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文档简介
_考试试卷( 3 )卷一、填空题:(本题共7小题,每空1分,共20分)1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR ;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管 IGBT ;IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的触发功率 、 触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是 串专用均流电抗器 。4、在电流型逆变器中,输出电压波形为 正弦 波,输出电流波形为 方 波。5、三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行,称为 180导电型6、当温度降低时,晶闸管的触发电流会 增加 、正反向漏电流会减少 ;7、常用的过电流保护措施有 快速熔断器 、 串进线电抗器 、接入直流快速快关 、控制快速移相使输出的电压降低 。二、选择题(本题共10小题,每题1分,共10分)1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差( A )度。A、180 B、60 C、360 D、1202、为C 度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。A、0度 B、60度 C、30度 D、120度,3、晶闸管触发电路中,若改变( B )的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。A、同步电压 B、控制电压 C、脉冲变压器变比 D、以上都不能4、可实现有源逆变的电路为( )。 A、三相半波可控整流电路 B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路5、在一般可逆电路中,最小逆变角min选在下面那一种范围合理( )。A、30-35 B、10-15 C、0-10 D、0。6、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角的最大移相范围是( )A、90 B、120 C、150 D、1807、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率,可采用控制方法是( )A、增大三角波幅度 B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率 D、增大正弦调制波幅度8、采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为( )A、减小输出幅值 B、增大输出幅值C、减小输出谐波 D、减小输出功率9、为限制功率晶体管的饱和深度,减小存储时间,恒流驱动电路经常采用( )A、抑制电路 B、抗饱和电路 C、抑制电路 D、吸收电路10、一般认为交交变频输出的上限频率( )A、与电网有相同的频率 B、高于电网频率C、可达电网频率的80% D、约为电网频率的1/21/3三、判断题(正确打,错误打):(本题共10小题,每小题1分,共10分)1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路出故障时会出现失控现象。( )2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统,使直流电动机实现四象限运行时,其中一组逆变器工作在整流状态,另一组工作在逆变状态。( )3、晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。( )4、逆变角太大会造成逆变失败。( )5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。( )6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。( )7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。( )8、在单相全控桥整流电路中,晶闸管的额定电压应取U2。( )9、三相半波可控整流电路中,电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。( )10、变频调速是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变转速的目的。( )四、简答题(本题共3小题,共32分)1、试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。(12分)器 件优 点缺 点IGBTGTRGTO电 力MOSFET2、试分析下图间接交流变流电路的工作原理,并说明其局限性。(10分)3、 软开关电路可以分为哪几类?各有什么特点?(10分)五、作图题(本题共1小题,共16分)1、在三相半波整流电路中,如果U相的触发脉冲消失,试绘出在电阻负载下整流电压ud的波形和V相上晶闸管VT2上的管压降波形。设触发角分别为15和60。 (1)触发角为15时 UdUVT2(2)触发角为60时UdUVT2六、计算题(本题共1小题,共12分)1、单相桥式全控整流电路,U2100V,负载中R=20,L值极大,反电动势E60V。当30时,要求: (1)作出ud、id和i2的波形;(3分) (2)求整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次电流有效值I2 ;(4分)(3)考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。 (5分)试卷参考答案及评分标准( 3 卷)一、填空题(本题共7小题,每空1分,共20分)1、空1 GTR;空2 GTO;空3 MOSFET;空4 IGBT;空5 MOSFET;空6 GTR。2、空1 要有足够的驱动功率;空2 触发脉冲前沿要陡幅值要高;空3 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、空1 均流;空2 串专用均流电抗器。4、空1 正弦波;空2 方波。 5、空1 180。 6、空1 增加;空2 下降。7、空1 快速熔断器;空2 串进线电抗器;空3 接入直流快速开关;空4 控制快速移相使输出电压下降。二、选择题(本题共10小题,每小题1分,共10分)1、(A) 2、(C) 3、(B) 4、(A) 5、(A)6、(D) 7、(C) 8、(C) 9、(B) 10、(D)三、判断题(本题共10小题,每小题1分,共10分)1、() 2、() 3、() 4、() 5、()6、() 7、() 8、() 9、() 10、()四、简答题(本题共3小题,共32分)1、(12分)答:对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表:(每格1.5分)器 件优 点缺 点IGBT开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTOGTR耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题GTO电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低电 力MOSFET开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置2、(10分)答:图是带有泵升电压限制电路的电压型间接交流变流电路,它在中间直流电容两端并联一个由电力晶体管V0和能耗电阻R0组成的泵升电压限制电路。当泵升电压超过一定数值时,使V0导通,把从负载反馈的能量消耗在R0上(5分)。其局限性是当负载为交流电动机,并且要求电动机频繁快速加减速时,电路中消耗的能量较多,能耗电阻R0也需要较大功率,反馈的能量都消耗在电阻上,不能得到利用(5分)。3、(10分)答:根据电路中主要的开关元件开通及关断时的电压电流状态,可将软开关电路分为零电压电路和零电流电路两大类;根据软开关技术发展的历程可将软开关电路分为准谐振电路,零开关PWM电路和零转换PWM电路(4分)。 准谐振电路:准谐振电路中电压或电流的波形为正弦波,电路结构比较简单,但谐振电压或谐振电流很大,对器件要求高,只能采用脉冲频率调制控制方式(2分)。 零开关PWM电路:这类电路中引入辅助开关来控制谐振的开始时刻,使谐振仅发生于开关过程前后,此电路的电压和电流基本上是方波,开关承受的电压明显降低,电路可以采用开关频率固定的PWM控制方式(2分)。 零转换PWM电路:这类软开关电路还是采用辅助开关控制谐振的开始时刻,所不同的是,谐振电路
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