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文档简介
,模拟电子技术基础,课件制作:,郑恒秋,9.3 功率放大电路的安全运行,在功率放大电路中,功放管既要流过大电流,又要承受高电压。只有功放管不超过其极限值,电路才能正常工作。因此,所谓功率放大电路的安全运行,实际上就是要保证功放管的安全工作。在实用电路中,常加保护措施,以防止功放管过电压、过电流和过功耗。,一、功放管的二次击穿 二、功放管的散热问题,一、功放管的二次击穿,1、二次击穿现象 在实际工作中,常发现功率晶体管的功耗并未超过允许的PCM值,管身也并不烫,但功率晶体管却突然失效或者性能显著下降。这种损坏的的原因,不少是由于二次击穿所造成的。那么什么叫二次击穿呢?它产生的原因又是什么呢?应当如何防止呢?这些问题很值得研究和讨论。 从晶体管的输出特性可知,对于某一条输出特性曲线,当ce之间电压增大到一定数值时,晶体管将产生击穿现象;而且,IB愈大,击穿电压愈低,称这种击穿为“一次击穿”。,晶体管在一次击穿后,集电极电流会骤然增大,若不加以限制,则晶体管的工作点变化到临界点A时,工作点将以毫秒甚至微秒级的高速度从A点到B点,此时电流猛增,而管压降却减小,如下图所示,称为“二次击穿”。晶体管经过二次击穿后,性能将明显下降,甚至造成永久性损坏。,IB不同时二次击穿的临界点不同,将它们连接起来,便得到二次击穿临界曲线,简称为 SB曲线,如下图所示。,2、二次击穿是怎样产生的 产生二次击穿的原因至今尚不清楚。一般说来,二次击穿是一种与电流、电压、功率和结温都有关系的效应。它的物理过程多数人认为是由于流过晶体管结面的电流不均匀,造成结面局部高温(称为热斑),因而产生热击穿所致。这与晶体管的制造工艺有关。,3、如何防止二次击穿 晶体管的二次击穿特性对功率管,特别是外延型功率管,在运用性能的恶化和损坏方面起着重要影响。为了保证功率管安全工作,必须考虑二次击穿的因素。因此,功率管的安全工作区,不仅受集电极允许的最大电流ICM、集电极允许的最大电压V(BR)CE和集电极允许的最大功耗PCM所限制,而且还受二次击穿临界曲线所限制,其安全工作区如下图虚线内所示。显然,考虑了二次击穿以后,功率晶体管的安全工作范围变小了。,从二次击穿产生的过程可知,防止晶体管的一次击穿,并限制其集电极电流,就可避免二次击穿。,二、功放管的散热问题,功放管损坏的重要原因是其实际耗散功率超过额定数值PCM。而晶体管的耗散功率取决于管子内部的 PN结(主要是集电结)温度 Tj,当 Tj超过允许值后,集电极电流将急剧增大而烧坏管子。 硅管的结温允许值为120180,锗管的结温允许值为85左右。耗散功率等于结温在允许值时集电极电流与管压降之积。 管子的功耗愈大,结温愈高。因而改善功放管的散热条件,可以在同样的结温下提高集电极最大耗散功率PCM ,也就可以提高输出功率。,二、功放管的散热问题,1、热阻的概念 热的传导路径,称为热路。阻碍热传导的阻力称为热阻。真空不易传热,即热阻大;金属的传热性好,即热阻小。 在晶体管中,管子上的电压降大部分都降在集电结上,它和流过集电结的电流造成集电极功率损耗,使管子发热。这个热量要从管芯向外传递。设结温为Tj ,环境温度为Ta ,则温差T(= Tj Ta )与集电结耗散功率PC成正比,比例系数称为热阻尼,即,可见,热阻尼是传递单位功率时所产生的温差,单位为W。RT愈大,表明相同温差下能够散发的热能愈小。换言之, RT愈大,表明同样的功耗下结温愈高。可见,热阻是衡量晶体管散热能力的一个重要参数。,当晶体管结温达到最大允许值TjM时,集电结功耗也达到PCM ,若环境温度为Ta ,则,式中,若管子的型号确定,则TjM也就确定, Ta常以25为基准,因而要想增大PCM,必须减小RT 。