第20讲 晶体结构与性质（练习）（解析版）

第20讲晶体结构与性质（模拟精练+真题演练）完卷时间：50分钟可能用到的相对原子质量：C12N14F19Fe56Ni59一、选择题（每小题只有一个正确选项，共12×5分）1．（2023·湖北·华中师大一附中校联考模拟预测）金刚石的晶胞如图1所示，图1中原子坐标参数A为，B为，C为。在立方晶胞中，与晶胞体对角线垂直的面，在晶体学中称为晶面，如图2所示。下列说法错误的是A．金刚石是由碳元素组成的B．图1中原子坐标参数D为C．若图1金刚石的晶胞参数为apm，则其晶胞中两个碳原子之间的最短距离为cmD．图2晶胞中可以称为晶面的面共有8个【答案】C【解析】A．金刚石是由碳元素组成的单质，A正确；B．D与周围4个原子形成正四面体结构，D处于前面、下面和左面的1/4，D原子的坐标参数为，B正确；C．金刚石晶胞中两个碳原子之间的最短距离是体对角线的，为cm，C错误；D．图2晶胞中共有8个顶点，4条体对角线，由(1,1,1)晶面定义可知，晶胞中可以称为晶面的面共有8个，D正确；故选C。2．（2023·辽宁·校联考模拟预测）几种晶体的晶胞结构如图所示。已知：、均为立方晶胞。下列说法错误的是

A．相同条件下，熔点：B．另一种晶胞结构中，当处于体心时，则处于棱心C．晶胞中a点原子坐标参数为，则b点原子坐标参数为D．三种晶体中，Ca的配位数均为8【答案】D【解析】A．半径小于，的离子键强于的，熔点更高，A项正确；B．另一种晶胞结构中，当处于体心时，处于顶角、O处于棱心，B项正确；C．由晶胞结构及a点原子坐标参数为，可知点原子坐标参数为，，C项正确；D．中的配位数为12，D项错误；故答案为：D。3．（2023·天津南开·南开中学校考模拟预测）下列表述中正确的有①晶体与非晶体的根本区别在于固体是否具有规则的几何外形②非极性分子往往具有高度对称性，如这样的分子③利用超分子的分子识别特征，可以分离和④接近水的沸点的水蒸气的相对分子质量测定值比按化学式计算出来的大，是由于氢键的影响⑤设为阿伏加德罗常数的值，含碳原子的金刚石晶体中共价键个数为⑥熔融状态能导电，熔点在左右的晶体一定为离子晶体A．2个 B．3个 C．4个 D．5个【答案】B【解析】①晶体与非晶体的根本区别在于晶体有自范性，与是否有规则的几何外形无关，如：玻璃，故①错误；②PCl3为三角锥形分子，H2O2为书页形分子，PCl3、H2O2分子的正负电荷重心不重合，为极性分子，故②错误；③C60和C70的混合物加入一种空腔大小适合C60的“杯酚”中可进行分离，这是利用超分子的分子识别特征，故③正确；④接近水的沸点的水蒸气的相对分子质量测定值比用化学式H2O计算出来的相对分子质量大一些，其主要原因是接近水的沸点的水蒸气中水分子间因氢键而形成了“缔合分子”，故④正确；⑤金刚石中每个C原子形成4个共价键，每个共价键被2个C原子共用，所以每个C原子占有的共价键个数为4×=2，2.4g金刚石中n(C)==0.2mol,则碳原子个数为0.2mol×2NA/mol=0.4NA，故⑤正确；⑥熔融状态能导电，熔点在1000℃左右的晶体可能是金属晶体，故⑥错误；故选：B。4．（2023·湖北荆州·沙市中学校考模拟预测）快离子导体是一类具有优良导电能力的固体电解质。图1(Li3SBF4)和图2是潜在的快离子导体材料的结构示意图。温度升高时，NaCl晶体出现缺陷，晶体的导电性增强。该晶体导电时，③迁移的途径有两条：途径1：在平面内挤过2、3号氯离子之间的狭缝(距离为x)迁移到空位。途径2：挤过由1、2、3号氯离子形成的三角形通道(如图3，小圆的半径为y)迁移到空位。已知：氯化钠晶胞参数a=564pm，r(Na+)=95pm，r(Cl-)=185pm，=1.4，=1.7。下列说法不正确的是A．第二周期元素中第一电离能介于B和F之间的元素有4种B．图1所示晶体中，每个Li+与4个呈四面体结构的离子相邻C．氯化钠晶体中，Na+填充在氯离子形成的正八面体空隙中D．温度升高时，NaCl晶体出现缺陷，晶体的导电性增强，该晶体导电时，③迁移的途径可能性更大的是途径1【答案】D【解析】A．第二周期元素第一电离能从左向右呈增大趋势，由于Be的2s轨道全满，N的2p轨道半满，结构稳定，造成Be和N比同周期相邻元素的第一电离能高，因此第一电离能介于B和F之间的有Be、C、N、O共4种，A正确；B．由图1所示晶体结构可知，Li+位于棱心，正四面体结构的离子在体心，则每个Li+与4个呈四面体结构的离子相邻，B正确；C．NaCl晶胞中Na+周围有3个Cl-，则在NaCl晶体中，Na+周围等距离最近有6个C1-，6个C1-构成正八面体结构，即Na+填充在C1-堆积而成的八面体空隙中，C正确；D．该三角形为等边三角形，边长等于图2中面对角线长度，故三角形边长=，即，r(Cl-)=185pm，解得x=24.8pm；内部虚线部分三角形的顶角为120°、两腰长为r(Cl)+y、底长为282pm，边角关系有[r(Cl)+y]=282pm，解得y=47.2pm；由于挤过由1、2、3号氯离子形成的三角形通道y的值大于挤过2、3号氯离子之间的狭缝x值，所以Na+如果能挤过，那么挤过由1、2、3号氯离子形成的三角形通道相对容易些，即迁移可能性更大的途径是途径2，D错误；故选D。5．（2023·湖北武汉·湖北省武昌实验中学校考模拟预测）砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，熔点为1238℃，用于制作太阳能电池的材料，其结构如图所示，其中以原子1为原点，原子2的坐标为(1，1，1)。下列有关说法中错误的是A．原子3的坐标为(，，) B．Ga的配位数为4C．GaAs为共价晶体 D．若将Ga换成Al，则晶胞参数将变小【答案】A【解析】A．由图可知，原子3在x、y、z轴上的投影分别为，坐标为，A错误；B．根据晶胞结构可知，Ga的配位数为4，B正确；C．GaAs的熔点为1238℃，硬度大，熔点高硬度大，故晶体类型为共价晶体，C正确；D．Ga原子半径比Al小，则若将Ga换成Al，则晶胞参数将变小，D正确；故选A。6．（2023·黑龙江绥化·统考模拟预测）某种新型储氢材料的立方晶胞结构如图所示，其中八面体中心为M金属离子，顶点均为NH3配体；四面体中心为硼原子，顶点均为氢原子。已知该储氢材料的摩尔质量为188g·mol-1，晶胞参数为anm。下列说法正确的是

