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文档简介

《金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法》编制说明（征求意见稿）延材料的研发、生产和应用过程中产品质量的统根据《国家标准化管理委员会关于下达2024年第一批推荐性国家标准计划1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半导体所区两个院级低维半导体光电子材料、器件与集成2）高温及高迁移率微电子材2024年4月-5月，中国科学院半导体研究所联络德州学院等并确定标准起2024年6月，召开内部启动会，明确标准编制的任务分工，确定标准编制（1.1）若样品为标准的矩形，则其测试区域即为该矩形扣掉边缘不规则的（1.2）若样品为类矩形，则其测试区域为样品上的最大内接矩形扣掉边缘（1.3）若样品为标准的圆形，则其测试区域即为该圆形扣掉边缘不规则的（1.4）若样品为类圆形，则其测试区域为最大内接圆形扣掉边缘不规则的表1不同条件下的点位间隔距离矩形长度条件（a或b）x轴y轴≤4mm0.25mm0.25mm>4mm&≤6mm0.5mm0.5mm>6mm&≤8mm0.75mm0.75mm>8mm&≤10mm1.0mm1.0mm>10mm&≤15mm1.5mm1.5mm>15mm2.0mm2.0mm图1测试区域为矩形的测试点位阵列示意图表2不同条件下的点位间隔距离圆形直径条件（2r）x轴y轴≤4mm0.25mm0.25mm>4mm&≤6mm0.5mm0.5mm>6mm&≤8mm0.75mm0.75mm>8mm&≤10mm1.0mm1.0mm>10mm&≤15mm1.5mm1.5mm>15mm2.0mm2.0mm图2测试区域为圆形的测试点位阵列示意图图3金刚石单晶抛光片位错刻蚀坑形貌图Nd—平均位错密度，个/cm2；n—测量点的最大数目；Ni—第i个测量点的位错数目；S—一个测量点观察视场面

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