2025年中国氮化镓和碳化硅功率半导体行业投资分析及发展战略咨询报告

研究报告-1-2025年中国氮化镓和碳化硅功率半导体行业投资分析及发展战略咨询报告第一章行业概述1.1行业背景(1)随着全球能源结构的转型和新能源汽车的快速发展，功率半导体作为能源转换和传输的关键部件，其重要性日益凸显。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）作为新型宽禁带半导体材料，因其优异的性能，如高击穿电场、高热导率、低导通电阻等，被广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、风力发电、工业电机驱动等领域。(2)近年来，我国政府高度重视半导体产业的发展，出台了一系列政策措施支持氮化镓和碳化硅功率半导体产业的发展。随着技术的不断进步和成本的逐步降低，我国氮化镓和碳化硅功率半导体产业已经具备了较强的竞争力，市场规模不断扩大。特别是在新能源汽车领域，我国已成为全球最大的新能源汽车市场，对氮化镓和碳化硅功率半导体的需求持续增长。(3)同时，我国氮化镓和碳化硅功率半导体产业也面临着一些挑战，如核心技术有待突破、产业链尚不完善、高端产品依赖进口等问题。因此，在未来的发展中，我国应加大对氮化镓和碳化硅功率半导体产业的政策支持力度，推动产业链上下游企业协同创新，提升产业整体竞争力。1.2行业定义(1)功率半导体行业是指从事研究、开发、生产、销售和应用功率半导体器件的产业。该行业以半导体材料为基础，通过特定的工艺技术，制造出具有高电流、高电压、高速开关等特性的半导体器件。这些器件广泛应用于电力电子、工业控制、新能源汽车、新能源发电等领域，是实现能源转换和传输的关键技术。(2)氮化镓和碳化硅功率半导体是功率半导体行业的重要组成部分。氮化镓具有优异的电子特性，如高击穿电场、高热导率和低导通电阻，使其在提高功率器件效率、减小体积和重量方面具有显著优势。碳化硅则以其高热导率、高击穿电场和优异的化学稳定性，成为耐高温、高压环境下工作的理想半导体材料。(3)行业定义中的氮化镓和碳化硅功率半导体涉及从原材料到最终产品的整个产业链，包括材料的制备、器件的设计与制造、封装技术、测试与认证等环节。这一产业链的协同发展，对于提升我国功率半导体行业的整体竞争力具有重要意义。此外，行业定义还强调了对环保、节能和可持续发展的关注，以满足全球能源结构转型的需求。1.3行业分类(1)功率半导体行业可以根据其应用领域和产品特性进行分类。首先，按照应用领域，可分为工业控制用功率半导体、消费电子用功率半导体、汽车电子用功率半导体、新能源及储能用功率半导体等。其中，工业控制用功率半导体广泛应用于电机驱动、变频调速、电力电子等工业自动化领域；消费电子用功率半导体则主要应用于手机、电脑、电视等消费电子产品中；汽车电子用功率半导体在新能源汽车中的需求日益增长；新能源及储能用功率半导体则包括太阳能逆变器、风力发电机等。(2)按照产品类型，功率半导体行业可以分为功率二极管、功率晶体管、功率MOSFET、功率IGBT、功率MOSFET等。功率二极管具有单向导电特性，广泛应用于整流、开关等领域；功率晶体管具有开关速度快、导通电阻低等特点，适用于高频、高功率应用；功率MOSFET和功率IGBT则广泛应用于电力电子变换、电机驱动等领域，具有开关速度快、导通电阻低、驱动电路简单等优点。(3)此外，功率半导体行业还可以根据制造工艺和材料进行分类。例如，按照制造工艺，可分为薄膜型、硅基型、化合物半导体型等；按照材料，可分为硅基功率半导体、氮化镓功率半导体、碳化硅功率半导体等。其中，硅基功率半导体具有成本低、工艺成熟等优点，但性能相对较低；氮化镓和碳化硅功率半导体则具有高击穿电场、高热导率等优异性能，是未来功率半导体行业发展的主要方向。