A．M为铜元素B．每个晶胞中含有12个NH3C．该储氢材料晶胞的体积为a3×10-27cm3D．晶胞中M金属离子与B原子数之比为1∶2【答案】D【分析】某种新型储氢材料的立方晶胞结构如图所示，其中八面体中心为M金属离子，顶点均为NH3配体，八面体位于顶点和面心，八面体的个数为8×＋6×＝４，1个八面体中有1个M和6个NH3，晶胞中含4个M和24个NH3；四面体中心为硼原子，顶点均为氢原子，四面体位于体内，四面体的个数为8，1个四面体中有1个B和4个H，晶胞中含8个B和32个H；【解析】A．晶胞中M、NH3、B、H的个数之比为4∶24∶8∶32=1∶6∶2∶8，晶体的化学式为M(NH3)6(BH4)2，该储氢材料的摩尔质量为188g/mol，M的相对原子质量为188-6×17-2×15=56，M为Fe元素，A项错误；B．1个八面体中有6个NH3，1个晶胞中含4个八面体，则每个晶胞中含有4×6=24个NH3，B项错误；C．晶胞参数为anm=a×10-7cm，该储氢材料晶胞的体积为(a×10-7cm)3=a3×10-21cm3，C项错误；D．晶胞中M金属离子与B原子数之比为4∶8=1∶2，D项正确；答案选D。7．（2023·山东聊城·校联考三模）BP晶体是一种超硬耐磨的涂层材料，其合成途径之一为、。下列说法正确的是A．BP晶体为离子晶体 B．的电子式为C．第一电离能： D．为正四面体结构，键角为【答案】D【解析】A．BP晶体是一种超硬耐磨的涂层材料，则它为原子晶体，A项错误；B．C最外层四个电子需要共用4对电子达饱和，即C与每个S共用两对电子，B项错误；C．P、S、Cl为同周期从左往右第一电离能逐渐增大，但P为半充满结构难失电子所以其第一电离能P>S。第一电离能：Cl>P>S，C项错误；D．P4形成正四面体，每个面为正三角形所以键角即为三角形的内角为60°，D项正确；故选D。8．（2023·辽宁葫芦岛·统考二模）某铁氮化合物晶体的晶胞结构如图所示。若晶胞中距离最近的两个铁原子距离为apm，阿佛伽德罗常数的值为NA，则下列说法不正确的是

