《uCOOS-II原理与ARM应用程序设计》课件第7章

第七章动态内存配置与Bootloader

7.1动态存储OS_MEM.C7.2Bootloader设计7.3本章小结在程序编译链接时分配的存储空间称为静态空间，在程序执行过程中分配的程序空间称为动态空间。例如，使用malloc函数开辟的存储空间就是动态空间。程序中定义的各种变量和数组均是静态空间，与动态空间相比，静态空间地址是固定的。动态空间在程序执行过程中地址是不固定的，因此，多次调用malloc函数后，会造成大量的内存碎片，并且开辟空间所用的时间也不确定。本节将介绍µC/OS-Ⅱ中如何在任务执行过程中请求动态空间，以及如何释放这些动态空间。本节的另一个内容是介绍Bootloader方法，即在《ARM原理与C程序设计》第七章的基础上，进一步介绍基于µC/OS-Ⅱ嵌入式系统的工程目标文件自举启动的方法。有C/C++语言程序设计经验的程序员大都知道，动态分配内存可以有效地节省存储空间。每个函数运算产生的中间结果使用动态内存保存，计算出最终结果后，当从函数返回时把动态内存释放掉，这样一个动态内存空间可用于多个函数共同使用，而互不干扰。动态内存来自堆。当函数内部产生大量中间变量时，使用动态存储方式比使用局部变量更好一些，因为局部变量大多来自栈，变量空间不能太多。7.1动态存储OS_MEM.C动态存储相关的函数有6个，即OSMemCreate、OSMemGet、OSMemPut、OSMemQuery、OSMemNameGet和OSMemNameSet，列于第一章表1-12中。在µC/OS-Ⅱ中使用动态内存的方法为：使用动态内存前需要调用OSMemCreate函数创建它，动态内存以内存分区的形式存在，可以创建多个动态内存分区，每个分区由大小相同的内存块组成，内存块的大小以字节为单位；在使用动态内存时，调用OSMemGet从内存分区中取得一块内存块，通过多次调用OSMemGet获得多个内存块使用，获得的内存块本质上是这个内存块的首地址，可以对它赋各种类型数据；内存块使用完后，必须调用OSMemPut将内存块释放掉，即还回到内存分区中，这个函数必须与OSMemGet配对使用，保证内存分区中内存块的“供需平衡”。可以调用OSMemNameSet为内存分区命名，调用OSMemNameGet获得内存分区的名称，这个名称主要用于调试中。调用OSMemQuery可以查询内存分区的信息。

第7.1.1节的工程ex7_1使用了内存分区相关的函数，以解释这些函数的用法。但是，正如上文所言，内存分区主要用于函数运行过程中会占用大量存储空间的程序中，相比之下，工程ex7_1完全不具备这个特性，只能用来说明这些内存分区函数如何使用。7.1.1内存分区实例

在第六章工程ex6_1的基础上，新建工程ex7_1，保存目录为D:\ZYUCOSII\ex7_1，此时的工程ex7_1与工程ex6_1完全相同，只是工程文件名更名为ex7_1。需要修改的文件有app.h和appfun.c，其中，在文件app.h的末尾添加以下两行语句：

MY_APPOS_MEM*myMem;//Memorypartition

MY_APPINT32UmyBuf[10][30];

即定义内存分区myMem和二维数组myBuf，内存分区建立在全局数组myBuf的基础上。文件appfun.c需要修改AppTaskStart函数和AppTask_2函数，AppTask_2函数在第7.1.2节介绍，在AppTaskStart函数中添加以下语句：

1myMem=OSMemCreate(&myBuf[0][0],10,30*sizeof(INT32U),&err);

2if(err==OS_ERR_NONE)

3{

4OSMemNameSet(myMem,"MyMemPart",&err);

5Str_Uart0("Partition\"myMem\"CreateOK!\n\n");

