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文档简介

1、,G/F/F 建議設計,py,px,sensing film,driving film,gap,C 60pF R 最好 10K ok 30K,上下兩層ITO間距 為270um+-50um,G/F/F 參數,gap,gap,Dx,sw,gap,Dy,Parameters: Px, Py : 建議尺寸為5mm,隨電容屏幕可視區大小會有些變異(45.5mm OK) sw : 0.5mm gap: 0.040.1mm Dx,Dy : Dx=(Px-sw-5*gap)/4 =Dy, Dy隨著可視區大小可有些許變動,Px,Py,Dx,Dx,Dx,Sensing層(上層),Sensing層(上層),上層fi

2、lm,GND Ring,Sensing走線,GND Ring線粗為sensing線的3倍(最小2倍) GND Ring距離Sensing走線3倍線寬(最小2倍),GND Ring(黃色)連接一圈ITO Ring (綠色),ITO Ring寬度要完全覆蓋下層 film的Driving走線,走線走階梯狀,Sensing層(上層),T-bar完全包入ITO sensing線內 走線走45度,圓角,GND Ring連接一圈ITO Ring, ITO Ring寬度要完全覆蓋下層 film的Driving走線,Driving層(下層),Driving層(下層),下層 film,Driving 走線,Driving線內新增一區ITO保護區以保護上層的sensing線,故此ITO區塊要覆蓋住上層的走線位置(含T-bar) 這接地區採雙邊接進IC (若Pin腳不夠用時可以單邊接進),接進IC,Driving層(下層),最外圈也要有一層GND Ring GND Ring線寬為3倍Driving線寬(最小2倍),兩層相交邊界,Driving,第一根driving pad切齊T-bar(T-bar不含蓋進去),兩層相交邊界,上層 film,下層 film,GND Ring,GND Ring+ ITO Ring,Sensing走線,Driving 走線,上下垂直

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