电子技术课件：识别与检测常用电子元器件

识别与检测常用电子元器件电子技术

电子元器件是电子技术中的基本元素。任何一种电子装置，都由这些电子元器件合理、和谐、巧妙地组合而成。特别是近年来，传统电子元器件的更新换代，新型元器件层出不穷，客观地说，不了解这些元器件的性能和规格，就难以适应当代电子技术的发展。本项目主要研究半导体二极管和晶体管及其简单测试、场效应晶体管的基本结构、工作原理、特征曲线以及主要参数。为后续课程的学习提供必要的基础知识。剖析

1.知识目标（1）半导体的基本知识；（2）二极管、晶体管的结构及主要参数；（3）使用万用表对二极管、晶体管进行检测和质量判别的方法。2.技能目标（1）会使用万用表检测二极管的质量及判断电极；（2）会使用万用表检测晶体管的质量及判断电极。目标3.素养目标（1）在信息收集阶段，能够在教师引导下完成每个任务相关理论知识的学习，并能举一反三；（2）在任务计划阶段，要总体考虑电路布局与连接规范，使电路美观实用；（3）在任务实施阶段，要首先具备健康管理能力，即注意安全用电和劳动保护，同时注重6S（整理、整顿、清扫、清洁、素养和安全）的养成和环境保护；（4）专心专注、精益求精贯穿任务完成始终，不惧失败；（5）小组成员间要做好分工协作，注重沟通和能力训练。目标识别与检测常用电子元器件任务1.1识别与检测二极管任务1.2识别与检测晶体管目录CONTENTS0102任务1.1识别与检测二极管1思考与提升任务小结任务实施方案创新任务考核任务分析知识链接任务导入任务导入我们的生活离不开电子产品，如电视机、计算机、电冰箱、空调机、手机、音响设备等，这些电子产品都是由二极管、晶体管以及其他电子元器件构成的。本任务学习识别与检测二极管。任务分析二极管是电子线路中最常用的半导体器件，它是由一个PN结加上管壳封装而成，具有单向导电性：当外加正向电压时，二极管导通；当外加反向电压时，二极管截止。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管的好坏。查阅电子元器件手册，正确选用二极管。任务1.1识别与检测二极管知识链接1.1.1半导体基本知识1.1.2晶体二极管的结构及伏安特性1.1.3二极管的应用1.1.4特殊用途的二极管任务1.1识别与检测二极管任务1.1识别与检测二极管1.1.1半导体基本知识任务1.1识别与检测二极管知识链接一、导体、绝缘体和半导体物质按其导电能力的强弱，可分为导体、绝缘体和半导体。1.导体：导电能力很强的物质。如低价元素铜、铁、铝等。2.绝缘体：导电能力很弱，基本上不导电的物质。如高价惰性气体和橡胶、陶瓷、塑料等高分子材料等。3.半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如硅、锗等四价元素。任务1.1识别与检测二极管任务1.1识别与检测二极管知识链接

半导体的最外层电子数一般为4个，在常温下存在的自由电子数介于导体和绝缘体之间，因而在常温下半导体的导电能力也是介于导体和绝缘体之间。常用的半导体材料有硅、锗、硒等。

++Si(硅原子)Ge(锗原子)1.1.1半导体基本知识任务1.1识别与检测二极管任务1.1识别与检测二极管知识链接

最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价元素，即每个原子最外层电子数为4个。硅原子和锗原子的简化模型图Si+4Ge+4因为原子呈电中性，所以简化模型图中的原子核只用带圈的+4符号表示即可。1.1.1半导体基本知识任务1.1识别与检测二极管知识链接

本征半导体原子核最外层的价电子都是4个，称为四价元素，它们排列成非常整齐的晶格结构。每一个原子均与相邻的四个原子结合，即与相邻四个原子的价电子两两组成电子对，构成共价键结构。＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4实际上半导体的晶格结构是三维的。晶格结构共价键结构1.本征半导体纯净的不含任何杂质、晶体结构排列整齐的半导体称为本征半导体。1.1.1半导体基本知识＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4从共价键晶格结构来看，每个原子外层都具有8个价电子。但价电子是相邻原子共用，所以稳定性并不能象绝缘体那样好。在游离走的价电子原位上留下一个不能移动的空位，叫空穴。

