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文档简介
2.1二极管的开关特性
2.4分立元件门电路
2.5TTL门电路
2.6MOS门电路
2.2三极管的开关特性第二章逻辑门电路
2.3场效应管的开关特性掌握:
与门、或门、与非门、或非门、与或、非门、异或门、同或门、集电极开路与非门、三态门、传输门的逻辑符号及逻辑功能;
TTL与非门和CMOS反相器,传输特性、输入特性及输出特性;
TTL与非门的典型参数(Vth,Voff,Von,Is、IIH、Roff、Ron)。理解:TTL与非门、CMOS反相器的工作原理。了解:分立元件门电路。教学基本要求获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通、截止(即开、关)两种工作状态。逻辑0和1:电子电路中用高、低电平来表示。逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。基本和常用门电路有与门、或门、非门(反相器)、与非门、或非门、与或非门和异或门等。概述2.1二极管的开关特性二极管符号:正极负极+
uD
-Ui<0.5V时,二极管截止,iD=0。Ui>0.5V时,二极管导通。ui=0V时,二极管截止,如同开关断开。uo=0Vui=5V时,二极管导通,如同0.7V的电压源,uo=4.3V二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。2.2三极管的开关特性+-RbRc+VCCbce+-截止状态饱和状态iB≥IBSui=UIL<0.5Vuo=+VCCui=UIHuo=0.3V+-RbRc+VCCbce+-++--0.7V0.3V饱和区截止区放大区2.3场效应管的开关特性工作原理电路转移特性曲线输出特性曲线uiuiGDSRD+VDDGDSRD+VDDGDSRD+VDD截止状态ui<UTuo=+VDD导通状态ui>UTuo≈0开启电压可变电阻区截止区饱和区2.4分立元件门电路2.4.1二极管与门Y=AB2.4.2二极管或门Y=A+B2.4.3非门(三极管、场效应管)①uA=0V时,三极管截止,iB=0。iC=0,输出电压uY=VCC=5V②uA=5V时,三极管导通。基极电流为:iB>IBS,三极管工作在饱和状态。输出电压uY=UCES=0.3V。三极管临界饱和时的基极电流:①当uA=0V时,uGS=uA=0V,小于开启电压UT,MOS管截止。输出电压为uY=VDD=10V。②当uA=10V时,uGS=uA=10V,大于开启电压UT,MOS管导通,且工作在可变电阻区,导通电阻很小,只有几百欧姆。输出电压为uY≈0V。采用增强型更合适?2.5TTL门电路2.5.1TTL与非门的工作原理2.5.2TTL与非门的静态特性2.5.3TTL门电路的改进形式(略)2.5.4TTL门电路的其它类型
2.5.6TTL系列集成电路及主要参数2.5.5其它双极型门电路(自学)2.5.1TTL与非门的工作原理T1000系列与非门2.5.1TTL与非门的工作原理T2000系列与非门①输入信号不全为1:如uA=0.3V,uB=3.6V,则T1为饱和状态。3.6V0.3V1V则uB1=0.3+0.7=1V,T2、T5截止,T3、T4导通忽略iB3,输出端的电位为:输出Y为高电平uY≈5―0.7―0.7=3.6V2.5.1TTL与非门的工作原理3.6V3.6V②输入信号全为1:如uA=uB=3.6V,T1为倒置状态。2.1V则uB1=2.1V,T2、T5导通,T3、T4截止输出端的电位为:uY=UCES=0.3V输出Y为低电平2.当输入有一个或几个低电平0.3V时:拉电流输出
T2、
T5截止,T3、
T4导通,输出电压Vo=3.6V=VOH。
&ABY1.当输入全为高电平3.6V时:
T2、
T5饱和导通,输出Vo=0.3V=VOL;漏电流输出
TTL门电路各晶体管工作状态
TTL门电路各晶体管工作状态
T1T2T3D4T4输出高电平(关态)深饱和截止导通导通截止输出低电平(开态)倒置饱和截止截止饱和1.电压传输特性2.5.2TTL与非门的静态特性传输特性:TTL与非门电路的输入电压Ui和输出电压Uo之间的关系,Ui和Uo之间的关系可以通过实际测量得到。测量电路
