模拟电子技术试题库与答案

模拟电子技术试题库与答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。A、三价；B、六价。C、四价；D、五价；正确答案：A2.集成运放工作在非线性应用电路时，（）的概念不再适用。A、基准B、虚短C、虚断D、虚地正确答案：B3.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。A、仍为正弦波。B、等腰三角波；C、矩形方波；D、正弦半波；正确答案：D4.差分放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。A、正确;B、错误正确答案：A5.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（）A、错B、对:正确答案：A6.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。A、截止状态；B、饱和状态；C、放大状态。正确答案：B7.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。正确答案：A8.场效应管正常工作时，电路中的电流是由（）构成的。A、多子B、自由电子载流子C、少子D、空穴载流子正确答案：A9.若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏正确答案：B10.绝缘栅型场效应管的输入电流()。A、为零;B、较小;C、无法判断。D、较大;正确答案：A11.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。()A、正确;B、错误正确答案：B12.在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体。A、四价B、三价C、五价正确答案：B13.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是()两个重要概念。A、虚短和虚地B、虚断和虚地C、线性和非线性D、虚短和虚断正确答案：D14.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。（）A、错B、对:正确答案：B15.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。A、放大电路的电压增益;B、不失真问题;C、管子的工作效率。正确答案：B16.N型半导体中的多数载流子是（）A、负离子B、空穴C、正离子D、自由电子正确答案：D17.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.6mA和3.66mA,该晶体管的β等于()A、50B、60C、61D、100正确答案：B18.二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。A、正确;B、错误正确答案：B19.放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。()A、正确;B、错误正确答案：B20.放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。（）A、对:B、错正确答案：A21.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。A、交越B、饱和C、频率D、截止正确答案：B22.P型半导体中的少数载流子是()A、负离子B、自由电子C、正离子D、空穴正确答案：B23.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）A、对:B、错正确答案：B24.稳压二极管的正常工作状态是()。A、任意状态B、反向击穿状态C、导通状态D、截止状态正确答案：B25.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共基放大电路B、共射放大电路C、共漏放大电路D、共集放大电路正确答案：B26.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。A、放大电路的电压增益B、管子的工作效率C、不失真问题正确答案：C27.正常工作在反向击穿区的特殊二极管是（）。A、稳压二极管B、光电二极管C、变容二极管D、发光二极管正确答案：A28.普通放大电路中存在的失真均为交越失真。()A、错误B、正确;正确答案：A29.三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C30.理想集成运放的开环放大倍数Au0为（）。A、∞；B、0；C、不定。正确答案：A31.差动放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。（）A、对:B、错正确答案：A32.P型半导体中多数载流子是______。A、自由电子B、空穴C、PN结正确答案：B33.晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。（）A、错B、对:正确答案：A34.放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。()A、正确;B、错误正确答案：A35.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。（）A、对:B、错正确答案：B36.集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。（）A、错B、对:正确答案：B37.双极型半导体器件是()。A、晶体三极管;B、场效应管;C、稳压管。D、二极管;正确答案：A38.微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。()A、正确;B、错误正确答案：B39.PNP型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。A、发射结反偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结正偏D、发射结正偏、集电结反偏正确答案：D40.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。（）A、错B、对:正确答案：A41.为了抑制2kHz以下的信号，应采用（）电路。A、带阻B、带通C、低通D、高通正确答案：D42.共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。()A、正确;B、错误正确答案：B43.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。正确答案：A44.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的()A、减轻前级或信号源负荷B、带负载能力差C、带负载能力强正确答案：C45.晶体三极管的输出特性曲线上可分为（）A、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区B、放大区、饱和区和截止区三个分区C、恒流区、放大区和截止区三个分区D、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区正确答案：B46.共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。()A、错误B、正确;正确答案：A47.因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、交越失真B、饱和失真C、频率失真D、截止失真正确答案：C48.射极输出器的电压放大倍数等于1,因此它在放大电路中作用不大。()A、正确;B、错误正确答案：B49.无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。A、错误B、正确;正确答案：A50.集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。