受光照或温度上升影响，共价键中价电子的热运动加剧，一些价电子会挣脱原子核的束缚游离到空间成为自由电子。

由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为本征激发。

本征激发的结果，造成了半导体内部自由电子载流子运动的产生，由此本征半导体的电中性被破坏，使失掉电子的原子变成带正电荷的离子。

由于共价键是定域的，这些带正电的离子不会移动，即不能参与导电，成为晶体中固定不动的带正电离子。＋＋＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4受光照或温度上升影响，共价键中其它一些价电子直接跳进空穴，使失电子的原子重新恢复电中性。

价电子填补空穴的现象称为复合。

参与复合的价电子又会留下一个新的空位，而这个新的空穴仍会被邻近共价键中跳出来的价电子填补上，这种价电子填补空穴的复合运动使本征半导体中又形成一种不同于本征激发下的电荷迁移，为区别于本征激发下自由电子载流子的运动，我们把价电子填补空穴的复合运动称为空穴载流子运动。

半导体与金属导体导电机理本质上的区别：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中则是由本征激发产生的自由电子和复合运动产生的空穴两种载流子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反，电流的方向为空穴运动的方向即自由电子运动的反方向。＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4

半导体内部，自由电子和空穴的运动总是共存的，且在一定温度下达到动态平衡。半导体的导电机理任务1.1识别与检测二极管任务1.1识别与检测二极管知识链接半导体具有光敏性、热敏性和掺杂性的独特性能，因此在电子技术中得到广泛应用。光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强；热敏性——受温度的影响，半导体导电能力变化很大；掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电能力极大地增强；半导体材料的独特性能是由其内部的导电机理所决定的。2.半导体的特性1.1.1半导体基本知识

在本征半导体掺入某种元素的微量杂质，将使掺杂后的杂质半导体的导电性能大大增强。+五价元素磷(P)＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4P掺入磷杂质的硅半导体晶格中，自由电子的数量大大增加。因此自由电子是这种半导体的导电主流。

在室温情况下，本征硅中的磷杂质等于10-6数量级时，电子载流子的数目将增加几十万倍。掺入五价元素的杂质半导体由于自由电子多而称为电子型半导体，也叫做N型半导体。3.杂质半导体＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4三价元素硼(B)B+掺入硼杂质的硅半导体晶格中，空穴载流子的数量大大增加。因此空穴是这种半导体的导电主流。

掺入三价元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自由电子载流子的数量而称为空穴型半导体，也叫做P型半导体。在P型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子，而不能移动的离子带负电。－任务1.1识别与检测二极管任务1.1识别与检测二极管知识链接

不论是N型半导体还是P型半导体，其中的多子和少子的移动都能形成电流。但是，由于多子的数量远大于少子的数量，因此杂质半导体的导电性能主要取决于多子浓度。多子浓度主要取决于掺杂浓度。注意：掺入杂质后虽然形成了N型或P型半导体，但整个半导体晶体仍然呈电中性。1.1.1半导体基本知识任务1.1识别与检测二极管任务1.1识别与检测二极管知识链接4.PN结及其单向导电性

PN结形成的过程中，多数载流子的扩散和少数载流子的漂移共存。开始时多子的扩散运动占优势，扩散运动的结果使PN结加宽，内电场增强；另一方面，内电场又促使了少子的漂移运动：削弱了内电场，使PN结变窄。最后，扩散运动和漂移运动达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本稳定，即PN结形成。1.1.1半导体基本知识P区N区空间电荷区变窄i外电场方向内电场方向PN结的正向偏置P区N区空间电荷区变宽外电场方向内电场方向PN结的反向偏置1.1.2晶体二极管的结构及伏安特性任务1.1识别与检测二极管知识链接箭头指向为二极管正向导通电流方向，使用二极管时，必须注意极性不能接反，否则电路非但不能正常工作，还有毁坏管子和其他元件的可能。1.半导体二极管基本结构

