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文档简介

1、基本放大电路,第三章 基本放大电路, 3.1 放大电路的组成与技术指标, 3.4 放大电路的通频带, 3.2 放大电路的稳定偏置, 3.3 各种基本放大电路的分析与比较,基本放大电路,3.1放大电路的组成与技术指标,电子学中放大的目的是将微弱的变化信号(电压和电流等)不失真地放大成较大的信号。,一、放大电路的组成,给放大电路提供输入信号,常为某物理量的电气模拟变换。,有源器件是放大电路的核心,通常为三极管、场效应管或集成运放等。,为不失真地放大信号,必须给有源器件提供适当的静态(直流)工作点(Q点)。直流电源和偏置电路就是提供合适的Q点,使有源器件在放大交流信号时,工作在线性区域。,接受放大电

2、路输出的元件。可以是电阻、电容或电感等;也可是下一级放大电路的等效输入阻抗。,把放大电路中的公共点,称为“地”。常为输入电压、输出电压和直流电源的公共参考点。,基本放大电路,3,3.1放大电路的组成与技术指标,例 下图所示的共发射极放大电路。,基本放大电路,4,3.1放大电路的组成与技术指标,静态工作点Q的分析:,将上图中的电容认为开路,可得放大电路的直流通路。,UBEQ=0.7V(VT为硅管),基本放大电路,5,3.1放大电路的组成与技术指标,二、放大电路的技术指标,放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表示,如图:,1. 放大倍数,基本放大电路,6,3.1放大电路的组成与技术指标,2.

3、输入阻抗Ri,基本放大电路,7,3.1放大电路的组成与技术指标,3. 输出阻抗Ro,RO是负载开路时,从输出端向放大器看进去的等效交流阻抗。,(1)计算法,* 输入信号源置零 ,内阻保留。,* 加压求流法。,基本放大电路,8,3.1放大电路的组成与技术指标,(2)实验法,1. 测量开路电压。,2. 测量接入负载后的输出电压。,3. 计算。,基本放大电路,9,3.1放大电路的组成与技术指标,4. 通频带,通频带:,fbw=fHfL,放大倍数随频率变化曲线幅频特性曲线,基本放大电路,10,3.1放大电路的组成与技术指标,5. 非线性失真系数,有源器件都具有非线性特性,输出信号不可避免地产生非线性失

4、真。因而常用非线性失真系数来表示失真度。,非线性失真系数:放大电路在某一频率的正弦输入信号作用下,输出信号的谐波成分总量和基波分量之比,用表示。,6. 最大输出幅度,指放大电路输出信号非线性失真系数不超过额定值时的输出信号最大值,用Uom(或Iom)来表示。,基本放大电路,11,3.1放大电路的组成与技术指标,7.共发射极放大电路的分析,(1) 利用直流通路求Q点,一般硅管VBE=0.7V,锗管VBE=0.2V, 已知。,基本放大电路,12,3.1放大电路的组成与技术指标,(2) 画出小信号等效电路,先画交流通路,. 将C1和C2视为交流短路;,B. 直流电源VCC内阻为零,视为交流短路;,基

5、本放大电路,13,3.1放大电路的组成与技术指标,再画出微变等效电路,将三极管VT用微变等效电路代替即得:,根据,则电压增益为,基本放大电路,14,3.1放大电路的组成与技术指标,输入阻抗Ri为,源电压增益为,输出阻抗Ro为,令,根据定义,用“计算法”,则,基本放大电路,15,3.1放大电路的组成与技术指标,解:,(1),(2),基本放大电路,16,3.1放大电路的组成与技术指标,【例题】 (进一步理解:静态工作点、直流负载线、交流负载线、饱和失真、截止失真),共发射极放大电路如图所示,硅管的输入、输出特性曲线如图所示。已知ui=20sint(mV),UCES=0.3V,试用图解法求:(1)u