6}这些语句可添加到创建信号量LedSem的语句“LedSem=OSSemCreate(0);”前面。第1行为调用OSMemCreate创建内存分区myMem，包含4个参数：第1个参数为内存分区首地址；第2个参数为内存分区中包含的内存块数量；第3个参数为每个内存块的大小，以字节为单位；第4个参数为函数调用情况的返回信息，如果为OS_ERR_NONE则表示创建内存分区成功。第4行将内存分区命名为“MyMemPart”。

工程ex7_1如图7-1所示，调试窗口如图7-2所示。从图7-2中C-SPY窗口可以看到内存分区的信息。串口调试助手显示的信息如图7-3所示。图7-1工程ex7_1界面图7-2工程ex7_1调试窗口图7-3串口调试助手显示信息窗口7.1.2工程ex7_1注解

文件appfun.c中函数AppTask_2的内容如下：

1voidAppTask_2(void*pdata)

2{

3INT8Uerr;

4INT8Ui;

5

6INT32UtickCur; //Timetick'scurrentval

7INT8U*pmsg; //ablock

69}

70

71OSTimeDlyHMSM(0,0,2,0);

72}

73}

第10行OS_MEM_DATA类型定义位于ucos_ii.h的第493～500行，其中成员OSNFree、OSNUsed和OSNBlks分别用于表示内存分区中空闲的内存块、使用了的内存块和全部内存块数量，都是INT32U型变量成员，用于第57行取得内存块的信息。任务2执行后，第19行取得当前时钟节拍值，如果小于30秒，则调用OSMemGet从内存分区中取得第一块内存块(第22行)。第23行判断是否取得了内存块，如果取得了，则第25行向取得的内存块(实际上是内存分区的第一个内存块)写入字符串，然后第26行输出这个字符串到串口调试助手。第28行调用OSMemPut释放这个内存块。第29～35行重复这个过程，只是向内存块中写入的字符串不同了；同理，第36～42行和第43～49行又重复了这个过程两次。串口调试助手的输出结果参看图7-3。当运行时间大于30秒小于60秒时，第51行为真，则52～69行的代码得到执行，第53～56行从内存分区中取得5个内存块。然后，第57行调用OSMemQuery函数查询内存块的信息，第58行调用OSMemNameGet函数获得内存分区的名称，第59行向串口调试助手输出内存分区的名称。之后，第60～64行输出内存分区的信息，第65～68行调用OSMemPut释放已使用完的5个内存块。任务2延时2秒重复执行(第71行)。

由分析可见，程序员必须清楚内存分区中有多少个内存块及每个内存块的大小，µC/OS-Ⅱ不检测内存分区中内存块的越界。如果使用不当，会造成整个工程程序的瘫痪。读者可参考Labrosse的《嵌入式实时操作系统µC/OS-Ⅱ(第2版)》第12章“内存管理”，了解内存控制块及其管理。一般地，将程序下载到ARM芯片内部的FLASH存储区或下载到ARM外扩的FLASH芯片内，ARM板上电复位后自动从FLASH中读取程序目标代码，完成程序启动的过程通称为Bootloader，或称自举启动，以区别于带有仿真器的程序仿真运行。Bootloader是ARM嵌入式项目开发过程中必须实现的一步，从严格意义上来讲，Bootloader相关的内容与µC/OS-Ⅱ没有关系，但作者还是把这部分内容添加到本书中，以使本书成为一个完整的基于µC/OS-Ⅱ的嵌入式项目开发整体解决方案。7.2Bootloader设计这里需要区分三个概念，即模拟运行、仿真运行及自举运行。模拟运行主要是针对算法的处理，使用一些仿真软件和环境，对算法的实现进行模拟，以了解算法的运算量和优缺点，有时模拟运行也可模拟一些芯片的外设与时序。仿真运行本质上就是程序的执行，仿真运行时，程序通过仿真器下载到目标芯片中，程序是在芯片上运行，因此，仿真运行的程序一定可以完全脱离仿真器运行。例如，工程ex6_1仿真调试时，退出调试环境，串口调试助手仍然接收到UP-Star实验板串口0发送的信息，说明程序还在芯片内部执行。模拟运行的程序一般做不到百分之百地仿真运行。相对于仿真运行来说，自举运行就是程序脱离仿真器而工作的过程，本书第二章至第7.1节的程序均是仿真运行的。

