电子技术基础Ⅰ（模拟部分）知到智慧树章节测试课后答案2024年秋湖南师范大学

电子技术基础Ⅰ（模拟部分）知到智慧树章节测试课后答案2024年秋湖南师范大学第一章单元测试

对PN结电击穿描述不正确的是（）。

A:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的

B:雪崩击穿属于电击穿

C:稳压二极管就是利用齐纳击穿原理实现的

D:PN结电击穿时，在外电压撤除后能够恢复原状态

答案:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的

2AP9表示的是（）。

A:锗材料

整流二极管B:硅材料整流二极管C:硅材料普通二极管D:锗材料

普通二极管

答案:锗材料

普通二极管对二极管模型的描述不正确的是（）。

A:二极管理想模型，正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大

B:二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关

C:二极管折线模型，看成是0.5V的电源和一个电阻串联，此时二极管电流大于1mA

D:二极管的恒压降模型，硅管导通压降0.7V，锗管导通压降0.2V

答案:二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关

如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（）。

A:-8V

B:0V

C:-10V

D:-12V

答案:0V

如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（）。

A:500Ω，1W

B:600Ω，1W

C:500Ω，1/8W

D:600Ω，1/8W

答案:600Ω，1/8W

第二章单元测试

晶体三极管形成原理描述不正确的是（）。

A:由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较低

B:由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高

C:到达基区的电子很容易穿过集电结

D:到达基区的空穴很容易穿过发射结

答案:由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高

对晶体三极管放大电路的工程常识描述不正确的是（）。

A:放大电路的输入信号电压一般是毫伏甚至是微伏级电压

B:放大电路的输出功率一般是瓦特级

C:放大电路的输出信号电流一般是几毫安

D:放大电路的输入信号电流一般是微安级的电流

答案:放大电路的输出功率一般是瓦特级

对共基极放大电路特性描述不正确的是（）。

A:输出电阻大，带负载能力较差

B:由于无结电容影响，常用于放大高频信号

C:放大电路的输出信号与输入信号同相

D:输入电阻小，对前一级放大电路或信号源的带负载能力要求不高

答案:输入电阻小，对前一级放大电路或信号源的带负载能力要求不高

对多级放大电路性能描述不正确的是（）。

A:多级放大电路的输入电阻为第一级放大电路的输入电阻

B:多级放大电路的输出电阻为最后一级放大电路的输出电阻

C:多级放大电路的电压增益等于各级放大电路电压增益分贝值之积

D:多级放大电路的频带带宽比任何一级放大电路的频带带宽都窄

答案:多级放大电路的电压增益等于各级放大电路电压增益分贝值之积

已知b=100，RS=1kW，RB1=62kW，RB2=20kW,RC=3kW，RE=1.5kW，RL=5.6kW，VCC=15V。则静态工作点分别为：（）。

A:15μA，1.5mA,6V

B:30μA，3mA,6V

C:10μA，1mA,10.5V

D:20μA，2mA,6V

答案:20μA，2mA,6V

第三章单元测试

测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（）。

A:饱和区

B:预夹断临界点

C:截止区

D:可变电阻区

答案:饱和区

对N沟道增强型场效应管工作原理描述不正确的是（）。

A:当漏极和源极之间加正向电压超过预夹断电压时，漏极电流减少

B:栅极和源极之间加直流电压大于开启电压时，漏极和源极之间加正向电压，有漏极电流产生