6、BE、iB、iC、uCE 和uo;(2)最大不失真电压Uomax。,(1-17),解: (1)静态分析求UBEQ、IBQ、ICQ、UCEQ 画出直流通路,由于UBEQ 0.7V,故,输入特性曲线上的静态工作点Q(0.7V,30A),输出回路直流负载方程为(图中MN):,输出回路的静态工作点为Q(3V,3mA),直流通路,(1-18),(2)动态分析求uBE 、iB 、ic 、uCE 、uo,uBE = UBEQ+ube = (0.7+0.02sint) V,iB=IBQ+ib=(30+10 sint) A,输出回路交流负载方程为(图中AB):,输出回路交流负载线为一条过Q(UCEQ,ICQ)点

7、,斜率为-1/RL的直线。,由图可知:,iC=ICQ+ic= (3+ sint) mA,uCE=UCEQ+uce= (3-0.5sint) V,uo= uce= -0.5sint (V),基本放大电路,19,(3)求最大不失真电压Uomax。 由图可见,不产生饱和失真允许的最大不失真电压幅值为,不产生截止失真允许的最大输出电压幅值为,故该电路最大不失真输出电压幅值为,最大不失真输出电压有效值为,基本放大电路,20,基本放大电路,21,3.2放大电路的稳定偏置,一、温度对半导体器件及静态工作点的影响,1. 温度变化对ICBO的影响,2. 温度变化对输入特性曲线的影响,温度T 输出特性曲线上移,温

8、度T 输入特性曲线左移,3. 温度变化对 的影响,温度每升高1 C , 要增加0.5%1.0%,温度T 输出特性曲线族间距增大,基本放大电路,22,1. 稳定工作点原理,目标:温度变化时,使IC维持恒定。,如果温度变化时,b点电位能基本不变,则可实现静态工作点的稳定。,T , IC, IE,IC, VE、VB不变, VBE , IB,(反馈控制),I1 IB ,,此时,,不随温度变化而变化。,VB VBE,且Re可取 大些,反馈控制作用更强。,一般取 I1 =(510)IB , VB =3V5V,二、分压式偏置电路,基本放大电路,23,2. 放大电路指标分析,静态工作点,基本放大电路,24,电

9、压增益,输出回路:,输入回路:,电压增益:,画小信号等效电路,确定模型参数,已知,求rbe,增益,基本放大电路,25,输入电阻,根据定义,由电路列出方程,则输入电阻,放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻,基本放大电路,26,输出电阻,输出电阻,求输出电阻的等效电路,网络内独立源置零,负载开路,输出端口加测试电压,rce对分析过程影响很大,此处不能忽略,其中,rceRe,则,当,时,,对回路1和2列KVL方程,基本放大电路,27,书上例题,P83,例3.2.1,基本放大电路,28,三、电流源偏置电路,直流电流源的输出阻抗很高,能提供恒定的直流电流,故常用它给三极管特别是集成运放中的三极管提供直流

10、偏置。,1. 简单的直流电流源,当三极管工作在放大区时,IO可表示为:,其中,故当VCC、RB1、RB2和RE确定后,IO就基本确定,在一定范围内与负载RL的大小无关,呈现恒流特性。且输出电阻RO很大(公式同分压式偏置电路)。,基本放大电路,29,恒流特性,无论Rc的值如何, IC2的电流值将保持不变。,2. 镜像电流源,若,基本放大电路,30,交流电阻,由于T2的集电极电流基本不变。所以交流量,一般Ro在几百千欧以上,基本放大电路,31,精度更高的镜像电流源,由于增加了T3,使IC2更加接近IREF,设三个三极管的特性一样,可推得:,若,基本放大电路,32,3. 比例电流源,忽略基极电流,则

11、,若,基本放大电路,33,所以IC2也很小,4. 微电流源,又由于,可得,设,基本放大电路,34,共射电路的电压增益为:,对于此电路Rc就是镜像电流源的交流电阻,,因此增益为,比用电阻Rc就作负载时提高了。,5. 直流电流源的应用,镜像电流源,放大管,基本放大电路,35,3.3基本组态放大电路的分析与比较,一、共基极放大电路,基本放大电路,36,1. 静态工作点,3.3基本组态放大电路的分析与比较,一、共基极放大电路,直流通路与射极偏置电路相同,基本放大电路,37,2. 动态指标,3.3基本组态放大电路的分析与比较,基本放大电路,38,2. 动态指标,电压增益,输出回路:,输入回路:,电压增益