Bootloader过程可以分为三步，即首先编写对NAND型FLASH的读写操作工程，实现对FLASH的编程，这部分内容将在第7.2.1节介绍；然后，生成Boot表，即要写入到FLASH中的目标代码数据，这部分内容在第7.2.2节介绍；最后一步是关闭UP-Star实验板电源，取下仿真器，重新上电，观察程序运行情况。7.2.1读写FLASH工程

UP-Star实板板上集成了型号为K9F1208C的FLASH芯片，该芯片的读写方法请参考《ARM原理与C程序设计》第7.2节，以下摘录其中第7.2.1节关于K9F1208C的内容。

K9F1208U0C的存储阵列如图7-4所示。图7-4K9F1208U0C存储阵列由图7-4知，一片K9F1208U0C芯片包含4096个存储块，每个存储块分为32个存储页，每个存储页为528字节，其中，512字节用于存储数据，16字节用于存储校验信息。这样，一片K9F1208U0C的存储空间大小为4096×32×(512+16)B=(64+2)MB=66MB，其中，1MB=1024KB，1KB=1024B。用户可用存储空间为64MB，对其完全寻址，至少需要26根地址线。IO0～IO7作为地址输入时，至少占用4个周期，每个周期的地址输入如图7-4所示：第一个周期输入的A0～A7作为列地址；第2至4周期输入的A9～A25作为行地址，即页地址，因此，一片K9F1208U0C有217=128K个存储页面。每个512B的页面由A8分为上、下两部分(Read1命令)，每部分为256个字节，可以被8位列地址寻址，即A0～A7寻址。每个存储页最后的16字节(512～527)使用A0～A3寻址，A4～A7忽略，对应于不同的访问命令(Read2命令)。现在，有充分理由相信，NAND型FLASH这种“分而治之”的存储寻址方式比NOR型FLASH的“一统天下”在芯片制造上更容易实现。

K9F1208U0C共有4个存储柱面(Plane)，它的4096个存储块分布在不同的存储柱面上，不同的存储柱面可以同时读写。块序号被4整除的存储块，例如块0、4、8、…、4092位于面0上；而块序号除以4余1的存储块，例如，块1、5、9、…、4093位于面1上；块2、6、10、…、4094位于面2上；块3、7、11、…、4095位于面3上，如图7-5所示。每个柱面上有528字节的数据寄存器，位于存储单元阵列和外部I/O口之间，用于缓冲读写的数据。查阅S3C2410A手册可知，NAND型FLASH操作寄存器位于0x4E000000至0x4E000014。由第一章图1-22和图1-26可知，K9F1208U0C的I/O0～I/O7接S3C2410A的DATA0～DATA7，其控制管脚接S3C2410A的NANDFLASH控制器相应管脚。

通过S3C2410A访问K9F1208的一般步骤为：

(1)初始化S3C2410ANAND型FLASH控制器。

(2)读K9F1208的芯片ID号。

(3)整片擦除K9F1208，然后对K9F1208的存储块进行有效性检验，把无效存储块标记。

(4)编程K9F1208芯片，并读取写入的数据进行ECC校验。图7-5存储器配置表

K9F1208仅支持基于块的擦除和基于页的编程，针对FLASH来说，编程是指向其中写入数据。由于S3C2410A具有硬件ECC校验发生器，因此用户不需要编写ECC校验码产生函数。

上述内容是编程K9F1208的基础知识，下面介绍读写K9F1208C的工程ex7_2。

在第二章工程ex2_1的基础上，新建工程ex7_2，此时的工程ex7_2与工程ex2_1完全相同，只是工程文件名改为ex7_2。需要修改的文件有zyMain.c和zyDef2410.h，并且添加一个新文件flashRW.c(这个文件来自《ARM原理与C程序设计》)，完成后的工程ex7_2如图7-6所示。图7-6为工程ex7_2的调试图，其中flashDat为要写入FLASH中的数据，flashCp为从FLASH读出的数据，长度均为1000，可以看出写入与读出的数据完全相同，说明读写K9F1208C成功。图7-6工程ex7_2工程ex7_2是芯片级的程序。在文件zyDef2410.h的开头添加如下语句：