二极管的类型点接触型：结面积小，适用于高频检波、脉冲电路及计算机中的开关元件。外壳触丝N型锗片正极引线负极引线N型锗面接触型：结面积大，适用于低频整流器件。负极引线底座金锑合金PN结铝合金小球正极引线任务1.1识别与检测二极管知识链接1.1.2晶体二极管的结构及伏安特性任务1.1识别与检测二极管知识链接负极引线P型硅二氧化硅层PN结正极引线平面型：PN结面积可大可小，用在高频整流和开关电路中二极管的类型1.1.2晶体二极管的结构及伏安特性2.二极管的伏安特性U(V)0.500.8-50-25I(mA)204060

(

A)4020

二极管的伏安特性是指流过二极管的电流与两端所加电压的函数关系。

二极管的伏安特性呈非线性，特性曲线上大致可分为四个区：2.外加正向电压超过死区电压(硅管0.5V，锗管0.1V)时，内电场大大削弱，正向电流迅速增长，二极管进入正向导通区。硅二极管的正向导通电压约为0.7V，锗二极管的正向导通电压约为0.3V。死区正向导通区反向截止区1.当外加正向电压很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零。这一区域称之为死区。4.外加反向电压超过反向击穿电压UBR时，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，进入反向击穿区。反向击穿区3.反向截止区内反向饱和电流很小，可近似视为零值。任务1.1识别与检测二极管知识链接3.二极管的主要参数1）最大整流电流IFM：指二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。其大小由PN结的结面积和外界散热条件决定。2）最高反向工作电压URM：指二极管长期安全运行时所能承受的最大反向电压值。一般取击穿电压的一半作为最高反向工作电压值。3）反向电流IR：指二极管未击穿时的反向电流。IR值越小，二极管的单向导电性越好。反向电流随温度芙蓉变化而变化较大。4）最大工作频率fM：此值由PN结的结电容大小决定。若二极管的工作频率超过该值，则二极管的单向导电性能将变得较差。1.1.2晶体二极管的结构及伏安特性任务1.1识别与检测二极管知识链接4.二极管的识别与检测（1）二极管的型号命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用阿拉伯数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型用阿拉伯数字表示序号用汉语拼音字母表示规格号1.1.2晶体二极管的结构及伏安特性任务1.1识别与检测二极管知识链接（2）万用表检测普通二极管的极性

万用表测量二极管极性是根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，用万用表的R×100或R×1k档测量二极管的正、反向电阻。若两次阻值相差很大，说明该二极管性能良好。并根据测量电阻小的那次的表棒接法，判断出与黑表棒连接的是二极管的正极，与红表棒连接的是二极管的负极。1.1.2晶体二极管的结构及伏安特性1.1.3二极管的应用任务1.1识别与检测二极管知识链接当ui>US时，二极管导通，uo=USuitUSuoUSVD导通VD导通VD截止t当ui<US时，二极管截止，uo=uiuo=USuo=uiVD截止VD截止（1）限幅电路任务1.1识别与检测二极管知识链接1.当输入端A点电位VA<V＋，二极管VD正偏导通，若忽略二极管的管压降，VF=VA。2.当输入端A点电位VA>V＋，二极管VD反偏截止，电阻R上无电流通过，VF=V＋。VA<V＋VF=VAVA>V＋VF=V＋将电路中某点电位值钳制在一个固定数值上，而不受负荷变动影响的电路称为钳位电路。（2）钳位电路1.1.3二极管的应用【例1-1】已知二极管限幅电路中输入电压，图1-13（a）中VD1、VD2为硅管，其正向导通压降均为0.7V。试画出输出电压的波形。（a）电路图（b）波形图图1-13二极管双向限幅电路由上述分析结果可画出输出电压波形，如图1-13（b）所示。显然该电路中的二极管起到了将输出电压限幅在-0.7～+0.7V的作用。1.1.4特殊用途的二极管任务1.1识别与检测二极管I(mA)403020100-5-10-15-20(μA)0.40.8－12－8－4U(V)

稳压二极管的反向电压几乎不随反向电流的变化而变化，这就是稳压二极管的显著特性。D

稳压二极管是一种特殊的面接触型二极管，其反向击穿可逆。正向特性与普通二极管相似反向击穿特性ΔIZΔUZ1.