2)重要参数(1)阈值电压
VTH=1.4V
(2)关门电平VOFF
定义:Vo=VSH=2.4V时对应的输入电平值:
VOFF=0.8V
(3)开门电平VON
定义:Vo=VSL=0.4V时
对应的输入电平值: VON=1.8V1.电压传输特性1)特性曲线ab:截止区bc:线性区cd:饱和区de:转折区输出电平规范UOHUSH=2.4VUSL=0.4Vu0输入电平规范UON0.8VuiUIH1.8VUOFFUIL噪声容限低电平噪声容限VNL=VOFF¯VSL;
高电平噪声容限VNH=VSH¯VON。VNHVNL&&&&...噪声容限低电平噪声容限VNL=VOFF¯VSL;
高电平噪声容限VNH=VSH¯VON。2.输入特性II+vI-vOILvIII1.4V-1.6mA50uA输入电压VI<VSL时,输入短路电流:IIS1.6mA;输入电压VI>VSH时,输入漏电流:IIH<50A.1)输入伏安特性IiL5VVR3Keeb1ILU≈0.3V1112IiH5VVR3Keeb1IhU>2.4V1112输入低电平电流,是Ui=UIL时的输入电流
输入高电平电流,是Ui=UIH时的输入电流
IIH是b1e1结(PN结)的反向漏电流一般为几十uA
1)输入伏安特性输入端接一个电阻到地的情况分析
5VVR4KR1.6KR130R1KVVVLVABRUA12341234DI只要UA<UOFF≈0.8V(相当于R<0.91KΩ),UA还属于低电平;当UA增大到1.4V时(相当于R>2KΩ),V2、V4导通,流过R1的电流同时被V2、V4的发射极通道分流。
UA=2.1V-0.7V=1.4V2.1V0.7V0.7V2)输入负载特性关门电阻
开门电阻多余输入端的处理
TTL门的输入端悬空等效为高电平,但实际应用时,一般不悬空,多余端接电源或并联使用。&&R<700Ω(a)
在实际使用TTL门电路时,如果要求输入接一个电阻到地,又要保证输入可靠为0逻辑,则所接电阻R应小于700Ω,若所接电阻R大于2KΩ,则输入相当于1逻辑。(b)
悬空相当于接高电平,但是悬空容易接收干扰,因此对于TTL与非门的多余输入端,或要求接1逻辑的输入端均应把输入端接电源。把一个门的输出信号送给下一级电路作输入信号,中间接有电阻R时,其阻值不应大于700Ω,否则信号不能可靠传送。
3.输出负载特性和扇出系数输出负载特性是指输出电压和输出电流的关系。扇出系数No是指门电路能驱动同类门的个数,N0由输出特性决定。
输出低电平特性和扇出系数NL
IILIILIOL5VR5VRV5VVV34D1n7400系列TTL与非门
输出低电平时:
每驱动一个门,就有一个所驱动门的输入低电平电流IIL成为该门输出低电平输出电流IOL的一部分,要保证输出门在驱动后级门时的输出保持低电平状态,流进输出门的低电平输出电流IOL是有限度的。
例:7400系列IOLmax=16mA,IIL=1mA=16由于一个门驱动后级门逻辑电路的连接形式,象一把纸扇的骨架,所以称NL为扇出系数。输出高电平特性和扇出系数NHR5VRVVV34D1nIIH1IOHmaxIIHn7400系列IOH=0.4mA,IIH=40μA,m=2,则
不同系列的N是不同的,在使用时可查阅有关手册。
扇出系数N=min{NL、NH}输出负载特性3)带负载能力扇出系数:表示一个与非门所能驱动同类门的最大个数。NO=min{NL、NH}
1)输入高电平时的输出特性0.42)输入低电平时的输出特性VOH(V)iL(mA)510152003.6123
4.动态特性输入输出trtftpd
=(tr+tf)/22)动态尖峰电流:门从导通到截止过程中出现的瞬态电流。应采取措施来避免其影响。
1)平均传输延迟时间tpd
:输出滞后输入信号的时间。
T2000系列与非门与T1000比较为了提高电路的开关速度,减小延迟时间,在电路结构上采取两个改进措施。一是在输出级采用了达林顿结构,T3,T4复合管取代了原来的T3,D4;二是将所有电阻的阻值普通降低了将近一倍。采用达林顿结构进一步减小了电路的输出电阻,从而提高了带拉电流负载的能力,加速对负载电容的充电速度。所以电阻值的减小,大大提高了三极管的开关速度。因此,T2000系列与非门的平均延迟时间约为T1000系列与非门的1/2,达6ns左右。减小电阻值的不利影响是增加了电路的静态功耗。T2000系列门电路的电源平均电流约为T1000系列门的电路的两倍。可见T2000系列工作速度的提高是用增加功耗的代价换取的。性能较好的理想门电路应该是工作速度快、功耗小。因此,通常用功耗和传输延迟时间的乘积(简称功耗延迟积或pd积)来评价门电路的性能优劣。T1000系列和T2000系列的pd积差不多少。