1#ifdefMY_APP_GLOBALS

2#defineMY_APP

3#else

4#defineMY_APPextern

5#endif

在文件zyDef2410.h的末尾添加如下语句：

1MY_APPunsignedintflashID;

2MY_APPunsignedcharflashWhat[1200];

3MY_APPunsignedcharflashDat[1000];

4MY_APPunsignedcharflashCp[1000];zyMain.c文件的内容如下：

1/*FileName:zyMain.c

2**Byzhnyong@21

3**@2009-4-4

4**MainSubroutine

5**CopyrightReserved

6*/

7

8#include"zyDef2410.h"

9

10unsignedintFCLK,HCLK,PCLK;第18行读取K9F1208C的ID号，调试时可用Watch窗口观察变量flashID的值为0xEC765A3F。第19～20行初始化要写入的数据，由于每个数组元素为无符号整型，所以只能存储0～255间的数值。第20行取模247，表示初始化数值从0至246。第21～24行擦除了K9F1208的10个块的空间，约160KB的空间大小。第25行将flashDat的值写入FLASH中，写入首地址为0x0。第26行从FLASH中读出1200个值，读出首地址为0x0。第28～32行将读出的值中的有效数据值写入flashCp数组中，于是flashCp数组的内容应该与flashDat的内容完全相同，这一点可从图7-6中看出。文件flashRW.c的内容如下：

1/*FileName:flashRW.h

2**Byzhnyong@21

3**@2009-4-4

4**CopyrightReserved

5*/

6

7#defineMY_APP_GLOBALS

8#include"zyDef2410.h"

9

10//InitNANDControllerReg

11voidinitFlash()文件flashRW.c的内容全部来自《ARM原理与C程序设计》一书，包含了对FLASH的读写操作函数，具体实现细节不再赘述。需要注意的是，仿真工程ex7_2要用配置稍好一些的计算机，如果要用Watch窗口查看读出的大容量数组，建议不要用装有英特尔赛扬处理器的计算机进行仿真。第7.2.3节的工程中将继续使用文件flashRW.c。7.2.2用于自举的工程ex7_3

这里修改一下第六章工程ex6_1startup.s的文件，使之成为能自举的工程。

在工程ex6_1的基础上新建工程ex7_3，保存目录为D:\ZYUCOSII\ex7_3，这时的工程ex7_3与工程ex6_1完全相同，只是工程文件名更改为ex7_3。需要修改的文件只有startup.s，同时要更改ex7_3的配置。下面首先介绍ex7_3配置的更改。在工程ex7_3窗口中点击菜单“Project|Options…”，进入如图7-7所示的窗口。图7-7在OutputConverter中填写输出文件ex7_3.hex

再进入到Linker选项页，在图7-8中点击“Edit…”按钮，在弹出的窗口中设置各页如图7-9所示。图7-8Linker选项页图7-9工程链接配置从图7-9中的“MemoryRegions”可以看出ROM空间为0x1000～0x3FFFF(约256KB)，RAM空间为0x40000～0x7FFFF(256KB)，这两段空间在UP-Star实验板上没有RAM和SDRAM，所以，在startup.s中需要将位于0x30000000地址处的SDRAM重定位于0x0开始的空间。

如图7-10所示，点击左上角的下拉框可以将工程ex7_3设置为Release编译模式，这时要重新设置工程选项卡(即“Project|Options”菜单弹出的配置窗口)。本章讲述Bootloader使用的是Debug模式下编译链接成的目标文件ex7_3.hex，作为练习，读者可试着把Release模式下编译链接成的目标文件下载到UP-Star实验板上。图7-10编译模式选择