稳压二极管实物图图符号及文字符号

显然稳压管的伏安特性曲线比普通二极管的更加陡峭。知识链接任务1.1识别与检测二极管

为了发挥稳压管的稳压作用，在使用时要注意以下几点：1）稳压管使用时必须加反向电压即正极接低电位，负极接高电位。2）稳压管在电路中应与被稳压的负载并联连接。3）为防止稳压管反向工作电流超过最大值而过热损坏，使用时必须串联限流电阻。汽车仪表稳压电路

1.1.4

特殊用途的二极管知识链接

发光二极管是一种能把电能直接转换成光能的固体发光元件。发光二极管和普通二极管一样，管芯由PN结构成，具有单向导电性。实物图图符号和

文字符号D

发光管正常工作时应正向偏置，因发光管属于功率型器件，因此死区电压较普通二极管高，其正偏工作电压至少要在1.3V以上。2.发光二极管任务1.1识别与检测二极管1.1.4

特殊用途的二极管知识链接3.光电二极管

PN结顶部由玻璃窗口的金属材料封装或用透明树脂封装，以便于接受光的照射。在PN结受到光线照射时，可以激发产生电子空穴对，从而提高了少数载流子的浓度。无光照时，反向电流很小；有光照时，反向电流急剧增加，且光照越强，反向电流越大。任务1.1识别与检测二极管1.1.4

特殊用途的二极管知识链接任务1.1识别与检测二极管任务实施1.辨别二极管极性2.检测二极管指针式万用表测量结果记录表1-2中；数字式万用表测试结果记录表1-3中。

二极管型号万用表档位正向电阻反向电阻1N4007R×100

R×1k

2AP9R×100

R×1k

表1-2

指针式万用表测试二极管的测试结果二极管型号二极管的状态数字式万用表的显示结果1N4007正偏

反偏

2AP9正偏

反偏

表1-3

数字式万用表测试二极管的测试结果任务1.1识别与检测二极管任务实施由教师准备不同型号的二极管5只，其中有一部分是性能不正常的二极管（如短路、断路或者性能变坏），由学生运用指针式万用表进行测量，判断二极管的工作情况，并将测量结果和判断结果填入表1-4中。序号正向电阻反向电阻质量好坏档位电阻值档位电阻值好短路断路1

2

3

4

5

表1-4

二极管检测表任务1.1识别与检测二极管任务实施3.收获与总结序号掌握的技能学会的知识出现的问题处理方法1

2

3

心得体会：表1-5

收获与总结任务1.1识别与检测二极管创新方案任务1.1识别与检测二极管任务考核任务名称

姓名

组号

考核内容考核标准扣分标准自评得分组间互评得分职业素养（20分）工具摆放、着装等符合规范（2分）操作工位卫生良好，保持整洁（2分）严格遵守操作规程，不浪费原材料（4分）无元器件损坏（6分）无用电事故、无仪器损坏（6分）工具摆放不规范扣1分；着装等不符合规范扣1分；操作工位卫生等不符合要求扣2分；未按操作规程操作扣2分；浪费原材料扣2分；元器件损坏每个扣1分，扣完为止；因用电事故或操作不当而造成仪器损坏扣6分。人为故意造成用电事故、损坏元器件、损坏仪器或其他事故，本次任务计0分。

元器件识别与检测（60分）正确识别二极管和辨别极性（10分）正确填写表1-2、表1-3、表1-4检测数据（40分）正确判断二极管质量好坏（10分）不会使用仪器扣2分；元器件检测方法错误，每次扣1分；数据填写错误，每个扣1分。

团队合作（10分）主动参与，积极配合小组成员，能完成自己的任务。（5分）参与完成自己的任务，得5分；参与未完成自己的任务，得2分；未参与未完成自己的任务，得0分。

能与他人共同交流和探讨，积极思考，能提出问题，能正确评价自己和他人。（5分）交流能提出问题，正确评价自己和他人，得5分；交流未能正确评价自己和他人，得2分；未交流未评价，得0分。