A．若以氮原子为晶胞顶点，则铁原子在晶胞中的位置为棱心、面心和体心B．该化合物化学式为Fe4NC．N原子的分数坐标为(，，)D．该晶体的密度为g/cm3【答案】A【解析】A．由题干晶胞示意图可知，若以氮原子为晶胞顶点，则铁原子在晶胞中的位置为棱心和体心，A错误；B．由题干晶胞示意图可知，一个晶胞中含有Fe个数为：=4，N原子个数为1，故该化合物化学式为Fe4N，B正确；C．由题干晶胞示意图可知，N原子位于体心上，故N原子的分数坐标为(，，)，C正确；D．由B项分析可知，一个晶胞中含有Fe个数为：=4，N原子个数为1，设晶胞的边长为dpm，若晶胞中距离最近的两个铁原子距离为apm，即有，解得d=，则该晶体的密度为=g/cm3，D正确；故答案为：A。9．（2023·湖北武汉·华中师大一附中校考模拟预测）一种由镍、氟和钾三种元素组成的化合物晶体结构如图所示，下列说法错误的是

A．该晶体中Ni的化合价为＋2 B．与镍等距离且最近的有6个C．图中A、B原子间的距离为 D．该晶体的密度为【答案】B【解析】A．根据晶胞结构可知该晶体中个数为，个数为，Ni的个数为，根据正负化合价代数和为0，可知Ni应为+2价，选项A正确；B．晶胞中a与c不相等，因此与镍等距离且最近的不是6个，选项B错误；C．图中A位于棱边处，B原子位于中心，二者之间的距离为pm，选项C正确；D．该晶胞的化学式为，晶胞质量为426/，晶胞体积为，因此该晶体的密度为，选项D正确；答案选B。10．（2023·北京海淀·北京市十一学校校考三模）硅酸盐是地壳岩石的主要成分，在硅酸盐中，四面体(如图甲为俯视投影图)通过共用顶角氧原子可形成六元环(图乙)、无限单链状(图丙)、无限双链状(图丁)等多种结构。石棉是由钙、镁离子以离子数的比例与单链状硅酸根离子形成的一种硅酸盐。

下列说法不正确的是A．大多数硅酸盐材料硬度高与硅氧四面体结构有关B．六元环的硅酸盐阴离子化学式C．石棉的化学式为D．双链状硅酸盐中硅氧原子数之比为【答案】D【解析】A．硅氧四面体结构是指由一个硅原子和四个氧原子组成的四面体结构。这种结构因其内部化学键的结构和特性而具有稳定性。硅氧四面体结构中的硅原子与四个氧原子形成了共价键，共享电子对使每个原子都充满了电子。这种共价键结构使得硅氧四面体结构比单纯的硅或氧分子更加稳定，所以硅氧四面体结构决定了大多数硅酸盐材料硬度高，故A正确；B．六元环的硅酸盐阴离子中Si元素显+4价，O元素显-2价，所以六元环的硅酸盐阴离子化学式为，故B正确；C．石棉中钙、镁离子之比为1∶3，其中Mg元素、Ca元素显+2价，Si元素显+4，O元素显-2价，所以，该石棉的化学式可表示为，故C正确；D．由图丁可知，双链硅酸盐中有两种硅氧四面体，且数目之比为1∶1，一种与单链硅酸盐中硅氧原子个数比相同，其中硅原子个数为1，氧原子个数为，个数比为1∶3；另一种，硅原子个数为1，O原子个数为，个数比为1∶2.5，所以双链状硅酸盐中硅氧原子数之比为2∶5.5，故D错误；故选D。11．（2023·湖北·校联考模拟预测）复合催化剂可以实现常压合成乙二醇。下列有关叙述正确的是A．和石墨烯互为同素异形体 B．和均为传统无机非金属材料C．石英玻璃具有各向异性 D．的立体构型为正四面体形【答案】A【解析】A．和石墨烯为结构不同的碳单质，互为同素异形体，故A正确；B．为新型无机非金属材料，故B错误；C．玻璃为非晶态物质，不具有晶体的各向异性，故C错误；D．中铜离子采用杂化，立体构型为平面正方形，故D错误；故选：A。12．（2023·山东济南·山东省实验中学校考模拟预测）黑砷在催化电解水方面受到关注，其晶体结构如图所示，与石墨类似。下列说法正确的是

