模拟电子技术（山东联盟-山东建筑大学）知到智慧树章节测试课后答案2024年秋山东建筑大学

模拟电子技术（山东联盟-山东建筑大学）知到智慧树章节测试课后答案2024年秋山东建筑大学第一章单元测试

电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。

A:错B:对

答案:对电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.

A:错B:对

答案:错第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。

A:对B:错

答案:错电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。

A:对B:错

答案:对电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点

A:错B:对

答案:对模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度有差别。

A:错B:对

答案:错计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号

A:对B:错

答案:错数字信号一般指时间和数值上都连续的信号

A:对B:错

答案:错含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统

A:对B:错

答案:对下列信号不属于模拟信号的是()

A:4~20mA的电流信号B:灯的亮灭状态C:0~5V的电压信号D:20Hz~20kHz的音频信号

答案:灯的亮灭状态

第二章单元测试

在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地

A:对B:错

答案:错凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系

A:对B:错

答案:对集成运放在开环情况下一定工作在非线性区

A:错B:对

答案:对理想运算放大器的两个重要结论是

A:虚短与虚断B:短路和断路C:虚地与反相D:虚短与虚地

答案:虚短与虚断集成运放的线性和非线性应用电路都存在

A:虚短与虚断B:虚断C:虚地D:虚短

答案:虚断如图所示电路中，若电阻Rf虚焊，则电路的输出电压为

A:0B:无穷大C:＋UOMD:-UOM

答案:＋UOM；-UOM反相输入积分电路中的电容接在电路的

A:同相输入端B:反相端与输出端之间C:同相端与输出端之间D:反相输入端

答案:反相端与输出端之间电路如图所示，若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ，Vi=1V，则VO=

A:1VB:-2VC:2VD:-1V

答案:2V集成运放能处理

A:交流和直流信号B:直流信号C:交流信号D:正弦信号

答案:交流和直流信号理想运算放大器的输出电阻Ro为

A:无穷大B:有限值C:零D:不确定

答案:零

第三章单元测试

设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，则图3.2电路中的输出电压VO为

A:15VB:6.7VC:9.7VD:3V

答案:6.7V用万用表的电阻档测量二极管，当时说明二极管的单向导电性好

A:正向电阻小反向电阻大B:正向电阻反向电阻都小C:正向电阻反向电阻都大D:正向电阻大反向电阻小

答案:正向电阻小反向电阻大如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管

A:击穿B:电流为0C:电流过大而使管子烧坏D:正常导通

答案:电流过大而使管子烧坏二极管稳压电路一般是由稳压二极管（反向接法）和负载并联而得到。

A:对B:错

答案:对当二极管的外加反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加（反向击穿），所以二极管不能工作在反向击穿区

A:对B:错

答案:错P型半导体带正电，N型半导体带负电

A:对B:错

答案:错当温度升高时，二极管反向饱和电流将

A:增大B:不变C:减小D:先增大再减小

答案:增大半导体二极管的重要特性之一是

A:温度稳定性B:滤波作用C:放大作用D:单向导电性

答案:放大作用二极管电路如图3.1所示，则二极管导通情况为

A:都导通B:都截止C:D1导通，D2截止D:D2导通，D1截止

答案:D2导通，D1截止稳压管的稳压区是其工作在

A:反向截止区B:正向导通区C:反向击穿区D:饱和区

答案:反向击穿区

第四章单元测试

场效应管的漏极电流是由的漂移运动形成的。

A:多子B:少子C:两种载流子

答案:少子场效应管是一种控制型的电子器件。

A:光B:电流C:电压

答案:电压场效应管是利用外加电压产生的来控制漏极电流的大小的。

A:电流B:电场C:电压

答案:电场当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为3mA时，它的低频跨导将：

A:增大B:减小C:不变

答案:增大当栅源电压VGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有：

A:耗尽型MOS管B:结型管C:增强型MOS管

答案:耗尽型MOS管；结型管广义地说，结型场效应管应该：

A:不属于耗尽型管B:不属于增强型管C:属于耗尽型管D:属于增强型管

答案:属于耗尽型管图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是：

A:N沟道耗尽型MOS管B:N沟道增强型MOS管C:P沟道增强型MOS管D:P沟道耗尽型MOS管

答案:P沟道增强型MOS管某场效应管的特性曲线如图所示，该管为：

A:N沟道增强型MOS管B:P沟道增强型MOS管C:P沟道结型场效应管D:N沟道耗尽型MOS管

答案:N沟道耗尽型MOS管图示场效应管放大电路的组态是:

A:共漏

B:共源C:差动放大D:共栅

答案:共源测得某FET管的输出特性如图所示，则判断此管为:

A:N沟道耗尽型MOS管B:P沟道耗尽型MOS管C:N沟道结型FET管D:P沟道结型FET管

答案:N沟道耗尽型MOS管

第五章单元测试

测得某放大电路半导体三极管三个管脚对地电压为U1＝3V，U2＝8V，U3＝3.7V，则三个电极为

A:1为集电极，2为基极，3为发射极B:1为发射极，2为基极，3为集电极C:1为发射极，2为集电极，3为基极

答案:1为发射极，2为集电极，3为基极当输入电压为正弦信号时，若NPN管共发射极放大电路发生饱和失真，则输出电压的波形将

A:正半周削波B:负半周削波C:不削波

答案:负半周削波为了使放大器具有高输入电阻，低输出电阻，应采用

A:共基电路B:共集电路C:共射电路

答案:共集电路两个三极管参数分别为：甲管β＝200，ICBO＝0.1uA；乙管β＝260，ICEO＝1uA，选用哪个管子较好？

A:甲管B:乙管

答案:乙管测得BJT各极对地电压为VB=1.8V，VE=0V，VC=12V，则该管工作在（）状态。

A:已损坏B:放大C:饱和D:截止

答案:截止双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是

A:发射结反偏，集电结反偏B:发射结反偏，集电结正偏C:发射结正偏，集电结反偏D:发射结正偏，集电结正偏

答案:发射结正偏，集电结反偏温度升高，半导体三极管的共射输出特性曲线下移。

A:错B:对

答案:错利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管

A:错B:对

答案:对产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

A:对B:错

答案:对静态工作点是过高可能会导致饱和失真

A:对B:错

答案:对

第六章单元测试

放大电路的增益和通过信号的频率无关

A:错B:对

答案:错放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为上限频率或下限频率时，放大器增益的幅值将：

A:降为中频时的1/2倍B:降为中频时的0.707倍C:降为中频时的1.414倍D:降为1

答案:降为中频时的0.707倍在f<fL的低频区，放大电路的增益会随着信号频率的降低而增大

A:对B:错

答案:错放大电路的电压放大倍数在高频区下降的主要原因是三极管的级间电容和接线电容的影响

A:错B:对

答案:对MOS管共源极放大电路在低频信号作用时电压放大倍数数值下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。

A:对B:错

答案:对放大电路的增益带宽积为常数

A:错B:对

答案:对幅度失真和相位失真统称为:

A:频率失真B:饱和失真C:截止失真D:交越失真

答案:频率失真频率失真是一种非线性失真

A:错B:对

答案:错分析放大电路频率响应的三个分区不包含

A:低频区B:中频区C:高频区D:特频区

答案:特频区放大电路频率响应是指在输入正弦信号情况下，输出随输入信号频率连续变化的稳态响应

A:对B:错

答案:对

第七章单元测试

差分式放大电路的主要特点是()

A:同时放大差模和共模信号B:同时抑制差模和共模信号C:放大差模信号，抑制共模信号D:放大共模信号，抑制差模信号

答案:放大差模信号，抑制共模信号差分放大电路是为了（）而设置的

A:提高输入电阻B:提高放大倍数C:抑制温漂D:提高输出电阻

答案:抑制温漂双端输入、双端输出差动放大电路，设差模电压增益AVD=-150，共模电压增益AVC=0，Vi1=30mV，Vi2=20mV，则输出电压|Vo|为()

A:1.5VB:2.5VC:3VD:1V

答案:1.5V.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()

A:晶体管参数受温度影响B:电源电压不稳定C:晶体管参数的分散性D:电阻阻值有误差

答案:晶体管参数受温度影响差分放大电路由双端输出变为单端输出，则空载时差模电压增益()

A:不确定B:增加一倍C:为双端输出时的1/2D:不变

答案:为双端输出时的1/2具有理想电流源(动态电阻ro无穷大）的差分放大电路，采用不同的连接方式，其共模抑制比()

A:均为无穷小B:完全相同C:不完全相同D:均为无穷大

答案:均为无穷大共模抑制比KCMR越小，表明电路()