创新能力（10分）能进行合理的创新。（10分）有合理创新方案或方法，得10分；在老师的帮助下有创新方案或方法，得6分；无创新方案或方法，得0分。

最终成绩

教师评分

表1-6

任务综合评价任务1.1识别与检测二极管思考与提升1．同型号的整流二极管用不同的档位测出来的电阻值

（相同/不同），说明二极管是

（线性/非线性）器件。2．观察表1-2的测试数据，无论是整流二极管还是检波二极管，在R×100或者R×1k档位，测量结果都是一次测得的电阻值

，一次测得的电阻值

。电阻小的那次二极管处于

（导通/截止）；电阻大的那次二极管处于

（导通/截止）状态。3．用数字式万用表测量整流二极管，当所测的结果为“1”时，说明二极管处于

状态，此时红表笔接二极管的

极，黑表笔接二极管的

极。任务1.1识别与检测二极管任务小结指针式万用表的红表笔接万用表内部负电源，黑表笔接万用表内部正电源。而数字万用表的红表笔接万用表内部正电源，黑表笔接万用表内部负电源。用数字万用表测量二极管时，实测的是二极管的正向电压值，而指针式万用表则测的是二极管正、反向电阻的值。二极管的极性识别半导体二极管的质量判别半导体二极管的材料判别稳压二极管的判别发光二极管的质量判别任务1.2识别与检测晶体管2思考与提升任务小结任务实施方案创新任务考核任务分析知识链接任务导入任务导入晶体管是由两个PN结所构成的三端器件，是电子线路中最常用的半导体器件之一，它是一种控制器件，具有电流放大作用，还可以作为一种无触点开关使用。是组成各种电子电路的核心器件，广泛用于电子产品中。任务分析通过对晶体管的识别与测试，了解晶体管的结构，掌握晶体管的电流分配关系及放大原理；能查阅电子元器件手册并合理选用晶体管；掌握晶体管的输入、输出特性及应用。任务1.2识别与检测晶体管知识链接1.2.1晶体管的结构1.2.2晶体管的电流放大作用1.2.3晶体管的特性曲线1.2.4晶体管的主要参数任务1.2识别与检测晶体管任务1.1识别与检测二极管1.2.1晶体管的结构任务1.2识别与检测晶体管知识链接

半导体晶体管是由两个PN结所构成的三端器件，是一种控制器件，具有电流放大作用，应用很广泛，还可以作为一种无触点开关使用。

NNP

双极型晶体管分有NPN型和PNP型，虽然它们外形各异，品种繁多，但它们的共同特征相同：都有三个分区、两个PN结和三个向外引出的电极：发射极e发射结集电结基区发射区集电区集电极c基极bNPN型PNP型PPN任务1.1识别与检测二极管1.2.1晶体管的结构任务1.2识别与检测晶体管知识链接NPN型三极管图符号大功率低频三极管小功率高频三极管中功率低频三极管

目前国内生产的双极型硅晶体管多为NPN型(3D系列)，锗晶体管多为PNP型(3A系列)，按频率高低有高频管、低频管之别；根据功率大小可分为大、中、小功率管。

ecbPNP型三极管图符号ecb注意：图中箭头方向为发射极电流的方向。1.2.2晶体管的电流放大作用任务1.2识别与检测晶体管知识链接三极管芯结构剖面图e发射极集电区N基区P发射区Nb基极c集电极三极管实现电流放大作用的内部结构条件1.发射区掺杂浓度很高，以便有足够的载流子供“发射”。2.为减少载流子在基区的复合机会，基区做得很薄，一般为几个微米，且掺杂浓度极低。3.集电区体积较大，且为了顺利收集边缘载流子，掺杂浓度介于发射极和基极之间。

双极型三极管并非是两个PN结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。becNNPUBBRBUCCRC*外部条件：发射结正偏、集电结反偏从电位的角度看：

NPN

发射结正偏

UB>UE集电结反偏

UC>UB

UC>UB

>UE

晶体管实现电流放大作用的外部条件becPPNUBBRBUCCRCPNP发射结正偏UB<UE集电结反偏

UC<UB从电位的角度看：UC<UB<UE晶体管实现电流放大作用的外部条件*外部条件：发射结正偏、集电结反偏任务1.2识别与检测晶体管知识链接1.2.3晶体管的特性曲线

所谓特性曲线是指各极电压与电流之间的关系曲线，是三极管内部载流子运动的外部表现。共射极放大电路

发射极是输入回路、输出回路的公共端1.输入特性曲线

它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。正常工作时发射结电压UBE：NPN型硅管0.7V，锗管0.3V.

