集成电路电磁兼容建模 第6部分：集成电路脉冲抗扰度特性仿真模型 传导脉冲抗扰度建模（ICIM-CPI） 编制说明_第1页
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《集成电路电磁兼容建模第6部分：集成电路脉冲抗扰度特性仿真模型-传导脉冲抗扰度建模（ICIM-CPI）》（征求意见稿）编制说明GB/T44807.6-202X《集成电路电磁兼容建模第6部分：集成电路脉冲抗扰度特性仿真模型-传导脉冲抗扰度建模（ICIM-CPI）》由全国集成电路标准化技术委员会本标准的编制由北京智芯微电子科技有限公司主起草、中国电子技术标准化研究院、华大半导体有限公司、天津先进技术研究院、深圳宇凡研究所、北京邮电大学、深圳通锐微电子技集成电路脉冲抗扰度特性仿真模型-传导脉冲抗扰度建模（ICIM-CPI）》进行了翻译并对相关的技术内容进行了分析和研究。并于2024年8月在公开征集参加单位的基）；操作性。本标准的编写符合GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文2）本标准等同采用IEC62433-6:2020《集成电路电磁兼容建模第6部分：集成以及电快速瞬变脉冲群（EFT）的宏模型的提取流程，该模型解决了由于过压、热损抗扰度模型-传导脉冲抗扰度（ICIM-CPI）。主要技术内容包括模型定义的原则、ICIM-CPI模型结构、基于XML的CPIML格式等内容，第3章术语、定义、缩略语和约定，包括24个名词术语，本标准等同采用IEC62433-6:2020(EMCICmodelling-Part6:Modelsofintegratedcircuitsforpulseimmunitybehaviouralsimulation–C

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