,2、热阻的估算 以晶体管为例,管芯(J)向环境(A)散热的途径有两条:管芯(J)到外壳(C),再经外壳到环境;或者管芯( J )到外壳(C),再经散热片(S)到环境。即JC A或J C S A,如下图所示。,设JC间热阻为RjC ,CA间热阻为RCa ,CS间热阻为RCS ,SA间热阻为Rsa ,则反映晶体管散热情况的热阻模型如下图所示。,在小功率放大电路中,放大管一般不加散热器,故晶体管的等效热阻为 RT=RjC+Rca 在大功率放大电路中,功放管一般均要加散热器,且RCS+RSaRCa,故 RT RjC+RCS+RSa,不同型号的管子RjC不同,如 3AD30的RjC为 1/W,而 3DG7的RjC却大于150W,可见其差别很大。 RCa与外壳所用材料和几何尺寸有关,如大功率管3AD30的RCa为 30 CW,而小功率管 3DG7的RCa为 150W。 上式中RCS既取决于晶体管和散热器之间是否加绝缘层(如聚乙烯薄膜、0.050.lmm的云母片),又取决于二者之间的接触面积和压紧程度。 RSa与散热器所用材料及其表面积大小、厚薄、颜色,和散热片的安装位置等因素紧密相关。,3、功放管的散热器 两种散热器如下图所示。,经验表明,当散热器垂直或水平放置时,有利于通风,故散热效果较好。 散热器表面钝化涂黑,有利于热辐射,从而可以减小热阻。 在产品手册中给出的最大集电极耗散功率是在指定散热器(材料、尺寸等)及一定环境温度下的允许值;若改善散热条件,如加大散热器、用电风扇强制风冷,则可获得更大一些的耗散功率。,9.4 集成功率放大电路,OTL、OCL和BTL电路均有各种不同输出功率和不同电压增益的多种型号的集成电路。应当注意,在使用OTL电路时,需外接输出电容。为了改善频率特性,减小非线性失真,很多电路内部还引入深度负反馈。本节以低频功放为例,讲述集成功放的电路组成、工作原理、主要性能指标和典型应用。,一、集成功率放大电路分析 二、集成功率放大电路的主要性能指标 三、集成功率放大电路的应用,一、集成功率放大电路分析,LM386是一种音频集成功放,具有自身功耗低、电压增益可调整、电源电压范围大、外接元件少和总谐波失真小等优点,广泛应用于录音机和收音机之中。 1、LM386内部电路 LM386内部电路原理图如下图所示。,与通用型集成运放相类似,它是一个三级放大电路,如点划线所划分。,第一级为差分放大电路,T1和T3 、 T2和T4分别构成复合管,作为差分放大电路的放大管; T5和T6组成镜像电流源作为T1和T2的有源负载;信号从T3和T4管的基极输入,从T2管的集电极输出,为双端输入单端输出差分电路。 根据第三章关于镜像电流源作为差分放大电路有源负载的分析可知,它可使单端输出电路的增益近似等于双端输出电路的增益。,第二级为共射放大电路, T7为放大管,恒流源作有源负载,以增大放大倍数。 第三级中的T8和T9管复合成PNP型管,与NPN型管T10构成准互补输出级。二极管D1和D2为输出级提供合适的偏置电压,可以消除交越失真。,利用瞬时极性法可以判断出,引脚2为反相输入端,引脚3为同相输入端。电路由单电源供电,故为 OTL电路。输出端(引脚 5)应外接输出电容后再接负载。 电阻R7从输出端连接到T2的发射极,形成反馈通路,并与R5和R6构成反馈网络,从而引入了深度电压串联负反馈,使整个电路具有稳定的电压增益。,2、LM386的电压放大倍数 当引脚1和8之间开路时,由于在交流通路中T1管发射极近似为地, R5和R6上的动态电压为反馈电压,近似等于同相输入端的输入电压。即为二分之一差模输入电压,于是可写出表达式为,所以,当引脚1和8之间外接不同阻值的电阻时,Au的调节范围为 20200,因而增益 20lg| Au |约为 2646 dB。,实际上,在引脚1和5(即输出瑞)之间外接电阻也可改变电路的电压放大倍数。若外接电阻为R,则,应当指出,在引脚1和8(或者1和5)外接电阻时,应只改变交流通路,所以必须在外接电阻回路中串联一个大容量电容。