第二章市场分析2.1市场规模(1)根据最新市场调研数据，全球氮化镓和碳化硅功率半导体市场规模在近年来呈现出显著的增长趋势。随着新能源汽车、光伏逆变器、风力发电等行业的快速发展，对高性能功率半导体的需求不断上升，推动了市场规模的增长。据统计，2019年全球氮化镓和碳化硅功率半导体市场规模已达到数十亿美元，预计到2025年将实现翻倍增长。(2)在中国市场，氮化镓和碳化硅功率半导体市场规模的增长尤为显著。得益于国家政策的支持以及新能源汽车产业的快速发展，中国已成为全球最大的新能源汽车市场，对氮化镓和碳化硅功率半导体的需求持续增长。据相关预测，2025年中国氮化镓和碳化硅功率半导体市场规模将超过全球市场的一半，达到数百亿元人民币。(3)市场规模的快速增长也得益于技术进步和成本降低。随着制造工艺的不断优化，氮化镓和碳化硅功率半导体的性能得到了显著提升，同时制造成本也在逐步下降。这使得更多企业和消费者能够接受和应用这些高性能功率半导体，进一步推动了市场的扩张。预计在未来几年内，氮化镓和碳化硅功率半导体市场规模将继续保持高速增长态势。2.2市场增长趋势(1)市场增长趋势方面，氮化镓和碳化硅功率半导体行业预计将保持强劲的增长势头。这一趋势主要得益于新能源汽车、可再生能源和工业自动化等领域的快速发展。新能源汽车的普及使得对高性能、高效率的功率半导体需求激增，而光伏逆变器、风力发电等可再生能源设备的升级换代也为氮化镓和碳化硅功率半导体提供了广阔的市场空间。(2)在技术进步的推动下，氮化镓和碳化硅功率半导体的性能不断提升，成本逐步降低，这使得它们在传统硅基功率半导体市场中的替代趋势日益明显。随着新应用的不断涌现，如5G通信、数据中心、人工智能等领域，氮化镓和碳化硅功率半导体的市场增长潜力将进一步扩大。(3)政策支持也是推动市场增长的重要因素。许多国家和地区都出台了相应的政策，鼓励本土企业研发和生产氮化镓和碳化硅功率半导体，以减少对外部供应的依赖。此外，国际合作和技术交流的加强，也为全球氮化镓和碳化硅功率半导体市场的增长提供了动力。预计未来几年，这一行业将继续保持高速增长，成为半导体领域的重要增长点。2.3市场竞争格局(1)在氮化镓和碳化硅功率半导体市场竞争格局中，国际巨头企业占据着主导地位。如英飞凌、意法半导体、三菱电机等，这些企业在技术研发、产品线丰富度、市场覆盖范围等方面具有较强的竞争优势。它们在全球市场拥有较高的市场份额，并在高端产品领域具有明显的技术优势。(2)随着我国政策的扶持和产业升级，国内企业也在迅速崛起。包括华为海思、闻泰科技、紫光集团等在内的国内企业，在氮化镓和碳化硅功率半导体领域加大投入，不断提升自身的技术水平和市场竞争力。国内企业正逐渐在高端市场占据一席之地，有望在未来市场份额中实现突破。(3)市场竞争格局还表现在区域市场的差异上。欧美市场在新能源汽车和工业自动化等领域对氮化镓和碳化硅功率半导体的需求较高，因此市场竞争相对激烈。而亚洲市场，尤其是中国市场，在新能源汽车和光伏逆变器等领域的应用增长迅速，成为全球增长最快的区域市场之一。未来，随着全球产业布局的不断优化，市场竞争格局将更加多元化和复杂化。第三章投资机会分析3.1投资热点(1)在氮化镓和碳化硅功率半导体投资热点方面，新能源汽车产业链成为首要关注点。随着全球新能源汽车市场的快速增长，对高性能、高效率的功率半导体需求日益旺盛。因此，投资于氮化镓和碳化硅功率半导体在新能源汽车电池管理系统、电机驱动模块等关键领域的研发和生产，具有显著的市场前景和投资价值。(2)光伏逆变器市场也是氮化镓和碳化硅功率半导体投资的热点。随着光伏发电技术的不断进步和成本的降低，全球光伏市场持续扩大。氮化镓和碳化硅功率半导体在光伏逆变器中的应用，能够显著提高光伏系统的转换效率和可靠性，降低系统成本，因此在这一领域的投资潜力巨大。