MOSFET芯片开发及封装工艺革新项目立项报告.doc

项目立项报告项目名称： MOSFET芯片开发及封装工艺革新 申 请 人： 承担部门： 设计部 XXXXXXX有限公司二九年1. 主要研究内容、拟解决的技术难点，以及预期达到的目标、主要技术指标和水平在现有的TrenchMOSFET结构上融合带状结构，内置本征体二级管，通过MOSFET结构设计创新，制造工艺改进，封装工艺的革新，大幅度降低MOSFET成品导通电阻和栅极电荷，加快开关速度。根据研发生产的进度，预计到2010年6月份，我公司生产的MOSFET成品与国内同类产品相比，通态电阻可实现20%的降幅，栅极电荷减少10%，开关速度可提高1个数量级。新产品采用的是TO-220和TO-22F标准功率封装，部分产品反向击穿电压能够承受1200V 。 2. 项目主要研究技术内容的国外发展现状与趋势，国内现有技术基础目前MOSFET器件中高档产品技术基本掌握在欧美、日韩等企业手中，国内只有少量的低端产品在生产，中高档产品几乎依赖进口，MOSFET产品及技术国内严重缺乏，没有形成自给的生产能力，成功垂直整合MOSFET设计，制造，封装，测试的企业更是少之又少。大量依赖进口使得国内企业缺乏核心竞争优势、部分成本居高不下，生产命运几乎全部掌握在外企手中。3. 项目主要技术及相关技术国内外专利申请和授权情况，本项目主要创新点拟采取的对策,预期可获得的发明专利等知识产权情况本项目采用带状结构与垂直结构相结合的新技术，有效地降低了通态电阻，Miller电荷和总栅极电荷，降低了总损耗，提高了开关效率及产品寿命。产品的布图和电路设计已经通过国家知识产权局申请登记，拥有本项目产品的布图及电路设计专利权。本项目通过和美国硅谷海外留学人员合作开发，产品设计及性能均达到国外先进水平，完全可以替代美国的Fairchild、ST、IR ，日本的Toshiba,韩国的AUK、KEC等产品。4. 项目采取的技术路线、实施方案及其可行性和风险分析本项目的晶圆制造与晶圆厂合作，共同研发改进生产工艺，采取带状结构与垂直结构相结合的新技术；我公司拥有自己的封装测试生产线，在封装方面将采取TO-220，TO-220F封装形式，通过精选框架，邦丝，塑封料等各种配料来提高封装质量和降低成本。产品性能已通过仿真软件和晶圆的工程批测试，采用新的结构技术减低了MOSFET产品的导通电阻，部分新产品我公司已试产，送样给客户测试通过，技术改进方面不存在风险。MOSFET产品的生产，封装工艺的确定需要反复的实验，批量生产需要投入资金购买设备，我公司除自筹资金外，还在积极的融资中，融资的顺利与否关系到大批量的生产能否及时启动。5. 预期研究成果应用转化前景预测及拟采取的措施（包括国内外应用或市场现状、潜在用户、市场前景及风险预测，经济效益和社会作用、影响分析、使用项目成果获得应用转化拟采取的措施等。）MOSFET作为功率半导体器件的重要组成部分，广泛应用于消费电子、计算机、工业控制、汽车和通讯等行业。根据中国市场研究机构赛迪顾问（CCID）的最新报告，2008年中国MOSFET市场需求量达到204.6亿个，比2007年增长19.5%。赛迪顾问预测，未来受到Netbook与山寨笔记型计算机，液晶电视以及可携式产品的带动， 2008-2010年，中国MOSFET市场需求量年均复合增长率为18.5%，市场需求额年均复合增长率为16.7%，预计到2011年中国MOSFET市场销售数量和销售额将分别达到364.8亿只和408亿元。快速增长的中国MOSFET市场将为企业的发展提供发展空间。目前，国内（大陆）在从事MOSFET生产的企业很少，MOSFET生产企业主要以欧美企业为主，Fairchild、ST、IR、Vishay这些MOSFET生产企业在市场上都占有一定的市场份额，在MOSFET市场上已经具有一定品牌知名度。而从目前发展现状看，本土企业主要以MOSFET代工服务为主，缺少具有实力的MOSFET IDM企业，本土企业在MOSFET市场上品牌知名度低。目前MOSFET器件中的中高端产品技术掌握在欧美、日韩等企业手中，国内在此项目上仅停留在试验室水平，基本没有形成批量生产能力，市场所需的中高端产品90%以上依赖进口。 2005年，我公司为适应市场的需求，经过充分的市场调研，启动了MOSFET设计，生产，封装项目。公司研发中心进行了产品的参数设计和工艺技术开发，经过三年多的努力，目前已有了多个品种实现了小批量生产，在性能上完全满足用户的要求，成本与国外企业相比拥有明显优势，填补了国内中高端MOSFET产品的空白。我公司近期目标是设计开发可替代国外的MOSFET产品，形成完整的系列。为了提高产品技术含量、增强市场竞争力，我公司正在开发大功率MOSFET产品系列，计划新增设备，提高月产量。我公司目前月产能为35，000K只，产值350万元，为满足市场需求，降低成本，我公司将另增加三条生产线，加大市场供应，拓展出口，以便取得更好的经济效益与社会效益。6. 项目组和项目申请单位现有工作基础，具备的支撑条件，其他所需增添的支撑条件和主要仪器设备（说明用途）项目组有丰富经验的MOSFET设计师，工艺工程师和封装工艺师多名，工作站3台，PC机6台，设计和仿真软件一套。设计所需的硬件和软件根据以后的具体情况和适当添加。封装方面已拥有成熟的封装工艺线，为扩大产能，需采购相关的仪器设备，增加三条生产线，扩大产能。在现有研发人员的基础上，我公司将再吸纳多名经验丰富的工程师，用来改进MOSFET的封装工艺，降低成本。需新购的仪器设备序号设备名称厂 商数量(台)单价(USD)总金额(USD)需求日期1数字粘片机佳 峰45.5万22万6-9月2全自动粗铝线压焊机OE、ECS、ASM323万69万6-9月3全自动焊线机OE、ECS、ASM65万30万6-9月4高精密测试机美亚、友能26万12万6-9月5塑 封 压 机溢 东34万12万6-10月6全自动摆片机溢 东51.5万7.5万6-10月7全自动切筋机华龙、金泰34万12万6-10月8高精密塑封模具华龙、金泰33万9万6-10月9合计金额：USD 173.5万7. 项目的总经费预算时间费用（万元）备注2006年502007年802008年802009年1002010年100总计4108. 主要研究人员项目承担部门：设计部主要参加单位/部门：设计部、生产部项目负责人姓 名性别学历职务职称业务专业为本项目工作时间(%)所在单位/部门男大学设计部经理/高级工程师自动化50%设计部研发核心人员姓 名性别学历职务职称业务专业为本项目工作时间(%)所在单位/部门男大学IC设计师电子信息100%设计部9项目计划进度2006年8月1日 至 2008年8月1日 设计生产消费类电源适配器、Ballast等产品中所用的各种MOSFET。设计生产利润高的应用在计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品中MOSFET。2007年8月1日 至2009年8月1日 设计晶胞面积不大于国际先进厂家的5% MOSFET。2008年8月1日 至2010年8月1日 改进封装工艺，降低生产