2.5.3TTL门电路的改进形式(自学)T3000系列(CT54S/74S系列)T1000系列和T2000系列都属于饱和型的逻辑门,即电路中的几只晶体管在导通时几乎都处于饱和状态。三极管工作在深度饱和是产生延迟时间的主要原因。倘若能使三极管避免进入饱和状态,那么延迟时间将能大幅度减小。T3000系列采用了抗饱和电路,从而提高了工作速度。又称肖特基TTL门,其平均延迟时间大约3ns,静态平均功耗约为19mW,它的pd积较T1000及T2000系列有了改善。
T4000系列(CT54LS/74LS系列)T4000系列又称低功耗肖特基系列。各电阻的阻值较大,因而功耗较低,约为2mW。低功耗肖特基TTL门的传输延时约9ns,功耗为2mW,pd积较小为18pJ(皮焦),低功耗肖特基TTL电路是目前应用较广泛的一种电路。
TTL门电路中,有与门、或门、与或非门、异或门、集电极开路与非门、三态门等。
各门电路虽然功能不同,但输入、输出电路结构与与非门相同,所以TTL与非门的电气特性同样适用于这些门电路。2.5.4TTL门电路的其它类型
Y=A+B1.或非门
一般的与非门不能实现线与(输出端直接相连实现与)
2.集电极开路与非门(OC-opencollector)一般与非门线与的危害&ABF新逻辑符号用OC门实现“线与”功能UCC&F1FF=F1F2F3RLABCDEF&F1&F1F1=ABF2=CDF3=EFF=ABCDEF上拉电阻RL的计算
RLmin
<RL<RLmax
OC门均为高电平输出设n为OC门并联个数;m为负载门的总输入端数;RLmin
,
RLmax分别为最小和最大上拉电阻:OC门一个导通,其余截止1
1)电路结构及逻辑符号
3.三态TTL门集电极开路与非门可以线与,但限制了开关速度的提高;带负载能力下降。三态非门1①E=0时,二极管D导通,T2基极和T3基极均被钳制在低电平,因而T2~T5均截止,输出端开路,电路处于高阻状态。结论:电路的输出有高阻态、高电平和低电平3种状态。②E=1时,二极管D截止,TSL门的输出状态取决于输入信号A的状态,电路输出与输入的逻辑关系和一般反相器相同,即:Y=A,A=0时Y=1,为高电平;A=1时Y=0,为低电平。2)工作原理E=0,输出为高阻态(EN称为使能端)E=1,输出EN控制为高电平有效图(b)X=0,Y=ABX=1,输出为高阻态。图(a)X=0,Y=ABX=1,输出为高阻态;三态与非门(低电平有效控制)旧符号
2.5.5其它双极型门电路(自学)注意: 几个三态门输出并联时,必须保证同一时间只有一个三态门导通。图示电路正常工作的条件:
X1X2=0三态与非门(高电平有效控制)旧符号3)应用同一母线上传递几个不同的信号。③构成数据总线:令各门的控制端轮流处于低电平,即任何时刻只让一个TSL门处于工作状态,而其余TSL门均处于高阻状态,这样总线就会轮流接受各TSL门的输出。②信号双向传输:E=0时信号向右传送,B=A;E=1时信号向左传送,A=B。①多路开关:E=0时,门G1使能,G2禁止,Y=A;E=1时,门G2使能,G1禁止,Y=B。三态非门(低电平有效控制)2.5.6TTL系列集成电路及主要参数1.TTL系列集成电路①74:标准系列,前面介绍的TTL门电路都属于74系列,其典型电路与非门的平均传输时间tpd=10ns,平均功耗P=10mW。②74H:高速系列,是在74系列基础上改进得到的,其典型电路与非门的平均传输时间tpd=6ns,平均功耗P=22mW。③74S:肖特基系列,是在74H系列基础上改进得到的,其典型电路与非门的平均传输时间tpd=3ns,平均功耗P=19mW。④74LS:低功耗肖特基系列,是在74S系列基础上改进得到的,其典型电路与非门的平均传输时间tpd=9ns,平均功耗P=2mW。74LS系列产品具有极佳的综合性能,是TTL集成电路的主流,是应用最广的系列。1)与非门2.常见集成门电路74LS00:4个2输入与非门;74LS20:2个4输入与非门①A=0时,T2、T5截止,T3、T4导通,Y=1。②A=1时,T2、T5导通,T3、T4截止,Y=0。2)