(3)工业自动化领域同样被视为氮化镓和碳化硅功率半导体投资的热点。随着工业4.0和智能制造的推进，工业自动化设备对高性能功率半导体的需求不断增长。氮化镓和碳化硅功率半导体在电机驱动、变频调速、工业机器人等领域的应用，有助于提升工业自动化设备的性能和效率，从而吸引众多投资者关注。3.2投资潜力分析(1)投资潜力分析显示，氮化镓和碳化硅功率半导体行业具有巨大的市场潜力。首先，新能源汽车的快速发展推动了功率半导体需求的大幅增长，预计未来几年将保持高速增长态势。其次，随着光伏逆变器、风力发电等可再生能源设备的升级换代，对氮化镓和碳化硅功率半导体的需求也将持续增加。这些因素共同推动了氮化镓和碳化硅功率半导体行业的投资潜力。(2)技术进步是推动氮化镓和碳化硅功率半导体行业投资潜力的关键因素。新型材料的研发和应用，如高导热、高击穿电场的氮化镓和碳化硅，使得功率半导体器件的性能得到显著提升。同时，随着制造工艺的成熟和成本的降低，氮化镓和碳化硅功率半导体在传统硅基功率半导体市场的替代趋势明显，进一步增强了行业的投资吸引力。(3)政策支持和产业规划也是氮化镓和碳化硅功率半导体行业投资潜力的重要保障。许多国家和地区纷纷出台政策，鼓励本土企业研发和生产氮化镓和碳化硅功率半导体，以减少对外部供应的依赖。此外，国际合作和技术交流的加强，为行业提供了良好的发展环境，使得氮化镓和碳化硅功率半导体行业的投资潜力得到进一步释放。3.3政策支持分析(1)政策支持分析显示，中国政府高度重视氮化镓和碳化硅功率半导体产业的发展，出台了一系列政策措施予以扶持。包括对关键技术研发的投入、税收优惠、产业基金设立等，旨在推动产业链上下游企业的协同创新，加快氮化镓和碳化硅功率半导体的产业化进程。这些政策为投资者提供了明确的发展方向和良好的投资环境。(2)具体来看，政策支持主要体现在以下几个方面：首先，加大对氮化镓和碳化硅功率半导体产业链关键环节的研发投入，支持高校、科研院所与企业合作，共同攻克技术难题。其次，通过税收优惠、补贴等方式，降低企业生产成本，提高产品竞争力。最后，推动产业园区建设，优化产业布局，提升产业链整体水平。(3)此外，政府还积极参与国际合作，引进国外先进技术和管理经验，提升我国氮化镓和碳化硅功率半导体产业的国际竞争力。通过参与国际标准制定、举办行业展会等形式，提升行业影响力，为投资者提供了更多的发展机遇。整体而言，政策支持为氮化镓和碳化硅功率半导体行业的发展提供了强有力的保障。第四章投资风险分析4.1技术风险(1)技术风险方面，氮化镓和碳化硅功率半导体行业面临的主要挑战包括材料制备工艺的复杂性、器件性能的一致性和可靠性问题。氮化镓和碳化硅材料的制备过程涉及高温、高压等苛刻条件，对设备要求较高，且成本较高。此外，器件性能的一致性难以保证，影响了产品的稳定性和可靠性。(2)氮化镓和碳化硅功率半导体器件的设计与制造过程中，需要克服高频率、高电压、高功率等极端条件下的散热问题。虽然目前已有一些散热解决方案，但在实际应用中仍存在散热效果不佳、成本过高等问题。此外，器件的封装技术也是一大挑战，需要解决热膨胀系数不匹配、电气性能稳定性等问题。(3)技术风险还包括产业链上下游企业之间的技术协同问题。氮化镓和碳化硅功率半导体产业链涉及材料、器件、封装、测试等多个环节，各个环节的技术水平需要匹配，才能确保最终产品的性能和可靠性。然而，由于产业链较长，不同环节的企业之间可能存在技术壁垒和协同困难，这为行业带来了潜在的技术风险。4.2市场风险(1)市场风险方面，氮化镓和碳化硅功率半导体行业主要面临需求波动和市场饱和的挑战。尽管新能源汽车、光伏逆变器等领域对高性能功率半导体需求旺盛，但市场需求的增长速度和规模存在不确定性。若市场增长不及预期，可能导致产能过剩，从而影响企业的盈利能力。(2)行业竞争加剧也是市场风险的一个重要方面。