2011工艺基础试题

扩散工艺基础试题姓名1同样的基区离子注入量，扩散结深做得较深时，R□值将变。2同样的扩散结深，离子注入量减小时，R□值将变。3某NPN产品，基区扩散时H2未通进，其余条件正常，所造成的后果是和。4基区离子注入量发生了较大变化，其余工序正常加工，流程到哪几步可以根据哪三个参数的什么现象判别出注入量发生了如何的变化？5其余条件不变，发射区再扩散条件如何变化造成hFE增大？6发射区再扩散条件不变，其余哪些条件变化对hFE构成影响？什么样的影响？7控温电偶处于温度更高的位置时（如紧靠加热炉丝），整体炉温将。8控温电偶断开，将出现的现象是，后果是。9控温电偶在某处短路，将出现的现象是，后果是。10有哪些现象（含仪表显示和其他外观）可以确认加热炉丝断开了？11某管扩散炉一端保温石棉未包裹严密，后果是。12磷预扩散炉管出气口常出现少量液体，这是为什么？当发生石英帽被粘住取不下来时该怎么办？。13PBF(乳胶硼源)的主要成分是什么？。14画出一幅POCl3源瓶的气路图。15您所知道的几种P型扩散杂质元素：。N型扩散杂质元素：。16您所知道的哪些扩散杂质元素的扩散系数大？。17您所知道的扩散结深跟杂质元素的什么性质、工艺条件的哪些参数有怎样的关系？（定性也行，能定量更好！）。18扩散工序哪些情况会引入沾污？沾污会造成哪些后果？。19在工作实践中你对所遇到的某问题作出了正确判断并解决,举一事例。这两题为公共题20在工作实践中遇到的某问题至今尚未认识清楚，举一事例。光刻、腐蚀工艺基础试题姓名说出某产品从头到尾流程顺序：（着重与光刻相邻的工程）根据光刻胶照光后的不同性质分为性胶和性胶。胶的标号越大，表示，在同样的匀胶条件下胶膜越。同一标号的胶，匀胶转速越快，膜越。胶膜较厚的胶，曝光条件应较。一定厚度的性胶，曝光过度将造成；曝光不足则造成。前烘条件过弱，会造成，前烘条件过强，会造成。显影机排风不畅会引起，显影喷头喷完后又有显影液滴落会引起，显影过度会引起。“打底膜”的目的是，打底膜条件过强将造成。刻SiO2的腐蚀液成分是，主要化学反应是；刻Al的腐蚀液成分是，主要化学反应是。刻SiO2后可以用等离子去胶吗？，刻Al后可以用H2SO4去胶吗？。请分别说明理由。画出某一型号晶体管芯片的平面图、剖面图。发射区光刻有几片图形不好（已腐蚀），请说出返工步骤，，返工的副作用是。光刻的缺陷有称为“小岛”“针孔”。它们的定义分别是：，。举出两个典型案例，说明在第几次光刻“小岛”“针孔”在什么位置会对产品的什么参数造成什么影响。有那些因素会引起“小岛”“针孔”？。若要刻出更细的线条，工程中要调节那些工艺参数？从光刻的角度看，163和160相比有什么区别，由此来看光刻、腐蚀应有哪些注意点。平面图剖面图金属化工艺基础试题姓名1金属化的目的是，通常管芯正面金属是，背面金属是，或。2本公司用于正面金属化有两类设备：和。分别说明二者的优缺点。3金属化要在一定的真空度条件下进行，举例说明某一项工程应达到真空度为多少。若真空度不符合要求，会造成。4什么情况时背面蒸金要掺砷？应掺砷的片子未掺是什么结果？背面能不能直接蒸银而不用钛镍？什么情况时背面蒸钛镍银要加做离子注入？5分别说明对蒸发源有什么要求，要是哪方面未达到要求会有什么后果？6蒸发过程中设备发生问题，能否将尚未完成的片子钟罩内保留，破真空打开钟罩排除故障后继续蒸发？为什么？7背面金属化前的清洗工艺是什么？背面金属化前的清洗时有残液溅落到正面会引起什么后果？8扩散泵或冷泵是不能在大气压下工作的，若因操作失误，泵内腔暴露在大气压下，会造成什么后果？9挡板被熔化了一些！是由哪几个可能的原因造成？会造成什么后果？当班怎么处理？事后怎么处理？10从金属化的角度看，163和160相比有什么区别，由此来看金属化应有哪些注意点。11在工作实践中你对所遇到的某问题作出了正确判断并解决,举一事例。12在工作实践中遇到的某问题至今尚未认识清楚，举一事例。离子注入工艺基础试题姓名1和扩散相比，离子注入的优点是：；缺点是：。2在离子注入前硅片表面做一层薄氧化层的作用是。3光刻胶可以用来掩蔽离子注入吗？光刻胶可以用来掩蔽预淀积扩散吗（如B2O3、POCl3预扩）？为什么？4离子注入后片子不进炉加工，能用四探针测出R□吗？为什么？5同样的基区离子注入量，扩散结深做得较深时R□值将变。6同样的扩散结深，离子注入量减小时，R□值将变。7基区离子注入量发生了较大变化，其余工序正常加工，流程到哪几步可以根据哪三个参数的什么现象判别出注入量发生了如何的变化？8当离子注入设备发生故障时，什么情况会使注入量偏离设定值？如何判别、处理？9做过硼离子注入和GS126片状硼源做过预淀积的硅片用同一条件做再扩散，是什么后果？CVD工艺基础试题姓名1CVD所形成的薄膜和扩散形成的热氧化层相比，其优点是：，缺点是：。2LPCVD和PECVD系统在工作时，反应腔内的气压一般为。3为控制反应腔内的气压，LPCVD和PECVD有一组控制系统，简述控制过程。