非门①A、B中只要有一个为1,如A=1,iB1经过T1集电结流入T2基极,使T2、T5饱和导通,输出低电平,Y=0。②A=B=0时,iB1、i'B1均分别流入T1、T'1发射极,使T2、T'2、T5均截止,T3、T4导通,输出高电平,Y=1。3)
或非门①A和B都为高电平(T2导通),或C和D都为高电平(T’2导通)时,T5饱和导通、T4截止,输出Y=0。②A和B不全为高电平,并且C和D也不全为高电平(T2和T’2同时截止)时,T5截止、T4饱和导通,输出Y=1。4)
与或非门与门Y=AB=AB或门Y=A+B=A+B异或门门电路之间的转换3.TTL与非门的主要参数(1)输出高电平UOH:TTL与非门的一个或几个输入为低电平时的输出电平。产品规范值UOH≥2.4V,标准高电平USH=2.4V。(2)高电平输出电流IOH:输出为高电平时,提供给外接负载的最大输出电流,超过此值会使输出高电平下降。IOH表示电路的拉电流负载能力。(3)输出低电平UOL:TTL与非门的输入全为高电平时的输出电平。产品规范值UOL≤0.4V,标准低电平USL=0.4V。(4)低电平输出电流IOL:输出为低电平时,外接负载的最大输出电流,超过此值会使输出低电平上升。IOL表示电路的灌电流负载能力。(5)扇出系数NO:指一个门电路能带同类门的最大数目,它表示门电路的带负载能力。一般TTL门电路NO≥8,功率驱动门的NO可达25。(6)最大工作频率fmax:超过此频率,电路就不能正常工作。(7)输入开门电平UON:是在额定负载下使与非门的输出电平达到标准低电平USL的输入电平。它表示使与非门开通的最小输入电平。一般TTL门电路的UON≈1.8V。(8)输入关门电平UOFF:额定负载下使与非门的输出电平达到标准高电平USH的输入电平。它表示使与非门关断所需的最大输入电平。一般TTL门电路的UOFF≈0.8V。(9)高电平输入电流IIH:输入为高电平时的输入电流,也即当前级输出为高电平时,本级输入电路造成的前级拉电流。(10)低电平输入电流IIL:输入为低电平时的输出电流,也即当前级输出为低电平时,本级输入电路造成的前级灌电流。(11)平均传输时间tpd:信号通过与非门时所需的平均延迟时间。在工作频率较高的数字电路中,信号经过多级传输后造成的时间延迟,会影响电路的逻辑功能。(12)空载功耗:与非门空载时电源总电流ICC与电源电压VCC的乘积。2.TTL与非门的主要参数
2.6MOS门电路
2.6.1NMOS门电路
2.6.2CMOS反相器
2.6.3CMOS门电路
2.6.4CMOS数字电路的特点输出低电平1.NMOS非门2.6.1NMOS门电路逻辑关系:(设两管的开启电压为VT1=VT2=4V,且gm1>>gm2)(1)当输入Vi为高电平8V时,T1导通,T2也导通。因为gm1>>gm2,所以两管的导通电阻RDS1<<RDS2,输出电压为:
简化电路(2)当输入Vi为低电平0V时,2.NMOS与门电路
T1截止,T2导通。
VO=VDD-VT=8V=VOH
,即输出为高电平。电路实现非逻辑。0101BLA0011输入1110输出
与非真值表3.NMOS或非门电路0101BLA0011输入1000输出
或非真值表2.6.2CMOS反相器(非门)(1)uA=0V时,TN截止,TP导通。输出电压uY=VDD=10V。(2)uA=10V时,TN导通,TP截止。输出电压uY=0V。1.工作原理采用增强型更合适?C:互补complementary由N沟道MOSFET和P沟道MOSFET互补而成。(1)当Vi<2V,TN截止,TP导通,Vo≈VDD=10V。
2.电压传输特性:CMOS门电路的阈值电压Vth=VDD/2(设:VDD=10V,VTN=|VTP|=2V)(2)当2V<Vi<5V,TN工作在饱和区,TP工作在可变电阻区。
(3)当Vi=5V,两管都工作在饱和区,
Vo=(VDD/2)=5V。(4)当5V<Vi<8V,
TP工作在饱和区,
TN工作在可变电阻区。(5)当Vi>8V,TP截止,
TN导通,Vo=0V。
