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文档简介

练习一

结点参数分析

练习二

直流扫描分析

练习三

工作点分析

练习四

参数分析练习一

结点参数分析实训内容如图16-1所示电路,试求N1结点处的电压。操作提示(1)新建项目工程,添加原理图文件,绘制电路原理图,并放置网络标签N1。放置直流电压源。在SimulationSources.IntLib库中找到VSRC,双击放置,按下Tab键打开如图16-2所示的元件属性对话框,在“General”选项区域设置元件标号及参数,如图16-2(a)所示。单击“Parameters”选项卡,在“Parameters”区域下列参数表中找到“Value”,在其后面输入“5V”,如图16-2(b)所示。(2)求取N1点的电压,使用工作点分析。①

执行菜单命令“设计”→“仿真”→“MixedSim”,弹出如图16-3所示的参数分析设置对话框,在此进行仿真设置。②

在“AvailableSignals”中选中N1将其激活,如图16-3右边“ActiveSignals”选项框中所示。③

参数分析选择“OperatingPointAnalysis”项,在后面的选项框里打钩,其余不选,单击【OK】按钮,即得如图16-4所示的仿真结果。仿真文件的扩展名是“.sdf”。练习二

直流扫描分析实训内容对本实训练习一中的电路图进行直流扫描分析(DCSweepAnalysis)。求当直流电压源的电压从1V变化到15V时N1点的电压变化曲线。

操作提示(1)打开原理图文件。(2)执行菜单命令“设计”→“仿真”→“MixedSim”,在图16-3选中“DCSweepAnalysis”选项框。(3) DCSweepAnalyses设置。如图16-5所示,在“PrimarySource”右侧选中“V1”,在“PrimaryStart”右侧的“Value”中输入“1.000”,在“PrimaryStop”右侧的“Value”中输入“15.00”,在“PrimaryStep”右侧的“Value”中输入“1.000”。单击【OK】按钮,即得到如图16-6所示的仿真分析结果。练习三

析实训内容试求图16-7所示电路的静态工作点和当温度在0~100℃变化时的晶体管集电极电压。操作提示1.求静态工作点使用工作点分析(OperatingPointAnalysis)求静态工作点的操作步骤如下:(1)在项目工程中添加新的原理图文件,绘制如图16-7所示的晶体管集电极电压分析电路。(2)执行菜单命令“设计”→“仿真”→“MixedSim”,在图16-8的“GeneralSetup”选项卡中选择“Q1[ib]”“Q1[ic]”“Q1[ie]”“VB”“VC”“VE”并将其激活,选中“OperatingPointAnalysis”。(3)单击图16-8中的【OK】按钮,完成静态工作分析,如图16-9所示。图中显示电路中各结点电压及支路电流。2.温度扫描(1)返回图16-8中,并同时选中“OperatingPointAnalysis”和“TemperatureSweep”选项,并设置扫描参数,如图16-10所示。(2)单击图16-10中的【OK】按钮,完成温度扫描分析,其结果如图16-11所示。从图中可以看出每一步温度扫描引起的静态工作点的变化。例如:晶体管集电极VC的电压在温度为100℃时,其值是6.433V。注意:温度扫描必须和瞬态、交流、噪声、直流、传递函数、静态工作点分析中的一种共同分析才能完成。练习四

析实训内容使用参数分析,求图16-7所示电路的集电极电阻R3为1kΩ、2kΩ、3kΩ、4kΩ、5kΩ、6kΩ时的集电极电压。

操作提示(1)在图16-8所示的【GeneralSetup】选项下,激活VC,并选中“OperatingPointAnalysis”“DCSweepAnalysis”和“ParameterSweep”选项。(2)进行参数分析设置。在“ParameterSweep”选项卡中选择R3,设置“PrimaryStartValue”为“1.000k”,“PrimaryStopValue”为“6.000k”,“PrimaryStepValue”为“1.000k”,如图16-12所示。(3)单击【OK】按钮,其分析结果如图16-13所示。(4)直流分析设置。选中“DCSweepAnalysis”选项,在“PrimarySource”中选中“V1”,“PrimaryStart”右侧的“Value”中输入“0.000”,“PrimaryStop”右侧的“Value”中输入“12.00”,“PrimaryStep”右侧的“Value”中输入“1.000”,如图16

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