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DB52DB52/T860—20135KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范Detailspecificationforsilicontransientvoltagesupprossordiodeofseries5KP2013-12-06发布2014-02-01实施贵州省质量技术监督局发布I 1 1 1 1 3 8 9 9 9 1本标准规定了5KP12、5KP16、5KP33、5KP51、GB/T2423.3电工电子产品基本环境试验规程试验CGB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第GB/T4937半导体分立器件机械和GB/T6571半导体器件分立器22一正极。GL注：L₂为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度。型号WPWAA℃℃3中的值注1:tp=1ms、t₂=10μs,峰值脉冲电流波形见附录A图A2。注2:当TA>25℃时，器件按0.024W/℃的速率线性降额。3主要电特性（除非另有规定，TA=25℃)见表3。123456R1ZMBRPVVVVAV1111111114所有试验都是非破坏性的（GB/T4589.5R1见表2第V3V75快速温度变化反向漏电流测R13/s见表2第见表2VR1在Y1方向上按196000m/s2见表2第见表2VR1）在TA=25℃下，施加峰值脉6R见表2VR2V（BR）3w=300µsD≤2%VFSMR1V7R1见表2第2栏V快速温度变化反向漏电流测R13/s见表2第2栏V1见表2第2栏V1见表2第2栏V8R1VR2）在TA=125℃下，对器件施加VRV9器件应贮存在温度-10℃~40℃和相对湿度不大于80%的干燥、通风、无腐蚀性气体影响的库房内。9.1器件的最大额定值是指对器件能够安全使用的工作条件和环境条件的9.2为了有利于提高器件工作的可靠性，应考虑对器件的最大额定值参数GRaGRaRVSD10.9IPP0.5IPPt0.1IPPtA.4测

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