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文档简介
一、单项选择题（16232分要得到P型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的 三价元 B．四价元C．五价元 理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u0为 某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在 场效应管的转移特性如题4图所示，则该管为 A．PB．PC．ND．N 在双端输入单端输出的差动放大电路中，差模电压放大倍数Ad2=50，共模电压放大倍数Ac=0.5，若输入电压uil=80mV，ui2=60mV，则输出电压uo2为（ B．- 题8图所示电路，集成运放的最大输出电压为±12V，下列说法正确的是 B．F=A l2．函数F=AB+ABC+AC+ADE的最简与或式为（ B．F=BC+A D．F=A+A题13图所示电路中，次态方程Qn+1为 A．(A+B)QnB．(A+B)Qn+AC．AB+Qn由与非门构成的基本RS触发器，要使Qn+1=1输入信号应为 B．单稳态触发C．施密特触发 如题16图所示电路，输出函数F的表达式为 A．F=AC．F=B二、填空题（14114分 控制器件 要放大频率f=0.5Hz的正弦信号，应选 差动放大电路两个输入端的信号分别为ui1和ui2，当ui1=ui2时，则 27．T触发器的特征方程 逻辑函数F=A⊙B的与或表达式 由555构成的施密特触发器，若电源电压Ucc=9V，电压控制端5脚经0.01μF 三、分析计算题(6530分31rbe=1.5KΩ，β=100U
CEAu32POMV3和V42V333436图。设每管的β=100，rbe=1.5KΩAd四、设计、画波形题（4624分u0=2ui1+4ui2+ui315KΩ，指出A1，A2uiu01和u0的幅值RSRD，SD39Q和Q74LS161集成四位二进制计数器组成十进制计数器，
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