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文档简介
1.2相关知识1.2.2二极管总目录下页
在PN结的两端各引出一根电极引线,然后用外壳封装起来就构成了半导体二极管,由P区引出的电极称为正极(或阳极),由N区引出的电极称为负极(或阴极),其结构示意图如图1-7(a)所示,电路符号如图1—7(b)所示,电路符号中的箭头方向表示正向电流的方向。1.2.2二极管下页上页首页图1-7二极管的结构和符号1.二极管的结构与符号
按PN结面积的大小,半导体二极管可分为点接触型和面接触型两大类。点接触型二极管的PN结面积很小,结电容小,不允许通过较大的电流,不能承受较高的反向电压,但其高频性能好,适用于作高频检波、小功率电路和脉冲电路的开关元件等。
面接触型二极管的PN结面积大,结电容大,可以通过较大的电流,能承受较高的反向电压,适用于低频电路,主要用于整流电路。
按照用途的不同,二极管分为整流、检波、开关、稳压、发光、快恢复和变容二极管等。常的二极管有金属、塑料和玻璃三种封装形式,其外形各异。下页上页首页
二极管由一个PN结构成,因此,它的特性就是PN结的单向导电特性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。二极管的伏安特性,就是指二极管两端的电压U和流过二极管的电流I之间
的关系。若以二极管两端的电压U为横坐标,流过二极管的电流I为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应点用平滑曲线连接起来,就得到了二极管的伏安特性曲线,如图1-9所示(图中实线为硅二极管的伏安特性曲线,虚线为锗二极管的伏安特性曲线),下面就二极管的伏安特性曲线进行说明。2.二极管的伏安特性下页上页首页
(1)正向特性
二极管两端加正向电压时,电流和电压的关系称为二极管的正向特性。下页上页首页
当正向电压比较小时(0<U<Uth),外电场不足以克服PN结的内电场对多子扩散运动造成的阻力,正向电流极小,二极管呈现为一个大电阻,此区域称为死区,电压Uth称为死区电压(又称门槛电压)。
在室温下硅管Uth≈0.5V,锗管Uth≈0.1V,如图1-9中OA(或OA/)段所示。图1-9二极管的伏安特性曲线
当外加正向电压大于Uth时,PN结的内电场大为削弱,二极管的电流随外加电压增加而显著增大,电流与外加电压呈指数关系,二极管呈现很小的电阻而处于导通状态,硅二极管的正向导通压降约为0.7V,锗二极管的正向导通压降约为0.3V,如图1-9中AB(或AB/段)所示。
二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,防止PN结被烧。下页上页首页
(2)反向特性
二极管两端加上反向电压时,电流和电压的关系称为二极管的反向特性,由图1-9中OC(或OC’段)所示,二极管的反向电流很小,且与反向电压无关,因此,称此电流值为二极管的反向饱和电流,这时二极管呈现很大的电阻而处于截止状态,一般硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小很多,在室温下,小功率硅管的反向饱和电流小于0.1微安,锗管为几十微安。下页上页首页
(3)反向击穿特性
当加在二极管两端的反向电压增大到UBR时,二极管内PN结被击穿,二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大,如图1-9中CD(或CD/)段所示,称此现象为反向击穿,UBR为反向击穿电压。反向击穿后,只要反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率,二极管一般不会损坏。若反向电压下降到击穿电压以下后,其性能可恢复到原有情况,即这种击穿是可逆的,称为电击穿;若反向击穿电流过高,则会导致PN结结温过高而烧坏,这种击穿是不可逆的,称为热击穿。下页上页首页
(4)温度对特性的影响
温度对二极管的特性有显著的影响,如图1-10所示。当温度升高时,正向特性曲线向左移,反向特性曲线向下移。变化规律是:在室温附近,温度每升高1℃,正向压降约减小2~2.2mV,温度每升高
10℃,反向电流约增大一倍。若温度过高,可能导致PN结消失。一般规定硅管所允许的最高结温为50-200℃,锗管为75-150℃。下页上页首页图1-10温度对二极管伏
安特性的影响
实用中一般通过查器件手册,依据参数来合理使用二极管。二极管的主要参数有:
(1)最大整流电流IF
:指二极管长期连续工作时,允许通过的最大正向电流的平均值。使用时若超过此值,二极管会因过热而烧坏。点接触型二极管的IF
较小,面接触型二极管的
IF较大。
(2)最高反向工作电压
URM:指二极管正常工作时,允许施加在二极管两端的最高反向电压(峰值),通常手册上给出的最高反向工作电压URM为击穿电压UBR的一半。3.二极管的主要参数下页上页首页
(3)反向饱和电流
IR
:指二极管未击穿时的反向电流值。其值会随温度的升高而急剧增加,其值越小,二极管单向导电性能越好。反向电流值会随温度的上升而显著增加,在实际应用中应加以注意。(4)最高工作频率
fM
:指保证二极管单向导电作用的最高工作频率。当工作频率超过fM时,二极管的单向导电
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