2.输出特性曲线

它是指一定基极电流IB下，三极管的集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系曲线。输出特性曲线通常分三个工作区。【例1-2】一个接在电路中，正常工作于放大状态的晶体管，用万用表的直流电压档测得A、B、C3个电极对参考点的电位分别是9V、8.8V、3.6V，判断这只晶体管是什么类型（PNP、NPN）？是硅管还是锗管？三个电极各是什么电极？解：根据晶体管的工作特点，两个电压差小的电极应该是基极和发射极，当电压差为0.6V左右时为硅管，而电压差为0.2V左右时为锗管。该晶体管基极和发射极之间电压差为（9-8.8）V=0.2V，所以该晶体管应该是锗管。PNP管正常工作时发射极电位最高、基极次之、集电极最低，NPN管与其相反，集电极最高、基极次之、发射极最低。所以B电极为基极，A电极为发射极，C电极为集电极。而发射极电位最高，集电极电位最低，所以该管是PNP型。1.2.4晶体管的主要参数任务1.2识别与检测晶体管知识链接任务1.2识别与检测晶体管任务实施1.识读晶体管的型号及常见晶体管的引脚分布规律2.指针式万用表检测三极管的基极和管型：

先将万用表置于R×lk

欧姆档，将红表棒接假定的基极B，黑表棒分别与另两个极相接触，观测到指针不动(或近满偏)时，则假定的基极是正确的;且晶体管类型为NPN型（或PNP型）。PN结的单向导电性如果把红黑两表棒对调后，指针仍不动(或仍偏转)，则说明管子已经老化(或已被击穿)损坏。指针不动，说明管子反偏截止，因此为NPN型。指针偏转，说明管子正向导通，因此为PNP型。

若被测管为NPN三极管，让黑表棒接假定的集电极C，红表棒接假定的发射极E。两手分别捏住B、C两极充当基极电阻RB(两手不能相接触)。注意观察电表指针偏转的大小；

之后，再将两检测极反过来假定，仍然注意观察电表指针偏转的大小。cb

e人体电阻cbe人体电阻假定极正确假定极错误

万用表R×1k欧姆档判别发射极E和集电极C

偏转较大的假定极是正确的！偏转小的反映其放大能力下降，即集电极和发射极接反了。

如果两次检测时电阻相差不大，则说明管子的性能较差。3.数字万用表的检测型号b、e间阻值b、c间阻值c、e间阻值判断晶体管的管型、材料及好坏正向反向正向反向正向反向3DG6A

3AX31

9012

9013

由教师准备不同管型、不同封装的晶体管若干，其中有一部分是性能不正常的晶体管（如短路、断路或者性能变坏），由学生运用指针式万用表进行测量极间阻值，并将测试结果和判断结果填入表1-7中。表1-7

晶体管的识别与检测4.晶体管各极电流关系的验证表1-8晶体管各极电流测量表任务1.2识别与检测晶体管任务实施5.收获与总结序号掌握的技能学会的知识出现的问题处理方法1

2

3

心得体会：表1-9

收获与总结任务1.2识别与检测晶体管创新方案任务1.2识别与检测晶体管任务考核

根据表1-10所列评价内容和评分标准对本次任务的完成情况开展自我评价与小组评价，将评价结果填入表中。表1-10

任务综合评价任务名称

姓名

组号

考核内容考核标准扣分标准自评得分组间互评得分职业素养（20分）工具摆放、着装等符合规范（2分）操作工位卫生良好，保持整洁（2分）严格遵守操作规程，不浪费原材料（4分）无元器件损坏（6分）无用电事故无仪器损坏（6分）工具摆放不规范，扣1分；着装等不符合规范，扣1分；操作工位卫生等不符合要求，扣2分；未按操作