3.工作速度由于CMOS非门电路工作时总有一个管子导通,所以当带电容负载时,给电容充电和放电都比较快。CMOS非门的平均传输延迟时间约为10ns。1.与非门①A、B当中有一个或全为低电平时,TN1、TN2中有一个或全部截止,TP1、TP2中有一个或全部导通,输出Y为高电平。②只有当输入A、B全为高电平时,TN1和TN2才会都导通,TP1和TP2才会都截止,输出Y才会为低电平。2.6.3CMOS门电路2.或非门①只要输入A、B当中有一个或全为高电平,TP1、TP2中有一个或全部截止,TN1、TN2中有一个或全部导通,输出Y为低电平。②只有当A、B全为低电平时,TP1和TP2才会都导通,TN1和TN2才会都截止,输出Y才会为高电平。简化电路---与非门、或非门与门Y=AB=AB或门Y=A+B=A+B与或非门3.传输门②C=1、,即C端为高电平(+VDD)、端为低电平(0V)时,TN和TP都具备了导通条件,输入和输出之间相当于开关接通一样,uo=ui。①C=0、,即C端为低电平(0V)、端为高电平(+VDD)时,TN和TP都不具备开启条件而截止,输入和输出之间相当于开关断开一样。4.异或门VDDB=0,均截止,传输门导通,综合上述两种情况有:B=1,TG截止,
构成CMOS反相器。旧符号5.OD门6.TSL门①E=1时,TP2、TN2均截止,Y与地和电源都断开了,输出端呈现为高阻态。②E=0时,TP2、TN2均导通,TP1、TN1构成反相器。电路的输出有高阻态、高电平和低电平3种状态,是一种三态门。
,传输门截止输出为高阻态;
传输门导通此为低电平有效的三态门。2.6.4CMOS数字电路的参数及特点(1)通常,CMOS电路的工作速度比TTL电路的略低。(2)CMOS带负载能力比TTL电路强。(3)CMOS电路的电源电压允许范围较大,约在3~18V,抗干扰能力比TTL电路强。(4)CMOS电路的功耗比TTL电路小得多。门电路的功耗只有几个μW,中规模集成电路的功耗也不会超过100μW。(5)CMOS集成电路的集成度比TTL电路高。(6)CMOS电路适合于特殊环境下工作。(7)CMOS电路容易受静电感应而击穿,在使用和存放时应注意静电屏蔽,焊接时电烙铁应接地良好,尤其是CMOS电路多余不用的输入端不能悬空,应根据需要接地或接高电平。1.特点1)CMOS逻辑门电路的系列基本的CMOS——4000系列。高速的CMOS——HC系列。与TTL兼容的高速CMOS——HCT系列。2)CMOS逻辑门电路主要参数的特点VOH(min)=0.9VDD;VOL(max)=0.01VDD。所以CMOS门电路的逻辑摆幅(即高低电平之差)较大。阈值电压Vth约为VDD/2。CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD,开门电平VON为0.55VDD。因此,其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。CMOS电路的功耗很小,一般小于1mW/门;因CMOS电路有极高的输入阻抗,故其扇出系数很大,可达50。2.CMOS逻辑门电路的系列及主要参数3.使用集成电路时的注意事项(1)对于各种集成电路,使用时一定要在推荐的工作条件范围内,否则将导致性能下降或损坏器件。(2)数字集成电路中多余的输入端在不改变逻辑关系的前提下可以并联起来使用,也可根据逻辑关系的要求接地或接高电平。TTL电路多余的输入端悬空表示输入为高电平;CMOS电路多余的输入端不允许悬空,否则电路将不能正常工作。(3)TTL电路和CMOS电路之间一般不能直接连接,而需利用接口电路进行电平转换或电流变换才可进行连接,使前级器件的输出电平及电流满足后级器件对输入电平及电流的要求,并不得对器件造成损害。TTL输入电平规范UON0.8VuiUIH1.8VUOFFUIL补充:TTL与CMOS对比CMOS输入电平规范uiUIHUILUDD0TTL输出电平规范UOH2.4V0.4Vu0CMOS输出电平规范UOHUDD0Vu0补充:TTL与CMOS对比一、TTL与CMOS器件之间的接口问题
两种不同类型的集成电路相互连接,驱动门必须要为负载门提供符合要求的高低电平和足够的输入电流,即要满足下列条件:
驱动门的VOH(min)≥负载门的VIH(min)驱动门的VOL(max)≤负载门的VIL(max)驱动门的IOH(max)≥负载门的IIH(总)驱动门的IOL(max)≥负载门的IIL(总)补充:集成逻辑门电路的应用
