DB51T 3238-2024基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则_第1页
DB51T 3238-2024基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则_第2页
DB51T 3238-2024基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则_第3页
DB51T 3238-2024基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则_第4页
DB51T 3238-2024基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则_第5页
已阅读5页，还剩6页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

DB51 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的本文件由四川省经济和信息化厅提出、归口、解释并组基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则GB/T2297太阳光伏能源GB/T6495.1光伏器件第1部分：光伏电流—电压Electroluminescenceimagingofcrystallinesiliconsolarcells）TOPCon太阳电池tunneloxidepass4缩略语PECVD：等离子体增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposi5.1.2厚度5.1.4氧含量5.1.5碳含量PECVD制备超薄氧化硅层及N型掺杂多PECVD工艺路线制备TOPCon太阳电池流程宜符6.2.1使用体积浓度为0.5%～5%的氢氧化钠（NaOH）或氢氧化将6.2后的N型单晶硅片置于800℃~1080℃的高温下进行扩散，在正面形成方阻为300Ω/sq～600使用体积浓度为5%～50%氢氟酸溶液对N型单晶硅片背面进行清洗，去除6.3过程中在背面及边缘使用体积浓度为0.5%～5%的NaOH或KOH溶液对N型单晶硅片背面进行刻蚀抛光，去除6.3过程中在压强159.99Pa～319.97Pa（1200mTorr～2400mTorr）和温度400℃~450℃的条件下，通入N2O气体，在N型单晶硅片背面制备厚度为1nm～3nm的超PH3和H2气体，在N型单晶硅片背面沉积形成厚度为80nm～120nm的N型掺杂在800℃~950℃的温度条件下进行退火处理，将通过PECVD制备的N型掺杂非晶硅层转化为N型掺杂多晶硅层，实现磷原子的有效掺杂，在背面形成方阻为20Ω/sq～60Ω/sq的N型掺杂多晶硅层，并同使用体积浓度为5%～50%的氢氟酸溶液对N型单晶硅片进行清洗，去除6.5和6.6过程中在正面及边6.7.2.2使用体积浓度为0.5%～5%的氢氟酸溶液对N在N型单晶硅片正面和背面分别沉积厚度为65nm～120nm的氮利用丝网印刷技术，分别在电池片正面和背面印刷金属浆料，并通过700℃~800℃高温下形成正按照GB/T6495.1

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论