2022年东微半导产业链及业务布局分析

动型半导体企业，主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS和FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、以及TGBT系列IGBT产品。截至2021年末，公司共计拥有产品规格型号1790余款，其中高压超级结MOSFET产品(包括超级硅MOSFET)1100款，中低压SGT产品641款，IGBT产品52款。电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、储能用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充工业电源领域，公司终端用户如客户A、中国长城、麦格米特、高斯宝电气、金升阳、深圳雷能、广州视琨、易事特、日月元、金威源等；新能源汽车充电桩领域终端用户如英可瑞、站电源及通信电源领域的终端用户如客户A、维谛了大功率显示电源领域的终端用户如视源股份、美的集团、创用需要。超级结MOSFET兼具高耐压特性和低电阻特性小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的节业收入《亿元)节业收入《亿元)yoy97310头荣@皆是公司销售模式以经销为主，占比超过60%。公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户，2021年公司前五大客户占比为28.93%。公司采用Fabless经营模式，不直接从事芯片的生产和加工环节，华虹半导体为主要晶圆代工厂。2018-2021年公司营业收入从1.53亿元增长至7.82亿元，CAGR为72.30%,归母净利润从0.13亿元增长至1.47亿元，CAGR为124.55%。2022Q1公司保持高速发展态势，一季度营收、归母净利润规模分别为2.06和0.48亿元，同比增长45.50%和129.98%。2021年公司销售毛利率提升至28.72%,同比增加10.87个百分点，22Q1进一步提升至32.93%,创历史新高，持续受益于下游工业级、车规级应用领域高景气，公司产品结构持续优化、终端产品定价及成本管理能力进一步提升。公司大功率产品比重持续提升，成品售价进一步提高，根据招股说明书、2021年度报告数据统计，公司2020年度、2021年度成品平均售价分别为2.09元、2.38元，高于功率半导体器件行业平均水平。公司产品以高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET以及TGBT系列IGBT产品为主，2021年公司产品结构进一步优化。2021年度，公司高压超级结MOSFET产品全年实现营业收入56,856.56万元，同比增长128.27%;中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入20,569.47万元，同比增长246.85%;超级硅MOSFET产品全年实现营业收入214.99万元，同比增长432.63%;Tri-gateIGBT产品首次量产出货，全年实现营业收入568.17万元。按应用领域分类，2021年公司汽车及工业级应用领域营业收入占比超过60%,预计2022年Q1上述领域营业收入占比超过70%。公司重点应用领域为新能源汽车充电桩、各类工业及通信电源、光伏逆变器、车载充电机，其中，新能源汽车充电桩营收同比增长约190%、各类工业及通信电源营收同比增长逾140%、光伏逆变器营收同比增长逾200%、车载充电机的营收约为上年同期的10倍，保持高速增长态势。图5:公司各产品收入占比201820192022年2月10日，公司在科创板上市，募集资金净额20.07亿元，将用于超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业股比例分别为12.07%和9.96%,两位联合创始人均曾在英飞凌等全球领先的半导体企业技术研发岗任职，在功率半导体领域拥有着国际一流的视野与技术创新能力。公司其他主要股东中，聚源聚芯持股比例为7.46%,其合伙人包括国家集成电路产业投资基金和中芯国际，哈勃投资持股比例为4.94%,其由华为投资控股有限公司持有100%的股权。2.东微半导下游为高景气领域，好赛道!国内MOSFET厂商下游应用以工控和家电为主，而公司下游主要为汽车、工业、通信等领域，2021年公司汽车及工业级应用收入占比超过60%,22Q1占比进一步提升，下游景气度高，推动公司业绩持续向好。本节我们将针对新能源汽车、新能源汽车充电桩、光伏风电和5G基站四个领域对产业器件是最主要是增量所在。根据英飞凌的数据，从传统燃油车发展到纯电动汽车，汽车半导体BOM成本将从490美元上升至950美元，其中功率半导体增量约460美元，增量的功率半导体部分75%来自逆变器、25%来自OBC、DCDC、BMS图22:中国新能源汽车销量中国新能源汽车销量(万辆)中国新能源汽车销量(万辆)400-300-250-200-0我国新能源汽车正处于快速发展的初期，2014-2021年新能源汽车销量从7.5万辆提升至352.1万辆，CAGR为73.30%,2022Q1我国新能源汽车销量为125.7万辆，同比增长超140%,渗透率达19.3%,较2021年13.4%的渗透率提高5.9pct。作为新能源车的基础设施，我国充电桩数量保持快速增长趋势，根据中国电动汽车充电基础设施促进联盟的数据，截至2022年3月，国内充电桩保有量为123.18万个，2022年前三月我国新增充电桩数量为8.5万个，同比增长接近100%。直流充电桩采用的功率器件以高压MOSFET为主，超级结MOSFET凭借更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件，具体应用于充电桩的功率因数校正、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。③光伏储能逆变器：MOSFET、IGBT等也大量应用在太阳能光伏逆变器，逆变器旨在通过整流、逆变原理将不稳定的太阳能变换成为电压、频率符合并网要求的电能。根据英飞凌的数据，风力发电与太阳能光伏每GW发电量所需要的功率半导体是传统发电方式的数倍。CPIA数据显示，2020年全球光伏新增装机量为130GW,乐观预测到2025年全球光伏新增装机量将达到330GW,2020-2025年CAGR为20.48%。