(b)用TTL门电路驱动5V低电流继电器,其中二极管D作保护,用以防止过电压。二、TTL和CMOS电路带负载时的接口问题1.对于电流较小、电平能够匹配的负载可以直接驱动。(a)用TTL门电路驱动发光二极管LED,这时只要在电路中串接一个约几百W的限流电阻即可。2.带大电流负载(a)可将同一芯片上的多个门并联作为驱动器。(b)也可在门电路输出端接三极管,以提高负载能力。(2)对于或非门及或门,多余输入端应接低电平,比如直接接地;也可以与有用的输入端并联使用。三、多余输入端的处理
(1)对于与非门及与门,多余输入端应接高电平。如直接接电源正端,在前级驱动能力允许时,也可以与有用的输入端并联使用。3.一端消去或加上小圆圈,同时将相应变量取反,其逻辑关系不变。2.任一条线一端上的小圆圈移到另一端,其逻辑关系不变。混合逻辑中逻辑符号的变换1.逻辑图中任一条线的两端同时加上或消去小圆圈,其逻辑关系不变。小结1.最简单的门电路是二极管与门、或门和三极管非门。它们是集成逻辑门电路的基础。
2.数字集成电路主要有两大类:1)TTL集成电路,由NPN型三极管组成;2)MOS集成电路,由MOSFET构成。
3.TTL门电路的输入级采用多发射极三极管、输出级采用达林顿结构,这不仅提高了门电路的开关速度,也使电路有较强的驱动负载的能力。在TTL系列中含有实现各种基本逻辑功能的门电路,还有集电极开路门和三态门。
4.MOS集成电路常见为CMOS门电路。与TTL门电路相比,它的优点是功耗低,扇出系数大,噪声容限大,开关速度与TTL接近,已成为数字集成电路的发展方向。
5.为了更好地使用数字集成芯片,应熟悉TTL和CMOS各个系列产品的外部电气特性及主要参数,还应能正确处理多余输入端,能正确解决不同类型电路间的接口问题及抗干扰问题。国产半导体集成电路型号命名方法(国家标准GB3430-82)
第0部分第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示器件符合国家标准用字母表示器件的类型用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号用字母表示器件的工作温度范围用字母表示器件的封装符号及意义符号及意义符号及意义符号及意义符号及意义C中国制造T:TTLH:HTLE:ECLC:CMOSF:线性放大器D:音响、视频电路W:稳压器J:接口电路B:非线性电路M:存储器U:微型机电路
C:0~70℃E:-40~35℃R:-55~35℃M:-55~125℃W陶瓷扁平B塑料扁平F全密封扁平D陶瓷直插P塑料直插J黑陶瓷直插K金属菱形T金属圆形示例:(1)肖特基TTL双4输入与非门(2)CMOS8选一数据选择器(3)通用型运算放大器国产TTL产品系列及国外TTL电路型号含义1.国产TTL产品系列TTL集成电路是数字集成电路中的主要品种之一,产量和应用面均名列前茅。目前国内各生产厂大都参照美国Texas(德克萨斯)公司生产的SN54/74系列产品作为TTL电路的通用系列品种。SN54/74系列各品种的主要特性如附表V-1所示。(1)T000系列这是参考Texas的SN74系列标准,结合我国实际情况而设计的产品。其中有些品种(如与或非门、JK触发器及十进制计数器等)的引脚排列与SN74系列不一致,因此二者不能完全互换。该产品由于工艺关系,通用性较差,目前已不再发展。(2)T1000系列T1000系列是中速TTL系列,也称STD-TTL(标准TTL)系列。该系列品种的电路结构性能指标及引脚排列等都是仿照SN54/74系列的,因此可以和SN54/74相应集成电路直接互换使用。例如8输入端单与非门T1030与SN7430相,两者可互换。T-1000系列产品的tpd为10ns左右,噪声容限不高,一般适用与对速度和抗干扰要求不高的电子设备中。附表V-1SN54/74系列各品种主要特性参数参数名称SN74SN74SSN74HSN74LS电源电压(V)5555逻辑”1”输入/输出电压(V)2/2.42/2.72/2.42/2.7
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