PLASMA原理ppt课件

1、等离子体技术在高级封装行业的应用节目of PLASMA technology in advanced packaging industries，PLASMA CLEANING原理简介，Presented by Chao Fang，目录Agenda。等离子技术简介Introduction to Plasma Technology，概览Overview:微电子学产业微电子产业产业闪存，EEPROM dram，SRAM analog/linear micro controllers， 不良筹码粘接poor die attach insufficient heat dissipation due to

2、 poor die attach不良接线强度poor wire bond strength contamination on bond pad翻转筹码填充线Flip Chip Under fifield 表面污染物去除contamination removal wire bonding encapsulation ball attach(contamination sources 3360 fluorine，nickel hydroxide，photore 什么是“等离子体”？物质形态：固体、液体、气体、等离子体，所谓等离子体是离子电子和中性粒子，或部分游动的气体。(Partially Ion

3、ized Gas)。内部的组成包括有各种电荷的电子、离子(Ion)和没有电的激发态分子和原子团(Radicals)、自由基、紫外线等。nebula、lightning、volcano、magnetic fusing reactor、fluorescent lamp、plasma、neon light、自然电场和电场的生成利用电离粒子和通过极板提供的电场加速粒子之间的碰撞作用。碰撞引起的二次电子和通往密封空间的气体粒子，特别是没有电荷的气体分子和原子团再次碰撞。冲击之间产生了传记浆和灯光。通过碰撞电子和粒子的结合成为原子团。人工等离子体，等离子体的配置Components of a Plasma

4、，电子电子电子电子离子ions positive ar e-ar 2e-negative Cl2 2e-2cl-自由基Free Radicals: CH4 eH e光子光子photons Ar E-Ar E-HN中性粒子Neutrals，PLASMA工作原理演示了Plasma with RF是如何生成的。例如，给电极板提供13.56MHZ的交流电，电子在阳极板之间加速以获得能量。牙齿高能电子冲击反应气体分子(如Ar，H2)、传记浆中有机污染物的去除方法有两种：化学反应：氧原子或氢原子与污染物结合，实现等离子体处理的物理反应：使用正离子冲击方法(如氩)分离包含C-H键的污染物，实现去除目的。在传

5、记纸浆处理过程中，影响最大的因素是反应温度。由功率、密度、压力和处理时间确定。气体的流动影响蚀刻速度和反应时间，可以按R=(P*V)/r P:压力(Torr)R 3360滞流时间(秒v3360反应室体积(liter)计算。R:填充气体的流量(每秒通过的Torr-liter)。当一种气体渗透到一种或多种额外气体时，这种元素的混合气体组合可以产生所需的蚀刻和清洗效果。常用的气体有氧、氢、四氟烷、氩、氦。通过等离子属性、Gas and Concentration、离子或高活性原子撞击表面污染物或形成挥发性气体，然后通过真空系统取用，实现表面清洁。氩离子溅射(ARGON SPUTTERING)是离子，

6、利用电场和基板所问的电位差高速撞击基板。用碰撞动力溅出污染物或分解碳氢污染物化学键，形成气体的挥发。可溅射金属氧化膜去除。Ar (Ar)离子冲击，氢电气还原(HYDROGEN REDUCTION)用处于此状态的自由基氢分解碳污染物，还原金属氧化膜。h2cxhyh 2 cxh(Y2)2p3h 2 2 ph 3 Oxide H2O，氧离子去除(OXYGEN ASHING)利用高能氧离子在低温下燃烧碳氢污染物。燃烧效率高，但不能去除金属氧化膜，反而能制造金属氧化膜。O2 c O2 CO2 cxhy O2 CO2 H2O oxide O2 no reaction，反应器，物理，化学，化学，PLASMA工作原理说明，Plasma with RF clean原理，Plasma clean中常用的气体是O2和Ar反应A: H*有机物CXH (Y2) B3360AR *有机物体积小、重量轻的有机物在Wire bonding strength的过程、运输或处理过程(如铝垫)中受到污染。牙齿污染物可以作为有机物通过A型化学反应或B型物理反应去除污染物。如果污染物不是有机物，可以通过B型物理反