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IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一目录2.5.5JFET等效电路与模型参数1.JFET器件特点2.JFET符号4.JFET基本模型参数3.JFET等效电路1.JFET器件特点（与BJT对比）(1)JFET是电压控制器件：栅压VGS控制漏源IDS（BJT为电流控制器件）(2)输入端栅源G-S为反向偏置，输入电流很小，输入阻抗很高。（BJT输入为正偏pn结，因此输入阻抗较低）(3)沟道电流IDS为多子漂移电流，所以JFET为单极器件。（BJT为双极器件：Bipolar）(4)饱和区指VDS增大导致“沟道电流为饱和”的区域（BJT饱和区指IC增大但是VCE基本不变区域）1.JFET器件特点（与BJT对比）(5)IDS-VDS特性曲线从原点“扇形”展开（BJT是从一条“包络线”弹出）JFET器件特性BJT器件特性2.JFET符号

JFET分n沟JFET和p沟JFET两类，每类均可采用耗尽型和增强型两种工作模式，因此JFET一共分为四种。在电路符号中，栅极为实线表示零偏时已有导电沟道，代表耗尽型器件。栅极采用虚线表示零偏时不存在导电沟道，代表增强型器件。符号中的箭头代表源极电流的方向。3.JFET等效电路电路模拟软件Spice中JFET模型是一种基于物理过程的等效电路。等效电路模型与JFET器件结构存在对应关系。(1)电流源Id代表沟道电流IDS非饱和区0＜VDS＜VDS(sat)=VGS-VP

IDS＝β[2(VGS-VP)VDS-VDS2]饱和区VDS>VDS(sat)IDS＝β(VGS-VP)2(1+λVDS)涉及β、VP、λ三个模型参数3.JFET等效电路(1)电流源Id代表沟道电流IDS注意G、D和S为器件三个引出端考虑到源极、漏极存在串联电阻，S′和D′为器件内部源、漏节点。前面漏源电流表达式中VGS和VDS应分别采用图中的G和S′之间以及D′和S′之间的电压VGS′和VD′S′。3.JFET等效电路(2)栅-漏、栅-源之间pn结反向电流Igd和Igs表达式与pn结一样；(3)Cgd和Cgs：分别栅与漏、栅与源之间的PN结势垒电容；

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