模拟电子技术模拟考试题+参考答案

模拟电子技术模拟考试题+参考答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、抑制零漂B、克服交越失真C、稳定放大倍数D、提高输入电阻正确答案：A2.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共基放大电路B、共漏放大电路C、共集电放大电路D、共射放大电路正确答案：D3.双极型半导体器件是()。A、晶体三极管;B、稳压管。C、二极管;D、场效应管;正确答案：A4.MOS管形成导电沟道时，总是有两种载流子同时参与导电。（）A、错B、对:正确答案：A5.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。（）A、错B、对:正确答案：A6.当信号频率等于放大电路的上限频率或下限频率时，放大倍数的值约下降到中频时的（）A、0.9B、0.5C、0.4D、0.707正确答案：D7.射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。（）A、错B、对:正确答案：A8.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（）。A、不失真问题；B、管子的工作效率。C、放大电路的电压增益；正确答案：A9.当信号频率等于放大电路的下限频率时,放大倍数的值约下降到中频时的()A、0.9B、0.707C、0.4D、0.5正确答案：B10.P型半导体中的多数载流子是（）A、负离子B、正离子C、自由电子D、空穴正确答案：D11.场效应管的g极是它的()。A、漏极B、栅极C、发射极D、源极正确答案：B12.虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。（）A、错B、对:正确答案：B13.晶体三极管的极是它的()。A、集电极B、发射极C、栅极D、基极正确答案：B14.理想集成运放的输出电阻为()。A、∞;B、0;C、不定。正确答案：B15.集成运放使用时不接负反馈，电路中的电压增益称为开环电压增益。（）A、错B、对:正确答案：A16.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。正确答案：A17.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：B18.NPN型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。A、错误B、正确;正确答案：A19.对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是A、ie=(1+β)*ibB、ie=(1+β)*icC、ic=β*ie正确答案：A20.N型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。A、五价B、三价C、四价D、六价正确答案：A21.正常工作在反向击穿区的特殊二极管是()。A、稳压二极管B、变容二极管C、发光二极管D、光电二极管正确答案：A22.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是()A、共基放大电路B、共射放大电路C、共集电放大电路D、射极输出器正确答案：B23.正弦电流经过二极管整流后的波形为()。A、正弦半波;B、矩形方波;C、等腰三角波;D、仍为正弦波。正确答案：A24.(填空题)基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近____。A、截止区;B、饱和区;C、死区D、非线性区：正确答案：B25.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。A、管子的工作效率B、不失真问题C、放大电路的电压增益正确答案：B26.放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。（）A、错B、对:正确答案：B27.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（）A、错B、对:正确答案：A28.NPN型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结正偏、集电结反偏正确答案：D29.双极型三极管的输出特性曲线上可分为（）A、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区B、放大区、饱和区和截止区三个分区C、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区D、恒流区、放大区和截止区三个分区正确答案：B30.放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。（）A、错B、对:正确答案：A31.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。（）A、错B、对:正确答案：A32.分压式偏置的共射放大电路,若VB点电位偏高,电路易出现()。A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案：B33.共发射极放大电路的反馈元件是()。A、电阻RB;B、电阻RE;C、电阻RC。正确答案：B34.为了抑制2kHz以下的信号，应采用（）电路。A、低通B、带阻C、带通D、高通正确答案：D35.晶体三极管的B极是它的()。A、基极B、集电极C、发射极D、栅极正确答案：A36.若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。A、正确;B、错误正确答案：A37.晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。（）A、对:B、错正确答案：B38.差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（）A、对:B、错正确答案：A39.集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时,运放处于()A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D40.若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结反偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结反偏正确答案：C41.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。正确答案：B42.集成运放电路采用直接耦合方式是因为()A、可最大限度的减小零点漂移B、可防止交越失真的产生C、集成工艺难于制造大容量电容D、可获得很大的放大倍数正确答案：C43.当信号频率等于放大电路的上限频率时,放大倍数的值约下降到中频时的()A、0.707B、0.5C、0.9D、0.4正确答案：A44.若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：A45.微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。()A、正确;B、错误正确答案：B46.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。A、截止状态；B、饱和状态；C、放大状态。正确答案：B47.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共集放大电路B、共射放大电路C、共漏放大电路D、共基放大电路正确答案：B48.