随着越来越多的企业进入氮化镓和碳化硅功率半导体市场，竞争格局将变得更加激烈。价格战、技术竞争和市场争夺战都可能对现有企业的市场份额造成冲击，降低企业的盈利空间。(3)另一方面，国际政治经济形势的变化也可能对市场风险产生重大影响。贸易摩擦、关税政策、汇率波动等因素都可能对氮化镓和碳化硅功率半导体行业的供应链和国际贸易产生不利影响，增加企业的运营成本和风险。因此，企业需要密切关注市场动态，及时调整经营策略，以应对潜在的市场风险。4.3政策风险(1)政策风险是氮化镓和碳化硅功率半导体行业面临的重要风险之一。政策变化可能对行业的投资环境、市场准入、贸易政策等方面产生重大影响。例如，政府对新能源产业的扶持力度、对功率半导体材料生产的补贴政策、以及进出口关税的调整，都可能直接影响企业的生产成本和市场竞争力。(2)政策风险还包括政策执行的不确定性。即使政府出台了一系列支持政策，但在实际执行过程中，可能因为地方政府的执行力度不一致、监管不到位等原因，导致政策效果大打折扣。这种不确定性可能会对企业的长期规划和发展战略造成干扰。(3)国际政治环境的变化也可能引发政策风险。在全球化的背景下，国际间的政治经济关系复杂多变，贸易战、地缘政治风险等因素都可能对氮化镓和碳化硅功率半导体行业的国际贸易产生负面影响。企业需要密切关注国际形势，及时调整应对策略，以降低政策风险带来的潜在损失。第五章关键技术分析5.1氮化镓关键技术(1)氮化镓关键技术主要包括材料的制备、器件的设计与制造、封装技术等。在材料制备方面，氮化镓单晶生长技术是关键，包括Czochralski（CZ）法、HydrogenChloride（HC）法等。这些技术决定了氮化镓单晶的质量和尺寸，进而影响器件的性能。(2)器件设计与制造方面，氮化镓功率器件的设计需要考虑其高击穿电场、高热导率和低导通电阻等特性。关键工艺包括外延生长、器件结构设计、芯片加工等。此外，氮化镓功率器件的制造过程中，需要解决电流扩展、热管理等问题，以确保器件的可靠性和稳定性。(3)封装技术是氮化镓功率器件的关键环节之一。由于氮化镓具有高热导率，封装设计需要考虑热流管理、电气连接、机械强度等因素。常见的封装技术包括芯片级封装（WLP）、模块级封装（MCM）等。这些技术能够提高氮化镓功率器件的散热性能和电气性能，满足高性能应用的需求。5.2碳化硅关键技术(1)碳化硅关键技术主要涉及材料的制备、器件设计与制造以及封装技术。在材料制备方面，碳化硅单晶生长是核心工艺，常用的方法包括化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。这些技术要求在高温、高压和纯净的化学反应环境中进行，以确保碳化硅单晶的高质量。(2)器件设计与制造方面，碳化硅器件具有高击穿电场、高热导率和良好的机械性能。器件设计需要考虑这些特性，以及如何实现低导通电阻和快速开关。关键工艺包括外延生长、晶圆切割、掺杂、芯片加工等。此外，碳化硅器件的制造还需解决热管理和电气性能一致性等问题。(3)碳化硅封装技术是确保器件性能的关键环节。封装设计要考虑散热、电气连接和机械保护等因素。常见的封装技术包括直接键合、陶瓷封装、金属封装等。这些技术能够提高碳化硅器件的可靠性和耐高温性能，满足其在高功率、高频应用中的需求。随着技术的不断进步，碳化硅封装正朝着更高密度、更低成本和更小型化的方向发展。5.3技术发展趋势(1)技术发展趋势方面，氮化镓和碳化硅功率半导体行业正朝着更高性能、更低成本、更小型化和更易于集成化的方向发展。在材料制备方面，单晶生长技术的进步将提高氮化镓和碳化硅单晶的尺寸和质量，降低生产成本。(2)在器件设计与制造方面，未来的技术发展趋势将集中在提高器件的功率密度和效率，同时降低导通电阻和开关损耗。通过优化器件结构、引入新型材料和改进制造工艺，可以实现对更高功率应用的支持。