A．黑砷中As—As键的强度均相同B．黑砷与C60都属于混合型晶体C．黑砷与石墨均可作为电的良导体D．黑砷单层中As原子与As—As键的个数比为1∶3【答案】C【解析】A．根据图知，黑砷中存在的As−As键的键长不同，则键能不同，故A错误；B．C60属于分子晶体，黑砷晶体结构类似于石墨，石墨晶体中既有共价键，又有金属键，还有范德华力，为混合晶体，所以黑砷属于混合晶体，故B错误；C．黑砷晶体结构与石墨类似，石墨是电的良导体，则黑砷能也是电的良导体，故C正确；D．根据图知，黑砷晶体每层原子之间组成六元环结构，一个正六边形有6个As,每个As相邻的3个As以As−As相结合，既A每个As属于3个正六边形，实际属于这个正六边形的As原子数为，同理，一个正六边形六条边，但每个As−As属于相邻两个正六边形，则实际属于这个正六边形的As−As为，故黑砷单层中As原子与As−As键个数比为2：3，故D不正确；故答案选C。二、主观题（共3小题，共40分）13．(12分)（2023·山东烟台·统考二模）硅材料和铝材料在生产生活中应用广泛。回答下列问题：(1)一种磷酸硅铝分子筛常用于催化甲醇制烯烃的反应。由硅原子核形成的三种微粒：a.、b.、c.，半径由大到小的顺序为___________(填标号)；第三周期元素中，第一电离能介于A1和P之间的元素有___________种。(2)是一种高介电常数材料。已知：中键角120°，中键角111°。共价键的极性Si—N___________C—N(填“>”、“=”或“<”)。下列划线原子与中N原子杂化类型相同的是___________(填标号)。A．B．C．D．(3)铝硼中间合金在铝生产中应用广泛。金属铝熔点为660.3℃，晶体硼熔点为2300℃，晶体硼熔点高于铝的原因是___________。晶体硼的结构单元是正二十面体，每个单元中有12个硼原子，结构如图。若其中有两个原子为，其余为，则该结构单元有___________种。

(4)已知合金的立方晶胞结构如图1，Na原子以金刚石方式堆积，八面体空隙和半数的四面体空隙中填入四面体；图2为沿x轴投影晶胞中所有Na原子的分布图。每个Na周围距离其最近的Na有___________个；以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称为原子的分数坐标，如A点的分数坐标为，则B点的分数坐标为___________；设为阿佛加德罗常数的值，的摩尔质量为Mg·mol，晶体的密度为ρg⋅cm，则A、C两原子间的距离为___________pm(列出计算表达式)。【答案】(除标注外，每空1分)(1)cab3(2)>AD(3)晶体硼为共价晶体，铝为金属晶体（2分）3(4)4(，，)（2分）（2分）【解析】（1）电子层数越多半径越大，质子数相同、电子层数也相同时，电子数越多半径越大，由硅原子核形成的三种微粒：a.、b.、c.，半径由大到小的顺序为>>；同周期元素从左到右第一电离能有增大趋势，第三周期元素中，Mg的3s能级全充满、P的3p能级半充满，结构稳定，第一电离大于同周期相邻元素，第一电离能介于A1和P之间的元素有Mg、Si、S共3种元素。（2）C的电负性大于Si，共价键的极性Si—N>C—N。中键角120°，说明N原子采用sp2杂化。A．中Al原子形成3个σ键，无孤电子对，Al原子采用sp2杂化，故选A；B．中B原子形成4个σ键，无孤电子对，B原子采用sp3杂化，故不选B；C．中N原子形成3个σ键，键角111°，说明有1个孤电子对，N原子采用sp3杂化，故不选C；D．中N原子价电子对数为3，N原子采用sp2杂化，故选D；选AD。（3）晶体硼是共价晶体，铝是金属晶体，所以晶体硼熔点高于铝。晶体硼的结构