C:栅极和源极之间加直流电压时，产生导电沟道

D:栅极和源极之间不加电压时，无导电沟道产生

答案:当漏极和源极之间加正向电压超过预夹断电压时，漏极电流减少

在使用MOSFET时，下列描述不正确的是（）。

A:P型衬底接低电位，N型衬底接高电位

B:焊接FET时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场

C:GaAsMESFET正越来越多地应用于高频放大和数字逻辑电路中

D:由于FET的结构对称性，其漏极和源极在任何情况下都可以任意互换，其伏安特性几乎无变化

答案:由于FET的结构对称性，其漏极和源极在任何情况下都可以任意互换，其伏安特性几乎无变化

如图所示耗尽型N沟道MOS管，RG=1MW，RS=2kW，RD=12kW，VDD=20V。IDSS=4mA，UGS(off)=–4V，则ID是（）。

A:4mA

B:1mA

C:2mA

D:3mA

答案:1mA

采用二阶低通滤波器进行滤波时，设截止频率为，则在频率为10处的增益与在频率为处的增益相差：（）。

A:80dB

B:60dB

C:40dB

D:20dB

答案:40dB

第四章单元测试

与单管共射放大电路放大倍数一致的差动放大电路是（）

A:双端输入单端输出

B:单端输入单端输出

C:双端输入双端输出

D:单端输入双端输出

答案:双端输入双端输出

对共模抑制比描述不正确的是（）

A:共模抑制比反映的是差动放大电路抑制共模信号的能力

B:电路的差模增益为50，共模增益为0.05，则共模抑制比为40dB

C:共模抑制比越大，电路抑制共模信号的能力越强

D:噪声属于共模信号

答案:电路的差模增益为50，共模增益为0.05，则共模抑制比为40dB

对集成运放参数描述不正确的是（）

A:输入偏置电流是指集成运放两个输入端静态电流的平均值

B:输入失调电压是由于差动放大电路结构不对称引起的

C:输入失调电流是指输入电压为零时，流入放大器两端的动态基极电流之差

D:输入直流误差特性都作为运放精度的指标

答案:输入失调电流是指输入电压为零时，流入放大器两端的动态基极电流之差

如图所示电路所实现的功能是（）

A:加法器B:微分器C:减法器D:积分器

答案:减法器对集成电路描述不正确的是（）

A:集成电路体积小，性能好

B:模拟集成电路的直流偏置技术采用电流源电路来实现

C:把整个电路的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路

D:集成电路中的各级放大电路之间采用电容耦合方式进行的

答案:集成电路中的各级放大电路之间采用电容耦合方式进行的

第五章单元测试

对电阻的热噪声描述不正确的是（）

A:热噪声电压是指电子随机热运动而产生的随时间变化的电压

B:电阻元件有热噪声

C:纯电抗元件具有热噪声

D:热噪声是传导电流的自由电子随机的热运动引起的

答案:纯电抗元件具有热噪声

三极管的主要噪声为（）

A:热噪声

B:散粒噪声

C:静电噪声

D:闪砾噪声

答案:散粒噪声

关于散粒噪声的描述不正确的是（）

A:散粒噪声具有瑞利分布

B:由于发射极电流和集电极电流无规则的波动引起的

C:散粒噪声具有白噪声性质

D:散粒噪声是三极管噪声的一个重要来源

答案:散粒噪声具有瑞利分布

电路如图所示，输出与输入之间的关系是（）

A:开平方运算

B:指数运算

C:开立方运算

D:对数运算

答案:开平方运算

利用乘法器实现解调功能时，乘法器输出后的模块是（）

A:带通滤波器

B:高通滤波器

C:低通滤波器

D:全通滤波器

答案:低通滤波器

第六章单元测试

使带负载能力强的反馈是（）

A:电压负反馈

B:电压正反馈

C:电流正反馈

D:电流负反馈

答案:电压负反馈

在深度负反馈条件下，不正确的是（）

A:输入电流与反馈电流几乎相等

B:放大倍数只与反馈系数相关

C:放大倍数与不带负反馈时的放大倍数有关

D:输入电压与反馈电压几乎相等

答案:放大倍数与不带负反馈时的放大倍数有关

如图所示电路中，RE所引入的反馈是（）

A:电压并联负反馈

B:电流串联负反馈

C:电流并联负反馈

D:电压串联负反馈

答案:电流串联负反馈

对反馈放大电路描述不正确的是（）

A:引入直流反馈是为了稳定放大电路的静态工作点

B:引入交流反馈是为了改善放大电路的性能

C:引入电压反馈是为了稳定输出电压