(3)封装技术也将是技术发展趋势的关键领域之一。随着新型封装材料和技术的发展，如基板集成、热界面材料、微电子封装等，氮化镓和碳化硅功率半导体的封装将更加高效，能够更好地满足高功率和高性能应用的需求。此外，智能化和自动化制造技术的应用也将推动整个行业的生产效率和产品质量的提升。第六章主要企业分析6.1国外主要企业(1)国外主要企业中，英飞凌（Infineon）和意法半导体（STMicroelectronics）在氮化镓和碳化硅功率半导体领域具有显著的市场地位。英飞凌提供全面的氮化镓和碳化硅产品线，包括MOSFET、IGBT和二极管等，广泛应用于汽车、工业和消费电子领域。意法半导体则以其碳化硅功率器件在光伏逆变器市场的广泛应用而著称。(2)另一家知名企业是美国安森美半导体（ONSemiconductor），其氮化镓和碳化硅产品在汽车和工业应用中占据重要地位。安森美半导体专注于提供高性能、高可靠性的功率半导体解决方案，以满足日益增长的市场需求。(3)此外，日本企业如三菱电机（MitsubishiElectric）和东芝（Toshiba）也在氮化镓和碳化硅功率半导体领域拥有较强的技术实力和市场影响力。三菱电机在氮化镓功率器件的研发和生产方面投入巨大，而东芝则在碳化硅功率半导体领域有着丰富的产品线和技术积累。这些国外主要企业在全球氮化镓和碳化硅功率半导体市场中扮演着重要角色。6.2国内主要企业(1)国内主要企业中，华为海思半导体在氮化镓和碳化硅功率半导体领域具有较强的技术实力和市场影响力。作为华为旗下的半导体子公司，海思在功率器件的研发和生产上持续投入，其产品广泛应用于华为自身的通信设备中，并在市场上获得了良好的口碑。(2)另一家国内知名企业是闻泰科技，其在氮化镓和碳化硅功率半导体领域拥有多项专利技术，产品线涵盖MOSFET、IGBT等。闻泰科技通过与国内外企业的合作，不断提升产品竞争力，在新能源汽车、光伏逆变器等领域取得了显著的市场份额。(3)紫光集团旗下的紫光国微也是国内氮化镓和碳化硅功率半导体领域的重要参与者。紫光国微在功率器件的设计和制造上具有丰富的经验，其产品线覆盖了从低端到高端的多个市场。通过技术创新和产业链整合，紫光国微在国内外市场逐步扩大了其影响力。这些国内主要企业在推动我国氮化镓和碳化硅功率半导体产业的发展中发挥着重要作用。6.3企业竞争力分析(1)企业竞争力分析首先体现在技术实力上。国外企业在氮化镓和碳化硅功率半导体领域的技术积累和研发能力较强，拥有多项核心技术专利，能够在产品性能、可靠性等方面保持领先。而国内企业在技术上虽然与国外企业存在一定差距，但通过不断的技术创新和引进，正逐步缩小这一差距。(2)市场份额是衡量企业竞争力的另一个重要指标。国外企业在全球市场占据较大份额，尤其是在高端市场领域。国内企业在国内市场表现较好，但在国际市场上还需进一步提升品牌影响力和市场份额。(3)产业链整合能力也是企业竞争力的体现。国外企业在产业链上下游的布局较为完善，能够实现材料、器件、封装等环节的协同发展。国内企业在产业链整合方面正逐步加强，通过建立产业联盟、合作研发等方式，提升整体竞争力。同时，国内企业在成本控制、本土化服务等方面也具有一定的优势。第七章发展战略建议7.1技术创新战略(1)技术创新战略方面，首先应加强基础研究和材料科学领域的投入，以推动氮化镓和碳化硅等宽禁带半导体材料的制备技术突破。这包括开发新型生长工艺、优化材料结构、提升材料纯度和均匀性等。(2)在器件设计和制造技术上，企业应致力于开发更高性能、更低成本的功率器件。这要求通过技术创新，提高器件的击穿电场、热导率和开关速度，同时降低导通电阻和损耗。此外，引入新型材料和先进工艺，如三维结构设计、高密度集成等，也是提升器件性能的关键。