，若其中有两个原子为，其余为，可以理解为2个被代替，则该结构单元可能1、2号B原子为，1、3号B原子为，1、4号B原子为，共3种结构。（4）根据图示，每个Na周围距离其最近的Na有4个；如A点的分数坐标为，则B点的分数坐标为(，，)；根据均摊原则，每个晶胞含有Na的个数为，设为阿佛加德罗常数的值，的摩尔质量为Mg·mol，晶体的密度为ρg⋅cm，设晶胞的边长为acm，则，A、C两原子间的距离为==pm。14．(12分)（2023·江西·校联考二模）芯片作为科技产业，以及信息化、数字化的基础，自诞生以来，就一直倍受关注，也一直蓬勃发展。芯片制造会经过六个最为关键的步骤：沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。(1)将Mn掺杂到GaAs的晶体中替换部分Ga得到稀磁性半导体材料，晶体结构如下甲图。

图中a、b的坐标为(0、0、0)，(1、1、0)，则c点Mn的原子坐标为_______，掺杂Mn之后，晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为_______。(2)“光刻胶涂覆”中用到一种701紫外正型光刻胶，结构如上图乙所示，其S的杂化方式为_______。(3)“光刻”时，紫外负型光刻胶常含有-N3(叠氮基)，在紫外光下形成的阴离子的等电子体有______(填化学式，任写一种)，其空间构型为_______。(4)一种Ag2HgI4固体导电材料为四方晶系，其晶胞参数为apm、apm和2apm，晶胞沿x、y、z的方向投影(如图所示)，A、B、C表示三种不同原子的投影。其中代表Hg原子是_______“A”、“B”、“C”)。设NA为阿伏加德罗常数的值，Ag2HgI4的摩尔质量为Mg·mol-1，该晶体的密_______g·cm-3(用代数式表示)。

【答案】(除标注外，每空2分)(1)(0，，)5：27：32(2)sp3（1分）(3)N2O、CO2、CS2(任写一种)直线形（1分）(4)B×1030【解析】（1）由图可知，c点锰原子在x、y、z轴上的投影坐标分别为0、、，则c点Mn的原子坐标为(0，，)；根据“均摊法”，晶胞中含个Mn、个Ga、4个As，掺杂Mn之后，晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为5：27：32；（2）图中硫原子形成4个共价键且无孤电子对，为sp3杂化；（3）等电子体是指价电子数和原子数相同的分子、离子或原子团，阴离子的等电子体有N2O、CO2、CS2等；阴离子的中心原子N原子的价层电子对数为，为sp杂化，空间构型为直线形；（4）由投影可知，A为位于晶胞内部，原子数为8；B原子位于顶点和体心，根据“均摊法”，晶胞中含个B；C原子位于棱上和六个面上，晶胞中含个C；结合化学式Ag2HgI4可知，ABC分别为I、Hg、Ag，晶体密度为。15．(16分)（2023·天津河北·统考二模）坐落在河北区的华为天津区域总部项目计划于2023年12月底竣工。石墨烯液冷散热技术系华为公司首创，所使用材料石墨烯是一种二维碳纳米材料。I．、金刚石、石墨的结构模型如图所示(石墨仅表示出其中的一层结构)：(1)金刚石、石墨和三者互为___________(填序号)。A．同分异构体 B．同素异形体 C．同系物 D．同位素(2)晶体的晶体类型为___________。(3)晶体硅的结构跟金刚石相似，1mol晶体硅中所含有硅硅单键的数目是___________。(4)石墨层状结构中，平均每个正六边形占有的碳原子数是___________。II．石墨烯(图甲)是一种由单层碳原子构成的平面结构新型碳材料，石墨烯中部分碳原子被氧化后，其平面结构会发生改变，转化为氧化石墨烯(图乙)。(5)图甲中，1号C与相邻C形成键的个数为___________。(6)图乙中，1号C的杂化方式是___________。(7)若将图乙中所示的氧化石墨烯分散在中，则氧化石墨烯中可与形成氢键的原子有___________(填元素符号)。(8)石墨烯可转化为富勒烯()，某金属M与可制备一种低温超导材料，晶胞如图丙所示，M原子位于晶胞的棱上与内部。该材料的化学式为___________。【答案】(1)B(2)分子晶体(3)(合理给分)(4)2(5)3(6)(7)O、H(8)【解析】（1）金刚石、石墨和C60都是碳元素组成的不同单质，三者互为同素异形体，答案选B。（2）C60属于分子晶体。（3）晶体硅的结构与金刚石相似，金刚石中1条C-C键由两个C共用，一个C形成4个碳碳键，1mol金刚石中有2mol碳碳键，则1mol晶体硅中含有硅硅单键的数目为2mol。（4）石墨层状结构中，六边形上每个C原子被三个六边形共用，则平均每个正六边形占有的碳原子数=6×=2。（5）从图甲中可知，1号碳与相邻的3个C都形成碳碳单键，形成σ键的个数为3。（6）从图乙中可知，1号C形成4条单键，1号C的杂化方式为sp3杂化。（7）只有电负性较大的非金属元素与氢元素才可形成氢键，氧化石墨烯中的O能与水分子中的H形成氢键，氧化石墨烯中的H也可与水分子中的O形成氢键，能与H2O形成氢键的原子有H、O。（8）根据均摊法，该晶胞中M原子的个数为×12+9=12，C60个数为8×+6×=4，则该材料的化学式为M3C60。1．（2023·辽宁·统考高考真题）晶体结构的缺陷美与对称美同样受关注。某富锂超离子导体的晶胞是立方体(图1)，进行镁离子取代及卤素共掺杂后，可获得高性能固体电解质材料(图2)。下列说法错误的是