,3、LM386的引脚图 LM386的外形和引脚的排列如下图所示。,引脚2为反相输人端,3为同相输入端;引脚5为输出端;引脚6和4分别为电源和地;引脚1和8为电压增益设定端;使用时在引脚7和地之间接旁路电容,通常取 10 F。,二、集成功率放大电路的主要性能指标,集成功率放大电路的主要性能指标除最大输出功率外,还有电源电压范围、电源静态电流、电压增益、频带宽、输入阻抗、输入偏置电流、总谐波失真等。 LM3861和 LM3863的电源电压为 412 V,LM3864的电源电压为518 V。因此,对于同一负载,当电源电压不同时,最大输出功率的数值将不同;当然,对于同一电源电压,当负载不同时,最大输出功率的数值也将不同。 已知电源的静态电流(可查阅手册)和负载电流最大值(通过最大输出功率和负载可求出),可求出电源的功耗,从而得到转换效率。,几种典型产品的性能如下表所示。,表中所示电压增益均在信号频率为l KHz条件下测试所得。应当指出,表中所示均为典型数据,使用时应进一步查阅手册,以便获得更确切的数据。,三、集成功率放大电路的应用,1、集成OTL电路的应用 下图所示为LM386的一种基本用法,也是外接元件最少的一种用法,Cl为输出电容。,由于引脚 1和 8开路,集成功放的电压增益为 26 dB,即电压放大倍数为20。利用RW可调节扬声器的音量。R和C2串联构成校正网络用来进行相位补偿。,静态时输出电容上电压为VCC2,LM386的最大不失真输出电压的峰一峰值约为电源电压VCC 。设负载电阻为RL,最大输出功率表达式为,此时的输入电压有效值的表达式为,当VCC=16V,RL=32时,Pom1W,Uim 283mV。,下图所示为LM386电压增益最大时的用法,C3使引脚1和8在交流通路中短路,使Au200;C4为旁路电容;C5为去耦电容,滤掉电源的高频交流成分。当VCC=16V,RL=32时, Pom仍约为1w;但是,输入电压的有效值Uim却仅需28.3 mV。,下图所示为LM386的一般用法,用R2改变LM386的电压增益,2、集成OCL电路的应用 右图所示为TDA1521的基本用法。,TDA1521为2通道OCL电路,可作为立体声扩音机左、右两个声道的功放。其内部引入了深度电压串联负反馈,闭环电压增益为 30 dB,并具有待机、静噪功能以及短路和过热保护等。,查阅手册可知,当 Vcc= 16 V,RL 8时,若要求总谐波失真为0 .5%,则Pom12 W。由于最大输出功率的表达式为,可得最大不失真输出电压 Uom9.8 V,其峰值约为 13.9 V,可见功放输出级的最小管压降约为 2.1V。当输出功率为Pom时,输入电压有效值 Uim 327mV 。,3、集成BTL电路的应用,TDA1556为2通道BTL电路,与TDA1521相同,也可作为立体声扩音机左右两个声道的功放,下图所示为其基本用法,两个通道的组成完全相同。TDA1556内部具有待机、净噪功能,并有短路、电压反向、过电压、过热和扬声器保护等。,TDA 1556内部的每个放大电路的电压放大倍数均为10,当输入电压为uI时,A1的净输入电压uI1uP1-uP2uI,uO1Au1uI; A2的净输入电压uI2uP2uP1-uI , uO2-Au2uI ;因此,电压放大倍数,电压增益 20lgAu26 dB。,为了使最大不失真输出电压的峰值接近电源电压VCC,静态时,应设置放大电路的同相输入端和反相输入端电位均为VCC/2,输出端电位也为VCC/2,因此内部提供的基准电压UREF为VCC/2。 当uI由零逐渐增大时, uO1从VCC/2逐渐增大, uO2从VCC/2逐渐减小;当uI增大到峰值时, uO1达到最大值, uO2达到最小值,负载上电压可接近+VCC。 同理,当uI由零逐渐减小时, uO1和uO2的
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