共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。()A、正确;B、错误正确答案：B49.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、Ie=βIbB、I=βIbC、Ic=βIb正确答案：C50.双极三极管是一种（）A、电压控制的电流源B、电压控制的电压源C、电流控制的电压源D、电流控制的电流源正确答案：D51.晶体三极管的输出特性曲线上可分为（）A、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区B、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区C、放大区、饱和区和截止区三个分区D、恒流区、放大区和截止区三个分区正确答案：C52.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。（）A、错B、对:正确答案：A53.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。（）A、错B、对:正确答案：B54.绝缘栅型场效应管的输入电流()。A、无法判断B、为零C、较大D、较小正确答案：B55.N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的（）在漏源极之间电场作用下形成的。A、电子；B、空穴；C、电子和空穴。正确答案：A56.P型半导体中的少数载流子是()A、负离子B、正离子C、空穴D、自由电子正确答案：D57.基本放大电路中的主要放大对象是()。A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。正确答案：B58.双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。A、错误B、正确;正确答案：A59.场效应管正常工作时,电路中的电流是由()构成的。A、自由电子载流子B、多子C、少子D、空穴载流子正确答案：B60.分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（）。A、虚断。B、虚地；C、虚短；正确答案：C61.晶体三极管的输出特性曲线上可分为()A、恒流区、放大区和截止区三个分区B、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区C、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区D、放大区、饱和区和截止区三个分区正确答案：D62.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。正确答案：A63.单极型半导体器件是()。A、双极型三极管B、稳压管C、场效应管D、二极管正确答案：C64.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的()A、减轻前级或信号源负荷。B、带负载能力强;C、带负载能力差;正确答案：B65.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。()A、错误B、正确;正确答案：B66.N型半导体中的少数载流子是()A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子正确答案：B67.共发射极放大电路的反馈元件是（）。A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。正确答案：B68.二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。（）A、对:B、错正确答案：B69.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的()A、带负载能力强B、带负载能力差C、减轻前级或信号源负荷正确答案：A70.理想集成运放的输出电阻为（）。A、0；B、∞；C、不定。正确答案：A71.N型半导体中的多数载流子是()A、负离子B、自由电子C、正离子D、空穴正确答案：B72.无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。A、正确;B、错误正确答案：B73.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形底部出现失真为（）失真。A、频率B、饱和C、截止D、交越正确答案：B74.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为()失真。A、交越B、截止C、频率D、饱和正确答案：B75.基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。A、截止区；B、饱和区；C、死区。正确答案：B76.三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C77.基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。A、交流成分B、直流成分C、交直流成分均有正确答案：C78.绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A、无法判断。B、较大；C、较小；D、为零；正确答案：D79.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是()A、克服交越失真B、提高输入电阻C、克服温漂D、稳定放大倍数正确答案：C80.理想集成运放的两个重要结论是()。A、断路与短路。B、虚断与虚短;C、虚短与虚地;正确答案：B81.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是（）A、射极输出器B、共射放大电路C、共集电放大电路D、共基放大电路正确答案：B82.理想集成运放的开环放大倍数Au0为()。A、∞;B、0;C、不定。正确答案：A83.NPN型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。（）A、错B、对:正确答案：A84.射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。（）A、对:B、错正确答案：A85.P型半导体中多数载流子是______。A、自由电子B、空穴C、PN结正确答案：B86.若本征半导体掺入三价杂质元素，会生成N型半导体，其多子是自由电子载流子。（）A、对:B、错正确答案：B87.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。()A、错误B、正确;正确答案：A88.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为（）失真。A、截止B、交越C、频率D、饱和正确答案：A89.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。（）A、对:B、错正确答案：A90.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（）A、对:B、错正确答案：A91.N型半导体中多数载流子是_____。A、自由电子B、PN结C、空穴正确答案：A92.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。A、等腰三角波；B、矩形方波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。正确答案：C93.射极输出器是典型的（）。A、电压串联负反馈。B、电压并联负反馈；C、电流串联负反馈；正确答案：A94.分压式偏置共发射极