根据国家能源局的数据，2021年我国光伏新增装机量为54.88GW,同比提高图23:2021年中国新能源汽车销量占比图23:2021年中国新能源汽车销量占比头舜@蓄是④5G基站：5G基站带来更多的电源供应需求。根据华为官网公布的数据显示，4G基站所需功率为6.88kW,而5G基站所需功率为11.58kW,提升幅度达到68%,对于多通道基站，功率要求甚至可能达到20kW。此外，5G通信频谱分布在高频段，信号衰减更快，覆盖能力大幅减弱，因此相比于4G,通信信号覆盖相同的区域，5G基站的数量将大幅增加。根据工信部的数据，截至2021年底，我国累计建成并开通5G基站142.5万个，全年新增5G基站数达到65.4万个，预计2022年我国将新建5G基站超过60万座。更大的功率要求、更高的覆盖密度将使得5G基站对MOSFET等功率器件产生更大的需求。MassiveMIMO技术的采用使得基站射频端需要4倍于原来的功率半导体。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个，根据英飞凌的数据，MIMO天线系统所需的功率半导体价值量将从3G/4G时代的25美元左右上升到5G时代的100美元左右。3.东微半导进军IGBT,2021年初步取得突破Tri-gate结构IGBT器件设计及其工艺技术主要为使用具有独立知识产权的创新性结构以实现IGBT性能的提升，具体包括载流子控制技术、原胞功率调制技术以及独创的器件结构等。载流子控制技术优化了IGBT器件在导通时的内部载流子分布；原胞功率调制技术使器件在大功率开关过程中的功率分布更加均匀，避免了局部电压电流过大而导致的器件失效，使得器件具有更高的工作稳定性；独创的器件结构产品的电场调制能力，提高了耐压性以及载流子浓度，因此2021年公司基于自主专利技术的650V、1200V及1350V新一代IGBT器件技术TGBT研发成功并实现量产出货。2021年TGBT出货72.43万颗，实现销售额568.17万元。第一代650VTGBT芯片的电流密度超过400A/cm2,达到国际主流第七代IGBT技术水平；同时，公司第二代TGBT技术开发顺利进行。公司基于12英寸先进工艺制程的IGBT技术开发顺利进行。图25:我国新能源汽车公共充电桩数量保持快速增长趋势p660应用客户有汇川技术、视源股份等。分高端车型采用SiC方案以及部分低端A00车采用MOS方案，预计至2025年国内新能源乘用车对应IGBT市场需求在162亿元，2022-2025年CAGR为25%;2025年SiC导体需求在59亿元，2022-2025年CAGR为42%;2025年部分低端A00车对MOS需求在7亿元。除了TGBT的成功量产，公司2021年布局第三代功率半导体器件如采用公司独创技术的高性能高可靠性第三代半导体MOSFET器件，申请多项第三代半导体相关专利，产品开发顺利进行。此系列产品将与超高速系列TGBT互为补充，对采用传统技术路线的SiCMOSFET进行替代。根据CPIA的预测，预计2025年全球光伏逆变器新增装机量330GW,每GW对应IGBT的价值量约为0.3亿元，则至2025年全球光伏IGBT市场规模约100亿元。4.东微半导：超级结国内龙头，专注于工业级、车规级应用公司的高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，拥有1100种的产品型号规格(包括超级硅MOSFET),是该领域规格较完整的国内厂商之一。公司的高压MOSFET产品全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势，产品的关键技术指标达到了与■金球光伏新增梁积容量(üWS头荣@暂是头荣@暂是2公—02021年公司继续扩展第三代GreenMOS高压超级结技术平台的产品规格，在多个核心领域持续批量供货，第四代GreenMOS高压超级结技术也研发成功，预计2022年开始批量供货。公司基于深沟槽超级结技术的中低压超级结MOSFET技术开发顺利进行，1000V以上高压超级结MOSFET技术工程开发成功，具备量产能力。此外，公司基于12英寸先进工艺制程的高压超级结MOSFET技术大规模稳定量产，基于12英寸制程的下一代超级结MOSFET技术开发顺利进行。公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列，公司的中低压MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先水平。2021年，公司多个电压平台的屏蔽栅MOSFET已经在12寸产线实现量产。2021年公司25V-30V低压超高速屏蔽栅MOSFET(SGTMOSFET)开发成功并开始量产，为拓展数据中心电源服务器CPU供电芯片打下基础，150V屏蔽栅MOSFET(SGTMOSFET)开发成功并开始量产，200V与250V电压规格技术开发顺利进行。在电动工具领域，公司产品批量进入宝时得、创科集团、喜利得等国内外主要的电动工具厂商。公司亦努力发展家电应用相关领域，中低压屏蔽栅MOSFET已批量进入海尔集团、美的集团、伊莱克斯等。2021年公司中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入20,569.47万元，较2020年同期增长246.85%。目前公司多款中低压屏蔽栅MOSFET已经批量进入汽车领域。公司在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET以及IGBT产品领域形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并且公司进一步开发出新型高压超级硅和新型高压Hybrid-FET器件及其工艺技术。公司掌握的核心技术大部分为国内领先或国际先进，其中公司的高压超级结MOSFET与Tri-gateIGBT技术具备国际先进水平，中低压屏蔽栅MOSFET技术处于国内领先水平。图27:中国新增5G基站数量77头杂@蓄是树4过9未来公司将继续开发新一代超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET和TGBT,加快8寸功率器件技术向12寸线上研发力度，形成一系列宽禁带半导体功率器件产品，使宽禁带半导体功率器件产品与硅基超级硅器件互为补充的市场竞争力。5.东微半导深度合作上游晶圆代工企业，保障产能供给目前华虹是公司主要代工厂，21H1广州粤芯进入前五大供应华虹12寸产能在2022年将进一步扩大。自建设中国大陆第一条8英