A:交流放大倍数越小B:输入信号中差模成分越小C:放大倍数越不稳定D:抑制温漂能力越弱

答案:抑制温漂能力越弱双端输入差分放大电路的共模输入信号等于两输入端信号的平均值。

A:错B:对

答案:对带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。

A:错B:对

答案:对由于集成运放实际上是一个直接耦合放大电路，因此它只能放大直流信号，不能放大交流信号。

A:错B:对

答案:错

第八章单元测试

放大电路的开环增益-带宽积与闭环增益-带宽积不相等。

A:错B:对

答案:错利用输出短路法，假设输出电压为零，若反馈信号不存在了，说明引入的是电流反馈。

A:错B:对

答案:错放大电路引入深度负反馈后，放大电路的增益决定于反馈网络的反馈系数，而与基本放大电路几乎无关。

A:对B:错

答案:对负反馈减小非线性失真所指的是反馈环内的失真。如果输入波形本身就是失真的，这时即使引入负反馈，也是无济于事。

A:错B:对

答案:对负反馈放大电路，(1+AF)越大，则闭环增益的相对变化量越小，闭环增益的稳定性越好。

A:对B:错

答案:对在反馈放大电路中，通常把(1+AF)称为反馈深度，则深度负反馈的条件是：

A:|1+AF|=1B:|1+AF|>1C:|1+AF|<1D:|1+AF|>>1

答案:|1+AF|>>1在某放大电路中引入了电压串联负反馈，则下列说法错误的是：

A:闭环输入电阻是开环输入电阻的AF倍。B:可使放大电路的输入电阻增大。C:可以稳定输出电压。D:可使放大电路的输出电阻减小。

答案:闭环输入电阻是开环输入电阻的AF倍。在放大电路中引入负反馈会对电路的性能产生一些影响，下列说法正确的是：

A:可以扩展带宽。B:可以提高增益的稳定性。C:可以抑制反馈环外噪声。D:可以减小反馈环内的非线性失真。

答案:可以扩展带宽。；可以提高增益的稳定性。；可以减小反馈环内的非线性失真。存在于放大电路交流通路中的反馈为交流反馈。交流反馈影响放大电路的交流性能，如：

A:静态工作点。B:输入电阻。C:增益。D:输出电阻。

答案:输入电阻。；增益。；输出电阻。放大电路引入负反馈后，下面说法正确的有：

A:增益稳定度提高。B:降低了闭环增益。C:负反馈不能使输出量保持不变，只能使输出量趋于不变。D:不同类型的负反馈能稳定的增益也不同。

答案:增益稳定度提高。；降低了闭环增益。；负反馈不能使输出量保持不变，只能使输出量趋于不变。；不同类型的负反馈能稳定的增益也不同。

第九章单元测试

若功放的效率降低了，则在电源供给功率一定情况下，放大器的输出功率和耗散功率

A:前者增大，后者减小B:前者减小，后者增大C:都减小D:都增大

答案:前者减小，后者增大乙类互补推挽功放常会

A:频率失真B:饱和失真C:交越失真D:截止失真

答案:交越失真要使互补推挽功放输出功率为50W，则须选两个异型管，每个管的PCM不小于

A:100WB:10WC:50WD:25W

答案:10W随着输出功率PO的提高，互补推挽功放输出级的电源供给功率

A:不变B:等于POC:减小D:增大

答案:增大理想情况下，单电源互补对称功放的最大输出电压Vom

A:等于VCC/2B:大于VCCC:等于VCCD:大于VCC/2

答案:等于VCC/2理想情况下，双电源互补对称功放的最大输出电压Vom

A:大于VCC/2B:等于VCC/2C:大于VCCD:等于VCC

答案:等于VCC甲乙类双电源功放用±VCC，甲乙类单电源功放用VCC，当RL相同时，甲乙类双电源功功放的最大输出功率Pom是甲乙类单电源的

A:2倍B:0.5倍C:相等D:4倍

答案:4倍乙类双电源互补对称功率放大电路，在理想情况下其最大效率为

A:25%B:75%C:50%D:100%

答案:75%在乙类单电源互补对称功率放大电路中，VCC＝24V，RL＝8Ω，理想情况下，Pom＝（）W

A:9B:7C:8D:10

答案:9甲乙类单电源互补对称功率放大电路，当功率管的饱和压降VCES增大时，最大输出功率Pom的变化情况为()

A:不变B:增加C:先增大后减小D:减小

答案:减小

第十章单元测试

只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。

A:错B:对

答案:错单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。

A:对B:错

答案:错从结构上看，正弦波振荡电路是一个无输入信号的带选频网络的正反馈放大器

A:对B:错

答案:对正弦波振荡电路维持振荡条件是

A:错B:对

答案:对低通滤波器的通带截止频率一定低于高通滤波器的通带截止频率。

A:对B:错

答案:错理想情况下，有源高通滤波器在时的放大倍数就是它的通带电压放大倍数。

A:对B:错

答案:对正弦波振荡电路的决定了电路有唯一频率的振荡波形输出。

A:反馈网络B:选频网络C:稳幅环节D:基本放大电路

答案:选频网络欲实现将正弦波电压转换成占空比50%的方波电压，应选用。

A:正弦波振荡电路B:积分电路C:过零比较器D:迟滞比较器

答案:过零比较器在RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络中的电阻均为R，电容均为C，则其振荡频率f0＝1/RC。

A:对B:错

答案:错以下电路可能产生正弦波振荡的是：

A:左下B:左上C:右下D:右上

答案:右下；右上

第十一章单元测试

直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量

A:错B:对