6.场效应管放大器-微课

场效应三极管复习：1.半导体二极管（单向导电性）

二极管=PN结+管壳+引线NP结构符号阳极+阴极-正向电流PN反向电流复习：2.PN结厚度的变化规律NPN型PNP型符号:--NNP发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极--PPN发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极复习：3.晶体三极管（输入电阻：rbe=1kΩ）从:IC

=β•IB

可以知道，三极管是电流控制电流型元件。测验11.二极管有怎样的导电特性？2.怎样改变二极管PN结的耗尽层的厚度；3.根据结构分，三极管有哪2种？4.三极管的输入电阻大约多大？5.怎样知道三极管是什么样的元件？场效应三极管广东机电职业技术学院房毅卓1场效应管的分类FET分类：

绝缘栅场效应管结型场效应管增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道二.结型场效应管

1.结型场效应管的结构（以N沟为例）：两个PN结夹着一个N型沟道。三个电极：

g：栅极

d：漏极

s：源极符号：N沟道P沟道

2.结型场效应管的工作原理

（1）栅源电压对沟道的控制作用在栅源间加负电压uGS

，令uDS=0

①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。②当│uGS│↑时，PN结加反向电压时，耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。③当│uGS│↑到一定值时，沟道会完全合拢。定义：

夹断电压UP——使导电沟道完全合拢（消失）所需要的栅源电压uGS。

由于PN结加反向电压，所以输入电流IG非常小。

这种元件叫电压控制型元件。测验21.结型场效应管的结构是怎样的？2.按结构分结型场效应管有哪几种？3.结型场效应管的3各极的名称是什么？4.为什么说结型场效应管的是电压控制型元件？5.结型场效应管的ID是怎样控制的？6.请画出2种结型场效应管的符号。

绝缘栅型场效应管(MetalOxide

SemiconductorFET)，简称MOSFET。分为：

增强型

N沟道、P沟道耗尽型N沟道、P沟道

1.N沟道增强型MOS管（劈空掌）

（1）结构

4个电极：漏极D，源极S，栅极G和衬底B。符号：虚线（变实）要增强二.绝缘栅场效应管

当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。（2）工作原理

当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。

再增加uGS→纵向电场↑→将P区自由电子聚集到P区表面→形成自由电子导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。①栅源电压uGS的控制作用NNP

定义：开启电压（UT）——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS。

N沟道增强型MOS管的基本特性：

uGS

＜UT，管子截止，

uGS

＞UT，管子导通。

uGS

越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。测验31.N沟道绝缘栅场效应管的结构是怎样的？2.增强型绝缘栅场效应管符号特点是什么？3.衬底是P型半导体，为什么叫N沟道？4.什么叫开启电压（UT）？5.ID是怎样控制的？

2.N沟道耗尽型MOSFET特点：

当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。

当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。

在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子吸引下面P型材料里的自由电子，形成了自由电子沟道。

定义：夹断电压（UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。实线（变虚）要耗尽测验41.N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构是怎样的？2.N沟道耗尽型绝缘栅场效应管符号特点是什么？3.衬底是P型半导体，为什么叫N沟道？4.什么叫夹断电压（Up）？5.ID是怎样控制的？场效应管放大电路1.自偏压电路2.分压式自偏压电路5.双极型和场效应型三极管的比较双极型三极管

单极型场效应管载流子2