 E PNP型,Guard点为B脚，Mode选择NPN 或PNP，并测量出E-C脚正向饱和电压值0.2V左右.I.光藕合元件测试原理 测量光藕合元件是在1:2脚及第3:4脚各提供一个DC可程式电压源并于第3:4脚测量其电压是否为正向饱和电压值. CL 3 CL 1 HiL0G1G2Mode1234pc 4 2程式:ACT-V=V1.2STD-V=V3.4理论上V3，4值越大 ，V1，2值越小。第三章 治具DebugDebug治具是使用ICT的关键之处,此过程中,定要了解测试的原理,待测板上元件的线路状况,掌握ICT的测试过程,必备的材料有:BOM,线路图,针点图,空板,实板。DEBUG治具时应从量测值上判断衡量机器或治具状况。如：电阻量测值稍微的偏差，则探针阻值偏大或量测MODE不良，电路有分流。电阻量测值为999 ，则检查治具有无针点不良或KEY IN错误。电阻量测值为0，则针点有无KEY IN错误或电路分流过大。因此，DEBUG治具时，要从概念上有一定把握。Debug治具的步骤：1 设定治具测试参数2 开/短学习3 元器件DEBUG4 保护二极体学习5 HP TESTJET学习6 DIODE CHICK学习为方便说明另附ICT操作菜单命令（见附页）A 治具测试参数设定：测试（T） 测试参数（P） 修改参数（U） 测试顺序（T）中断（A）测试针（P）重测（R）列印（N） 位置图/自动盖章（M）主要: PIN点设定,治具first- pin ,last -pin A B C D 打印设定 1Board view显示设定期 2 测试fail时可显示不良元件位置 多联片Copy时，注意第一片测 板view board设定。MAX=8*8 防止溢出。B open/short学习 用Sample板学习。C 元件Debug(后页阐述)D. IC保护二极体学习（clamping Diode learning）1. Clamping Diode存在原理是指IC的PIN脚对GND和VCC存在如图 所示的两个保护二极体. Vcc其中两二极体的存在是限定Gate，电压过高，防止SiO2 A薄膜被击穿，Rs起限流作用。 C GateI/O PIN SiO2 GndDiode保护MOS.管的Gate，Rs保护Diode,因此， Clamping Diode方向性是Gnd Gate; Gate VCC B 测试工艺中，利用Dbc, Dca检测IC有无空焊，短路等不良，Rs由于IC 制程不同，其值也不同 ， D测出来的值也不同。2IC资料建立 学习（L） IC Clamping Diode IC脚位（输IC资料）VCC 学习（L）（自动进行Clamping Diode学习）显示（D）（显示学习的步骤）列印（P）删除（E）GNDIC资料主要包括：IC的脚位对应的针位，IC VCC脚，Gnd脚输入，HP探测棒Number输入。EIC-Open learning(HP-Testjet)(1) 原理 TestJet板送一个AC 10KHZ,300mv到待测脚位， HP其余之脚位全部Guarding Sensor plate感应出AC信号变化。 Mux card Mux Board是选择测试之Sensor Sensor platePlate,并接到Sensor plate收至AC信号滤波放大。 TestJet将AC信号滤波量测信号振幅。 10KHZ 300mV Test pin Guard系统规格F=1KHZ Vrms=300-650mv SinwareF=2.5KHZ Vrms=300-650mv SinwareF=5KHZ Vrms=300-650mv SinwareF=10KHZ Vrms=300-650 Sinware适应性：测Cache RAM可能无效。 BGA包装的lead frame是外大内小，内部OPEN很难测，感应值很小 HP TESTJET是高阻抗量测，很难测试虚銲，开路。 SRAM无法测 扩充槽可以用HP TESTJETF. Diode check IC1 IC2 D4 D3 D2 D1 B A 1.2 (1) 测试原理l 加一电压于A点，并检查Clamping Diode是否存在。l 加一个电压于B点，并微调止电压，使得D3 OFF。l 若PIN A连接良好，则可测得Clamping Diode存在，否则，测不到Clamping Diode存在，表示U2并联脚位开路。注意D4，D3存在于IC1，D2、D1存在于IC2，Diode check即检查IC内部Clamping Diode并联状态，并检测出IC的工艺状况。（2）硬体组装 ICT系统必须配置有Diode check控制板。 fixture34PinICT FIFIfi Diode check控制板Case 1 (主机板)* Pin 1 Pin2接PCB Gnd*Pin 3 Pin4接PCB之3V（第一组电源）*Pin5接PIC之5V（第二组电源）*Pin6接PCB之12V（第三组电源）Case 2(一般PCB)Pin 1 Pin2接PCB之Gnd*Pin 3 Pin4接PCB 5V（第一组电源）*Pin 5 Pin6接PCB第三组电源Case 3(一般PCB)*Pin 1 Pin2接PCB之Gnd*Pin 3 Pin4接PCB之5V（第一组电源）*Pin 5 Pin6空接G常见元件Debug a. HI R LO C1 C2 C3调试电阻R时，由Hi , Lo Pin端都有电容，当C1，C2，C3大于3u时，R很大时（R3K）提供测试电