下面列出了修改后的文件startup.s的代码，并在其后作了注解。

1;Filename:startup.s

2;Byzhnyang@21

3;@2009-4-4

4;ForS3C2410A(RunafterReset)

5;CopyrightReserved

6

7;Note:@LittleEndian

8

注意第84行，这里是ROOT，而不是NOROOT，ROOT指示符将该段程序的地址定位于0x0；第89行添加了_iar_program_start标号，这个标志符是EWARM用于指示程序开始的缺省标示符；第90行使用B跳转；第101行注释掉；第157～164行用于点亮第3个LED灯，如果该灯被点亮，说明程序已经完成了芯片初始化。

第166～239行用于将K9F1208中地址0x0～0x100000(1MB)空间内的数据拷贝到内存0x30000000～0x30100000处，即完成代码从FLASH到SDRAM的搬移工作。这些代码比较简单，供感兴趣的读者自己阅读。第241～245行将位于0x30000000～0x32000000处的SDRAM映射到0x0处，即完成了内存的重映射。

第248～272行用于设置各种工作模式的堆栈指针。

第273～278行是点亮第2个LED灯(关闭第3个LED灯)，该灯用于指示程序完成重定位和堆栈配置工作。

第280～281行用于跳转到主程序运行。

第283～290行是一个汇编子函数，用于判断NANDFLASH数据有没有准备好。需要补充一点：NANDFLASH的读不如NORFLASH稳定。虽然NANDFLASH读数据时地址具有自动增加功能，但实际使用中不太稳定。一般的做法是每几页(甚至一页)复位一下NAND型FLASH。所以，在文件startup.s中读K9F1208时，每读完一页都复位了该芯片。

完成上述工作后，重新编译链接工程ex7_3，在目录D:\ZYUCOSII\ex7_3\Debug\Exe下得到目标文件ex7_3.hex，可用UltraEdit软件打开阅读。打开ex7_3.map文件，如图7-11所示，intvec段起始地址必须位于0x0处。

接下来的工作是如何将工程ex7_3的目标代码(ex7_3.hex)下载到FLASH芯片K9F1208中。这里介绍两种下载的方法：其一为自己编写下载程序，参见第7.2.3～7.2.4节，这种方法比较繁琐，但有助于提高程序设计水平；其二为借助于H-JTAG等软件，参见第7.2.5节。图7-11工程ex7_3的Map表7.2.3目标代码转化为C头文件flash.h