A．图1晶体密度为g∙cm-3 B．图1中O原子的配位数为6C．图2表示的化学式为 D．取代产生的空位有利于传导【答案】C【解析】A．根据均摊法，图1的晶胞中含Li：8×+1=3，O：2×=1，Cl：4×=1，1个晶胞的质量为g=g，晶胞的体积为(a×10-10cm)3=a3×10-30cm3，则晶体的密度为g÷(a3×10-30cm3)=g/cm3，A项正确；B．图1晶胞中，O位于面心，与O等距离最近的Li有6个，O原子的配位数为6，B项正确；C．根据均摊法，图2中Li：1，Mg或空位为8×=2。O：2×=1，Cl或Br：4×=1，Mg的个数小于2，根据正负化合价的代数和为0，图2的化学式为LiMgOClxBr1-x，C项错误；D．进行镁离子取代及卤素共掺杂后，可获得高性能固体电解质材料，说明Mg2+取代产生的空位有利于Li+的传导，D项正确；答案选C。2．（2022·北京·高考真题）2022年3月神舟十三号航天员在中国空间站进行了“天宫课堂”授课活动。其中太空“冰雪实验”演示了过饱和醋酸钠溶液的结晶现象。下列说法不正确的是A．醋酸钠是强电解质B．醋酸钠晶体与冰都是离子晶体C．常温下，醋酸钠溶液的D．该溶液中加入少量醋酸钠固体可以促进醋酸钠晶体析出【答案】B【解析】A．醋酸钠在水溶液中能完全电离，醋酸钠是强电解质，故A正确；B．醋酸钠晶体是离子晶体，冰是分子晶体，故B错误；C．醋酸钠是强碱弱酸盐，常温下，醋酸钠溶液的，故C正确；D．过饱和醋酸钠溶液处于亚稳态，加入少量醋酸钠固体可以促进醋酸钠晶体析出，形成饱和溶液，故D正确；选B。3．（2022·江苏·高考真题）我国古代就掌握了青铜(铜-锡合金)的冶炼、加工技术，制造出许多精美的青铜器；Pb、是铅蓄电池的电极材料，不同铅化合物一般具有不同颜色，历史上曾广泛用作颜料，下列物质性质与用途具有对应关系的是A．石墨能导电，可用作润滑剂B．单晶硅熔点高，可用作半导体材料C．青铜比纯铜熔点低、硬度大，古代用青铜铸剑D．含铅化合物颜色丰富，可用作电极材料【答案】C【解析】A．石墨是过渡型晶体，质软，可用作润滑剂，故A错误B．单晶硅可用作半导体材料与空穴可传递电子有关，与熔点高无关，故B错误；C．青铜是铜合金，比纯铜熔点低、硬度大，易于锻造，古代用青铜铸剑，故C正确；D．含铅化合物可在正极得到电子发生还原反应，所以可用作电极材料，与含铅化合物颜色丰富无关，故D错误；故选C。4．（2022·湖北·统考高考真题）在高温高压下可转变为具有一定导电性、高硬