D:引入电流反馈是为了稳定输入电流

答案:引入电流反馈是为了稳定输入电流

使电路的输入电阻较高的反馈是（）

A:串联负反馈

B:并联负反馈

C:并联正反馈

D:串联正反馈

答案:串联负反馈

第七章单元测试

有一OTL电路，其电源电压VCC=16V，。在理想情况下，可得到最大输出功率为（）

A:8W

B:4W

C:16W

D:64W

答案:4W

在基本OCL功放电路中设输入信号为正弦波，可以推算出其最大的输出功率约为（）

A:18W

B:36W

C:9W

D:27W

答案:18W

OCL功放电路属于（）

A:甲类放大

B:丙类放大

C:乙类放大

D:甲乙类放大

答案:甲乙类放大

提高功率BJT的可靠性，其主要的途径是，使用时要降低额定值。那么下列降低额定值错误的是：

A:在最坏的条件下(包括冲击电压在内),工作电压不应超过极限值的80%。

B:在最坏的条件下(包括冲击电流在内),工作电流不应超过极限值的80%。

C:工作时,器件的结温不应超过器件允许的最大结温的80%。

D:在最坏的条件下(包括冲击功耗在内),工作功耗不应超过器件最大工作环境温度下的最大允许功耗的80%。

答案:在最坏的条件下(包括冲击功耗在内),工作功耗不应超过器件最大工作环境温度下的最大允许功耗的80%。

下列不是功率器件特点的是（）

A:输出功率大B:输出信号无失真C:输出效率高D:输出信号有失真

答案:输出信号无失真

第八章单元测试

对LC振荡电路描述不正确的是（）

A:电路的振荡频率

B:LC振荡电路主要用来产生高频信号

C:电容三点式振荡电路属于LC振荡电路

D:电路存在正反馈

答案:电路的振荡频率

对开关电容滤波器描述不正确的是（）

A:开关电容滤波器主要是应用在集成电路中

B:可实现高精度高稳定滤波，便于集成

C:与数字滤波器相比较，处理速度快，整体结构简单

D:其工作频率较高

答案:其工作频率较高

对带通滤波电路描述不正确的是（）

A:带通滤波器的英文缩写为BPF

B:输入信号先通过高通滤波电路，再通过低通滤波电路来实现

C:输入信号先通过低通滤波电路，再通过高通滤波电路来实现

D:双T带阻滤波电路属于上述滤波电路

答案:双T带阻滤波电路属于上述滤波电路

下列传递函数不表示低通滤波器和高通滤波器的是（）

A:

B:

C:

D:

答案:

；

对石英晶体振荡电路描述不正确的是（）

A:石英晶体振荡电路的频率稳定度高

B:Q值越大，频率稳定度就越高

C:石英晶体有两个谐振频率，两个频率相差较大

D:在电路中，晶振串联接入一个电容后，并不影响并联谐振频率

答案:石英晶体有两个谐振频率，两个频率相差较大

第九章单元测试

将方波积分得到三角波，为了使三角波的峰-峰值与方波的峰-峰值相近，积分电阻和积分电容应该（）

A:减少电阻和电容值

B:RC的乘积与信号半周期相当

C:增加电阻和电容值

D:RC的乘积与信号周期相当

答案:减少电阻和电容值

关于电压比较器的描述，错误的是：

A:迟滞电压比较器抗干扰能力较强

B:单门限电压比较器抗干扰能力不强

C:过零电压比较器属于单门限比较器

D:电压比较器存在正反馈

答案:电压比较器存在正反馈

对迟滞电压比较器描述正确的是（）

A:有两个门限电压B:抗干扰能力不强C:只能从同相输入端输入信号D:只能从反相输入端输入信号

答案:有两个门限电压电路如图所示，输出的波形为（）

A:方波

B:锯齿波

C:脉宽波

D:三角波

答案:锯齿波

用现有的方波产生同频的PWM波，正确的是（）

A:都不正确

B:方波→积分器→可调电压比较器

C:方波→微分器

D:方波→积分器→过零比较器

答案:方波→积分器→可调电压比较器

第十章单元测试

对整流后的滤波电路描述不正确的是（）

A:输出电流大且负载电流大的大功率场合，采用电感输入式滤波电路

B:电容滤波和电感滤波都是用来使输出电流变得平滑

C:滤波电路一般有电容输入式和电感输入式两大类

D:输出直流电流小且负载几乎不变时，采用电容输入式滤波电路

答案:电容滤波和电感滤波都是用来使输出电流变得平滑

设交流电源电压周期为,对负载电阻和滤波电容乘积选择正确的是（）

A:

B:

C:

D:

答案:

对稳压电源质量指标描述不正确的是（）

A:输出电阻反映了负载电流变化对输出电压的影响

B:纹波抑制比表示为输入纹波电压有效值与输出纹波电压有效值之比的对数的20倍

C:输入电