(3)为了加速技术创新，企业应加强与高校、科研院所的合作，建立产学研一体化平台。通过合作研发，可以快速将科研成果转化为实际应用，同时培养和吸引高端人才。此外，企业还应积极参与国际技术交流和合作，引进国外先进技术，提升自身的国际竞争力。7.2市场拓展战略(1)市场拓展战略方面，首先应聚焦于新能源汽车、光伏逆变器、风力发电等高增长领域，这些领域对高性能功率半导体的需求将持续增长。企业可以通过提供定制化产品和服务，满足不同客户的具体需求，从而在这些领域中获得更大的市场份额。(2)此外，企业应积极开拓国际市场，尤其是在欧洲、北美等对新能源汽车和可再生能源支持力度较大的地区。通过建立国际销售网络和合作渠道，可以扩大产品出口，提升品牌国际知名度。(3)针对新兴市场和潜力较大的发展中国家，企业可以采取差异化的市场策略，如提供性价比更高的产品、建立本地化服务体系等，以适应不同市场的特点。同时，通过参与国际展会、行业论坛等活动，增强与潜在客户的沟通和合作，有助于进一步拓展市场。7.3产业链协同战略(1)产业链协同战略方面，首先应加强上游原材料供应商与下游应用企业之间的合作。通过建立稳定的供应链关系，确保原材料供应的稳定性和成本控制，同时促进双方在技术研发上的交流与共享。(2)企业之间应推动横向和纵向的产业链整合。横向整合涉及不同功率半导体企业之间的合作，以实现资源共享、技术互补和市场拓展。纵向整合则强调产业链上下游企业之间的紧密合作，从材料制备到封装测试的全流程协同，以提高整体效率和降低成本。(3)此外，产业链协同战略还应关注人才培养和知识共享。通过建立行业人才培养基地、开展技术交流和培训项目，提升产业链整体的技术水平和创新能力。同时，鼓励企业之间的知识共享和技术转让，促进产业链的良性循环和持续发展。通过这些措施，可以增强整个产业链的竞争力，推动氮化镓和碳化硅功率半导体行业的整体进步。第八章政策建议8.1政策支持(1)政策支持方面，首先应加大对氮化镓和碳化硅功率半导体产业链关键环节的研发投入。通过设立专项基金、提供税收优惠等方式，鼓励企业、高校和科研院所开展技术创新和成果转化。(2)其次，政府应优化产业政策，推动产业链上下游企业的协同发展。这包括建立产业联盟、制定行业标准、加强知识产权保护等，以提升产业链的整体竞争力。(3)此外，政府还应支持企业拓展国际市场，通过提供出口信贷、贸易便利化措施等，降低企业进入国际市场的门槛。同时，鼓励企业参与国际合作，引进国外先进技术和管理经验，提升我国氮化镓和碳化硅功率半导体行业的国际竞争力。通过这些政策支持，可以促进氮化镓和碳化硅功率半导体行业的健康发展。8.2政策优化(1)政策优化方面，首先应完善产业支持政策，确保政策的有效性和针对性。这包括对研发投入、人才培养、税收优惠等方面的政策进行梳理和调整，使之更加贴合产业发展需求。(2)其次，政府应加强对氮化镓和碳化硅功率半导体产业链的引导和支持，推动产业链上下游企业的协同创新。通过政策引导，鼓励企业加大研发投入，推动技术创新和产业升级。(3)此外，政策优化还应关注环保和可持续发展。在政策制定过程中，应充分考虑环保要求，引导企业采用绿色、环保的生产工艺，降低能耗和污染物排放。同时，通过政策激励，鼓励企业进行节能减排技术改造，推动产业可持续发展。通过这些政策优化措施，可以提升氮化镓和碳化硅功率半导体行业的整体竞争力。8.3政策风险防范(1)政策风险防范方面，首先应建立政策风险评估机制，对可能影响氮化镓和碳化硅功率半导体行业发展的政策变化进行前瞻性分析。这包括对政策调整的潜在影响、行业应对措施等进行评估，以便及时调整企业发展战略。(2)其次，企业应加强政策监测和解读，确保对政策变化的敏感性和适应性。通过建立政策信息收集和分析体系，企业可以及时了解政策动态，调整生产计划、市场策略等，以降低政策风险。(3)此外，企业应积极参与政策制