4同样是抽真空，LPCVD系统和蒸发、溅射系统有什么不同，为此工艺处理周期、处理内容又有什么不同？（着重叙述CVD的）5淀积PSG时，通入反应室的气体是；淀积Si3N4时，通入反应室的气体是。6APCVD或LPCVD在淀积PSG时，通过什么方法控制PSG中的磷含量？通过什么方法评价PSG中的磷含量？7在工作实践中你对所遇到的某问题作出了正确判断并解决,举一事例。8在工作实践中遇到的某问题至今尚未认识清楚，举一事例。测试工艺基础试题姓名1用适当的方式描述出PN结电压-电流特性。2用适当的方式描述出PN结硬击穿和软击穿的区别。3用图示方式描述出晶体管的输入、输出特性。4晶体管的测试条件对测试结果有什么影响？举例说明对某一参数基本没有影响，对另一参数有一定程度影响。5现场测试一只晶体管，PNP或NPN型号未知，三根引线的电极也未知。要求判别出PNP还是NPN型、测出BVEBO、BVCBO、BVCEO、hFE（IC=200mA）、VCES（IC=2A）、VBES（IC=2A）。题中未给出的测试条件自行给出，并记录。晶体管未损坏且测出极性、hFE和另外至少一个参数为通过；测出全部参数且方法正确为良好；测出全部参数且方法正确并说明判断的理由为优秀。6附加题：某客户在考核晶体管BVEBO时，将C、E两极接到仪器上，加正向电压时测BVCEO，加反向电压时测BVEBO。这样是否可行？有什么问题？腐槽和钝化工艺基础试题姓名1台面结构和平面的晶体管相比，有哪些优缺点？台面腐蚀液的成分是什么？写出腐硅的化学反应方程式。2画出一幅台面结构的晶体管管芯的剖面图。3玻璃钝化所用玻粉的主要成分是什么？4玻璃钝化除了用玻粉，还用什么材料？它们各起什么作用？5说明某型号玻粉的工艺条件。用料配比、主要操作过程、时间、温度、气体等。6玻粉对别的工序造成沾污有哪些途径？要避免玻粉的沾污，应注意哪些环节？平面工艺和台面工艺的优缺点及流程区别考试题姓名得分选择填空或自述填空：（每空格5分）1深结较深的产品适合用（平面台面）工艺生产。2平面工艺更适合生产线条更（粗细）的产品。3某产品必须用镓扩散，那只能用（平面台面）工艺生产；另一款产品准备用网格状发射区的版图，那只能用（平面台面）工艺生产。4目前国内批量供应的可控硅类产品都是（平面台面）结构的产品。5为了使产品耐高电压，平面结构的产品一般用作保护；台面结构的产品一般用作保护。6从电性能上看，平面产品的优点是；台面产品的优点是。7从机械应力方面看，（平面台面）结构产品应力大，易造成和。8从对生产环境的要求方面看，（平面台面）工艺对净化要求更严。9同样的厂房条件，（平面台面）工艺容易造成光刻针孔密度大。10蒸铝以前的清洗，（平面台面）产品可以用1#、2#液，（平面台面）产品不可以用2#液。叙述题：（每题10分）1从工艺过程看，平面产品比台面产品多做那些工序？2台面产品比平面产品多做那些工序？晶体管制造技术人员提高考试根据关联的紧密性，定性地将左栏的产品指标同右栏的设计结构连线：击穿电压芯片面积最大电流扩金与否特征频率材料电阻率与厚度开关时间扩散结深□某扩散工艺晶体管成管，PNP或NPN型号未知，三根引线的电极也未知。用JT-1或QT-2如何判别出极性和三根引线？（已知扩散工艺晶体管是对合金工艺晶体管而言，因合金工艺晶体管判别三个电极无法给出充要条件，如无特别说明，本文不讨论合金工艺晶体管）□以单向可控硅和NPN晶体管为例进行比较，说明结构的区别，画出典型的剖面图；分别说明两者在扩散和光刻过程中的区别。常规掺杂浓度高了造成击穿电压降低，杂质原子多了引起R□值变小。解释为什么同样的基区注入，加强条件多推结深，R□值变小了，EB击穿电压却变高了？□给出不同注入剂量～R□的定量关系。（缺已知条件的可以假定）□某只晶体管生产过程中基区离子注入未进行，其余正常加工，问最终测试是什么现象？PNP和NPN应分别回答。□N+衬底扩散所用P型控片电阻率相差较大时，定量给出Xj测试结果的关系。□光刻引线孔时发生钻蚀，分别说明钻蚀到什么程度会对哪一个参数造成什么影响？□平面结构产品，光刻缺陷（孔或岛）在哪块版什么位置对什么参数有什么影响？□台面结构和平面结构的晶体管相比，有哪些优缺点？台面保护所用的玻璃粉主要成分是什么？玻璃粉造成沾污的主要途径有哪些？金扩散起什么作用？金元素沾污了产品会有什么后果？如何避免金沾污？玻璃粉残留在硅片表面对后续加工有什么影响?□设想一下，用光刻法涂玻璃粉应该怎么做？画出达林顿产品的内部电路结构，画出达林顿典型的版图示意图，指出电阻的位置。假定电阻阻值和集电极电流，说明单管hFE和达林顿hFE的定量关系。□用几句话描述蒸发台挡板的正确位置。通常晶体管封装形式有哪几种？对应消耗功率为多少？什么叫环境额定、管壳额定？什么叫A组试验、B组试验、C组试验？晶体管工作时会发热，为什么对结温要作出限制？理论最高结温的确定依据什么？□芯片背面金属有金有银，各有何特点？可否用同一种工艺和引线（框架）焊接？晶体管制造技术人员提高考试（续）