文件ex7_3.hex的内容如下(由于代码太长，这里仅列出了文件头和尾，中间代码没有列出)：

1:10000000210000EA0000A0E10000A0E10000A0E162

2:100010000000A0E10000A0E10000A0E10000A0E1DC

3:1000200000000000000000000000000000000000D0

4:1000300000000000000000000000000000000000C0

5:1000400010111111FC7F0000FC7F00000007000070

6:1000500000070000502E0000502E00000580010017

7:100060000580010000008C00B0000000300000009E8:1000700030000000FFFFFF000300000011800500BA

9:100080002380070004000000F0FF07005304A0E3F2

10:10009000A4119FE5A4219FE5082080E5042080E5C8

11:1000A000001080E54C04A0E33C804FE27E0098E81D

12:1000B000001080E5142080E5043080E5084080E5EC

13:1000C000105080E50C6080E590E04FE2FF1F9EE855

14:1000D00048E4A0E3FF1F8EE864019FE5541CA0E301

15:1000E000001080E55C019FE5CF10A0E3001080E5E3

16:1000F00054019FE50010E0E3001080E54C019FE50E

17:100100004C119FE5001080E55604A0E30010E0E3E9

18:10011000001080E54E04A0E338119FE5001080E553

19:100120003F0000EB0050A0E30000A0E3C015A0E3F720:1001300024819FE5FF90A0E3009088E5380000EB64

21:1001400014819FE50090A0E3009088E50C819FE575

22:10015000FF6005E2006088E500819FE5A564A0E1FD

23:10016000FF6006E2006088E5F0809FE5A568A0E1F9

24:10017000FF6006E2006088E5E0809FE5A56CA0E1F5

25:10018000016006E2006088E5250000EBD0209FE5D5

26:100190000030A0E30040D2E50140C1E4013083E239

27:1001A000800F53E3FAFFFF1A0040D2E5013083E2EB

28:1001B000840F53E3FBFFFF1A190000EB805F85E219

29:1001C000010080E2800E50E3D8FFFF1AC005A0E3D3

30:1001D000100F0DEE101F1DEE0000A0E1DBF021E37B

31:1001E00080D09FE5D7F021E37CD09FE5D1F021E3DB

32:1001F00078D09FE5D2F021E374D09FE5D3F021E3DE33:1002000070D09FE538009FE5541CA0E3001080E506

34:1002100030009FE5AF10A0E3001080E558009FE597

35:1002200010FF2FE154809FE5009098E5019009E2CE

36:10023000000059E3FBFFFF0A0EF0A0E1187C00006C

37:100240003075000020000056240000560800004AC7

38:100250000C00004CF0FF0700779700000400004EF0

39:100260000800004E0C00004E00230400002404008F

40:10027000002204000021040000200400A4720000F9

41:040280001000004E1C

42:10100000F8402DE90060B0E10140B0E10250B0E1EC

43:101010000070A0E3C4019FE50000D0E5010050E3AB

44:101020000200003A1200A0E30000C5E51E0000EA3D

45:101030000000D6E5010050E30500000A1000003A68

46:10104000030050E30200000A0100003A040050E3EC

47:101050000B00001AC50F00EB0070B0E10400B0E116

48:10106000200300EBFF0010E2100050E30700003AFD

49:101070000700B0E1C10F00EB0B00A0E30000C5E5E5

50:10108000090000EA0100A0E30000C5E5060000EA4F

51:101090000410B0E12C0096E2030300EB0700B0E17E

52:1010A000B60F00EB0000A0E30000C5E5F140BDE88D

53:1010B0001EFF2FE100502DE9681200EBEB0100EB61

54:1010C000130200EB660200EBC20100EBF50300EB3C

55:1010D0001A0400EB3F0400EB2D0200EB460200EB8C

56:1010E000C20600EB721200EB101300EB0140BDE8EA

57:1010F0001EFF2FE110402DE90040A0E34C039FE5C758:101100000000D0E5010050E33000001A970F00EB1B

59:101110000040B0E1C4009FE50000D0E5010050E3CD

60:101120000400003AB4009FE50000D0E5010050E261

61:10113000A8109FE50000C1E5A0009FE50000D0E5F4

1685:1076B00020546D72000000004170705461736B5F64

1686:1076C000310000004170705461736B5F3200000044

1687:1076D0004170705461736B5F330000004F532D5441

1688:1076E0006D724C6F636B00004F532D546D72536974

1689:1076F000670000000010B0E101C0B013FFFEFFEA18

1690:107700004C65645F53656D005461736B5F310000BD1691:107710005461736B5F3200005461736B5F33000020

1692:10772000686A6C747A4C0000785634121EFF2FE1A0

1693:107730001EFF2FE1010001000A0010003C0058026A

1694:10774000010001001C001400020005001000FE00F2

1695:1077500001000100050010002400B4000100040035

1696:1077600001000400180010000100040001000100E5

1697:1077700001008000010016001000010080000100DF

1698:107780000100FF006000640001001E010100100004

1699:10779000100008000A003400400308004000271AC7

1700:0400000500000000F7

1701:00000001FF该Hex文件每行的含义请参考《ARM原理与C程序设计》第267页。从上述代码可以看出，第1～41行的数据要写入到FLASH芯片的地址0x0～0x283处，而第42～1699行的数据要写入到FLASH芯片的地址0x1000～0x779F处，按字节(地址)写入。

