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DB35DB35/T1873—2019热喷涂旋转硅靶材通用技术条件Generaltechnicalspecificationforthermalsprayingrotarysilicontarget福建省市场监督管理局发布I 1 1 1 3 3 41YS/T935电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报VON2涂层密度(ρ)应大于等于2.2g/cm3，且密度均匀性偏差应小于等于±2%。34.1.1不锈钢衬管单根产品进行破坏性取样，取样位置分别为涂层两端和中间位置，取三组样品，每组重量在5g~10g，按GB/T1423的规定测试。密度均匀性偏差根据三组样品的测试密度数值计算，取三组4.5.2涂层电阻率4_________________________________

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