（）A、错B、对:正确答案：A51.单极型半导体器件是()。A、稳压管。B、场效应管;C、二极管;D、晶体三极管;正确答案：B52.P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、六价。B、三价;C、四价;D、五价;正确答案：B53.P型半导体中的多数载流子是()A、空穴B、正离子C、自由电子D、负离子正确答案：A54.理想集成运放的两个重要结论是()。A、虚断与虚短;B、虚短与虚地;C、断路与短路。正确答案：A55.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是（）两个重要概念。A、线性和非线性B、虚短和虚地C、虚短和虚断D、虚断和虚地正确答案：C56.N型半导体中的多数载流子是()A、空穴B、正离子C、负离子D、自由电子正确答案：D57.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的()A、带负载能力差;B、带负载能力强;C、减轻前级或信号源负荷。正确答案：B58.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。A、正确;B、错误正确答案：B59.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（）A、错B、对:正确答案：B60.集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时,运放处于()A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D61.正弦电流经过二极管整流后的波形为()。A、仍为正弦波。B、正弦半波;C、矩形方波;D、等腰三角波;正确答案：B62.在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体。A、四价B、三价C、五价正确答案：C63.共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。（）A、对:B、错正确答案：B64.绝缘栅型场效应管的输入电流()。A、为零B、无法判断C、较大D、较小正确答案：A65.理想集成运放的输出电阻为（）。A、∞；B、0；C、不定。正确答案：B66.场效应管的g极是它的()。A、漏极B、源极C、发射极D、栅极正确答案：D67.晶体三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率PCM;D、管子的电流放大倍数。正确答案：C68.晶体三极管的B极是它的()。A、基极B、集电极C、发射极D、栅极正确答案：A69.双极三极管是一种（）A、电压控制的电压源B、电流控制的电压源C、电压控制的电流源D、电流控制的电流源正确答案：D70.单极型半导体器件是（）。A、稳压管。B、双极型三极管；C、二极管；D、场效应管；正确答案：D71.当反馈深度|1+AF|=0时,放大电路()A、出现深度负反馈B、出现正反馈C、出现负反馈D、出现自激振荡正确答案：D72.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是()A、射极输出器B、共集电放大电路C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案：C73.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。（）A、对:B、错正确答案：A74.P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、五价B、六价C、三价D、四价正确答案：C75.基本放大电路中，经过晶体管的信号有（）。A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。正确答案：B76.双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。A、错误B、正确;正确答案：A77.测得NPN三极管各电极对地电压分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则该管必工作在（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区正确答案：A78.场效应管正常工作时,电路中的电流是由()构成的。A、多子B、少子C、空穴载流子D、自由电子载流子正确答案：A79.集成运放的非线性应用存在（）现象。A、虚地；B、虚断和虚短。C、虚断；正确答案：C80.理想集成运放的开环放大倍数Au0为()。A、∞;B、0;C、不定。正确答案：A81.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。正确答案：B82.差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（）A、对:B、错正确答案：A83.MOS管形成导电沟道时，总是有两种载流子同时参与导电。（）A、错B、对:正确答案：A84.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、Ic=βIbB、I=βIbC、Ie=βIb正确答案：A85.共发射极放大电路的反馈元件是（）。A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。正确答案：B86.PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A、多子扩散B、多子漂移C、少子漂移D、少子扩散正确答案：A87.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）A、可防止交越失真的产生B、可最大限度的减小零点漂移C、集成工艺难于制造大容量电容D、可获得很大的放大倍数正确答案：C88.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是()A、提高输入电阻B、克服温漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：B89.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用()A、直接耦合B、阻容耦合C、光电耦合D、变压器耦合正确答案：A90.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：B91.集成运放电路采用直接耦合方式是因为()A、可防止交越失真的产生B、可最大限度的减小零点漂移C、集成工艺难于制造大容量电容D、可获得很大的放大倍数正确答案：C92.晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。（）A、对:B、错正确答案：B93.单极型半导体器件是()。A、稳压管B、双极型三极管C、二极管D、场效应管正确答案：D94.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。A、正确;B、错误正确答案：B95.基极电流iB的数值较小时,易引起静态工作点Q接近()。A、截止区;B、饱和区;C、死区D、非线性区正确答案：A96.PNP型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。A、发射结反偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结正偏、集电结正偏正确答案：C97.对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:()A、ie=βicB、ie=βibC、ic=βib正确答案：C98.射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（）A、带负载能力差；B、带负载能力强；C、减轻前级或信号源负荷。正确答案：B99.N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电