笔者使用《ARM原理与C程序设计》第七章的工程Hex2H(使用C#语言，VisualStudio2008平台)，并稍作修改，生成一个新的可执行文件Hex2H.exe(详细方法不再赘述)，用这个可执行文件将ex7_3.hex转化为C语言的头文件flash.h。文件flash.h的内容如下：对比文件flash.h和ex7_3.hex，可以看出这两个文件的关系，即文件flash.h中的数组FlashDat包含了ex7_3.hex中的第1～41行的数据，这些数据写入FLASH的首地址为0x0；文件flash.h中的数组FlashDat2包含了ex7_3.hex中第42～1699行的数据，这些数据写入FLASH的首地址为0x1000。根据这种对应关系，读者可用自己熟悉的语言编写实现工程Hex2H功能的程序，生成的文件flash.h用于第7.2.4节工程ex7_4中。7.2.4Bootloader工程ex7_4

这里将新建一个工程ex7_4，用于将第7.2.3节的flash.h文件中的数据写入到芯片K9F1208中。在工程ex7_2的基础上新建工程ex7_4，保存目录为D:\ZYUCOSII\ex7_4，这时的工程ex7_4与工程ex7_2完全相同(注意，这是一个芯片级的程序)。需要做的修改为：将flash.h拷贝到D:\ZYUCOSII\ex7_4\user目录下，然后将该文件添加到工程ex7_4中，并修改文件zyMain.c。工程ex7_4如图7-12所示。图7-12工程ex7_4其中，文件zyMain.c的内容如下：

1/*FileName:zyMain.c

2**Byzhnyong@21

3**@2009-4-4

4**MainSubroutine

5**CopyrightReserved

6*/

7

8#include"zyDef2410.h"

9#include"flash.h"

10

11unsignedintFCLK,HCLK,PCLK;

12unsignedintval;13

14voidmain(void)

15{

16inti,n=0;

17//initializeNANDController

18initFlash();

19readFlashID();

20//for(i=0;i<1000;i++)

21//flashDat[i]=(i+89)%247;

22for(i=0;i<64;i++)//Erase16K*64

23{

24flashErase(i<<14);

25}

26flashWr(0x0,iDatN,FlashDat);

27flashWr(0x1000,iDatN2,FlashDat2);

28flashRd(0x429C,1000,flashWhat);

29//Flashdata,except16Bper528

30for(i=0;i<668;i++)

31{

32n=i/512;

33flashCp[i]=flashWhat[i+n*16];

34}

35//AboveisNandFlashoperator

36

37//Clock=192MHz?

38val=MPLLCON;上述代码第26行将FlashDat数组写入到K9F1208芯片的地址0x0开始的空间内；第27行将FlashDat2数组写入到K9F1208芯片的地址0x1000开始的空间内。

工程ex7_4是仿真执行的，即仿真运行工程ex7_4，就可以把工程ex7_3生成的ex7_3.hex(flash.h)写入到K9F1208中。现在，回顾一下已做的工作：第一步，在第7.2.1节介绍了读写K9F1208的方法，并给出一个演示工程ex7_2；第二步，在第7.2.2节中修改第六章工程ex6_1成为新的工程ex7_3，这步所做的修改目的是为了使工程ex7_3具有自举特性，即其文件startup.s能完成上电Bootloader功能；第三步，在第7.2.3节将工程ex7_3(Debug模式)生成的ex7_3.hex文件转换为C语言的头文件flash.h；第四步，即本节工程ex7_4将flash.h文件写入到K9F1208的适当位置，当flash.h写入成功后，可以看到三个LED灯滚动闪烁。这些工作都正确无误地完成后，可以关闭UP-Star实验板电源，把J-LINK仿真器取下来(也可以不取)；然后，打开串口调试助手，设置波特率为115200bps；最后，再给UP-Star实验板上电，此时串口调试助手会显示如第六章图6-2所示的界面。如果按下JOYSTICK按键，串口调试助手将显示按键的信息，同时LED灯闪烁。至此，Bootloader工作完成了。7.2.5H-JTAG下载方式

上面的方法过于繁琐了，向FLASH中写入程序有大量现成的方案可以选取