12、:,3.3基本组态放大电路的分析与比较,基本放大电路,39, 输入电阻, 输出电阻,补充书上例题,P90,例3.3.1,基本放大电路,40,共集电极电路结构如图示,该电路也称为射极输出器,由,得,二、共集电极放大电路,求静态工作点,基本放大电路,41,电压增益,输出回路:,输入回路:,电压增益:,画小信号等效电路,确定模型参数, 已知,求rbe,增益,其中,一般,,则电压增益接近于1,,即,电压跟随器,基本放大电路,42,输入电阻,根据定义,则输入电阻,当,,,时,,输入电阻大,其中,基本放大电路,43,输出电阻,则输出电阻,# 既然共集电极电路的电压增益小于1(接近于1),那么它对电压放大没

13、有任何作用。这种说法是否正确?,基本放大电路,44,三种组态的比较,基本放大电路,45,(2)分压式自偏压电路,三、场效应管的直流偏置电路,基本放大电路,46,四、共源极放大电路,(1)静态工作点,UDSQ = VDD IDQ(RS+RD ),输入回路:,输出回路:,场效应管转移特性:,以上方程联立即可求出静态工作点Q(UGSQ,IDQ,UDSQ),基本放大电路,47,(2)动态分析,基本放大电路,48,RG3 有何 作用?,补充书上例题,P96,例3.3.3,基本放大电路,49,五、共漏极放大电路,(1)静态工作点,输入回路:,结型场效应管转移特性:,解方程求静态工作点,基本放大电路,50,

14、五、共漏极放大电路,(2)动态分析,基本放大电路,51,补充书上例题,P98,例3.3.4,基本放大电路,52,3.4放大电路的通频带,当放大电路的工作频率较低时,耦合电容、旁路电容的容抗很大,不能忽略,结果使放大电路的性能下降,下限频率用fL表示。,当放大电路的工作频率较高时,三极管或场效应管结电容的容抗很小,不能忽略,结果使放大电路的性能下降,上限频率用fH表示。,放大电路的通频带定义为BW=fH-fL。,基本放大电路,53,3.4放大电路的通频带,一、三极管的高频参数,用于描述三极管频率特性的特征参数。常用的有共射截止频率f、特征频率fT和共基截止频率f等。,1. 三极管的频率参数,共射

15、截止频率f,中频段时,可认为是个常数。当频率升高时,由于三极管结电容的影响,三极管的放大作用会下降。 可表示为如下频率函数:,式中 0是中频时共射电流放大倍数;,f为三极管的 时的频率。,基本放大电路,54,3.4放大电路的通频带,对模取对数,可得:,根据上式可画出对数幅频特性和相频特性的渐近波特图。,基本放大电路,55,3.4放大电路的通频带,特征频率fT,fT为三极管的 时的频率。,将 代入右式,得:,又因为,实际上当 时,三极管已失去电流放大作用。,基本放大电路,56,3.4放大电路的通频带,共基截止频率f,将 代入,得:,令:,当f=f为时, ,f 称为共基截止频率。,基本放大电路,57,2. 三极管的混合型等效电路,高频简化模型,忽略rbc和rce,基本放大电路,58,因为,所以,模型参数的获得,(与H参数的关系),低频时,混合模型与H参数模型等效,基本放大电路,59,3.4放大电路的通频带,二、共发射极放大电路的高频特性,其中,RB比RS大得多,已忽略。,基本放大电路,60,型高频等效电路的简化,对节点 c 列KCL得,称为密勒电容,通常 很小,基本放大电路,61,得:,相当于在c和e之间也存在一密勒电容CM1,则,等效后断开了输入输出之间的联系,基本放大电路,62,最

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