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IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一目录1.“场效应晶体管”FET的含义2.5.1场效应晶体管概述2.FET器件结构类型1.“场效应晶体管”FET的含义FET全称为FieldEffectTransistor(1)FET基本原理包含两个要点：(a)FET实质上是通过一个阻值受控的导电通道传输电流。导电通道称为“沟道”（Channel

）(b)利用与沟道垂直方向上的“电场”来“调制”导电通道，称为“场效应”任何一类FET的工作原理都是基于“场效应”。1.“场效应晶体管”FET的含义(2)FET基本结构FET器件包括三个电极(a)栅：施加电场的电极称为“控制栅”，简称“栅（Gate）”(b)源与漏：导电沟道两端的电极分别称为源（Source）和漏（Drain）器件工作时，载流子从“源”流出，经过沟道，流入“漏”。1.“场效应晶体管”FET的含义(3)FET基本原理器件工作时，通常源为公共端，栅为输入端，漏为输出端。通过栅源电压VGS调制沟道在漏源电压VDS作用下，流过可变电阻沟道的电流，即IDS，与VDS之间呈现出一种不同于常规电阻I-V的特殊关系，使得场效应晶体管在电路中可以起到开关、放大等有源器件的作用。2.FET器件结构类型(1)按照调制方式划分(a)JFETpn-JFET：通过pn结调制沟道MESFET(MEtalSemiconductorFET)：通过金属-半导体肖特基结调制沟道2.FET器件结构类型(1)按照调制方式划分说明随着工艺技术的发展，MOS电容结构中Metal从金属铝改为可实现自对准的多晶硅（Poly-Si），进而采用硅化物（Silicide）Oxide也发展为高k介质但是描述器件类型的名称还保留采用MOSFET。有时，也根据其结构特点称为IGFET：Insulated-GateFET。(b)MOSFET：MetalOxideSemiconductorFET通过金属-二氧化硅-半导体电容结构调制沟道2.FET器件结构类型(2)按照导电通道（沟道）类型划分(a)n沟：沟道以电子导电为主(b)p沟：沟道以空穴导电为主说明由于电子迁移率大于空穴迁移率，使得n沟器件特性优于p沟因此集成电路中优先使用n沟场效应晶体管。2.FET器件结构类型(3)按照栅压零偏时是否存在导电沟道划分(a)增强型（Enhancementmode）：零偏时不存在沟道(b)耗尽型（Depletionmode）：零偏时存在沟道目前电路中采用较多的是

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