硅材料生产技术学习通超星期末考试答案章节答案2024年

硅材料生产技术学习通超星期末考试章节答案2024年氧在硅中的分凝系数大于1，因此其分布为（

）。

答案:底部低上部高/star3/origin/7c9cbe4ef5bbd3c0195afd103d5a679b.png

答案:1=2<4=5<3界面稳定性理论认为界面上出现任何周期性的干扰都可以考虑为正弦干扰，界面的稳定性取决于正弦波的（

）。

答案:振幅随时间的变化率沿界面的（

）效应会使界面趋于稳定，（

）效应造成界面不稳定，这两者时对界面稳定性产生影响的互为矛盾的两个因素。

答案:扩散;界面能在柱状晶生长过程中，对其形状应先过的主要因素是（

）。

答案:热量的传输；热流；热流的情况铸锭多晶硅的纵截面组织一般由细柱状晶区、（

）和细小的树枝晶区。

答案:粗大柱状晶区；柱状晶区；大柱状晶晶粒互相接触后发生核心互相吞并，吞并机制主要有（

）。

答案:表面扩散机制;热运动机制;气相转移机制可以通过（

）粗略判断铸锭多晶硅固液界面的形状。

答案:纵截面电阻率等值线;晶体生长趋势多晶硅铸锭定向凝固生长技术包括（

）。

答案:浇铸法;布里奇曼法;热交换法;电磁铸锭法全自动硅片清洗机利用超声波产生的高频机械振动，即（

）冲击工件表面，同时结合清洗剂的去污作用使工件快速洁净。

答案:空化效应电镀金刚线利用电镀金属作为金刚石颗粒与钢线的结合剂，镀层与钢线表面产生（

）结合。

答案:冶金凡是有两个或两个以上含有独对电子的分子或离子与具有空的价电子轨道的中心原子或离子结合而成的结构单元称为（

）；占据在中心位置的离子称为（

）；周围配位着一定数量的带相反电荷的离子或呈电中性的分子，称为（

）；不在内层里面的其他离子在距离中心离子较远的地方组成（

）；内配位层中离子或中性分子的总数叫做络合离子形成体的（

）。

答案:络合单元;络合离子;配位体；内配位层;外配位层;配位数化学试剂通常按其纯度分为优级纯、（

）和化学纯三个级别。通常硅切割片和研磨片的清洗可以使用（

）试剂。

答案:分析纯;分析纯金刚线切割多晶硅片的表面反射率相比传统的砂浆线切割高，常规的酸制绒难以在其表面刻蚀出有效的减反射绒面，（

）技术的出现，这一难题得到了成功的解决。

答案:湿法黑硅制绒；黑硅；黑硅制绒；湿法黑硅金刚线根据固定金刚石的方法主要分为树脂金刚线和（

）两种。

答案:电镀金刚线金刚线切割机的主辊设计更紧凑，缩小中心距和减小主辊直径以缩短金刚线跨距。主辊直径变小会导致（

）。

答案:主辊变形大;主辊应力大; 转速过高水溶性线切割液综合技术性能质量不包括（

）。

答案:抗PID性能根据相似相溶原理，一般在使用甲苯、丙酮清洗后，再使用（

）进行处理才能用水冲洗。

答案:乙醇机械抛光的加工对象为滚磨后的平面和圆面，通常采用（

）和（

）两种方法进行抛光。

答案:组合毛刷;精细磨石利用连续移动的细金属丝作电极，对工件进行脉冲火花放电蚀除金属、切割成型的技术称为（

）。

答案:电火花线切割技术；电火花线切割加工（

）工序是将大块的硅锭切割成所需要的长方体或者棱柱体。

答案:开方钢线运动系统对硅片质量的影响因素主要有线速和（

）。

答案:线张力多晶硅片切片由硅锭开方、硅块切磨、硅块粘胶、（

）、硅片清洗和（

）等几道工序构成

答案:硅块切片；切片;硅片分选包装；分选包装一个连续系列批被提交验收抽样时，可允许的最差过程平均质量水平为（

）。

答案:接收质量限洁净室的维护管理首先就是对人的管理，具体的措施有（

）。

答案:洁净服专人保管，定期清洗处理;进行空气吹淋处理;按规定穿戴洁净服;人员数量应是维持室内生产作业的最少人员硅片表面沾污大致可分为（

）。

答案:有机杂质沾污;金属杂质沾污;颗粒类杂质沾污位错既可以接收电子也可以提供电子。

答案:对铁硼复合体是电活性的,能引入深能级。在200℃以上热处理或在太阳光长时间照射时,铁硼复合体会重新分解。

答案:对金属杂质的浓度分别为上部和底部区域高,在中部的浓度较低。

答案:错碳在硅中主要处于替位位置,属于非电活性杂质,因此多晶硅中的碳不影响其电学性能。

答案:错多晶铸锭炉的炉室为夹层架构,中间通冷却水冷却炉室表面温度。

答案:对铸造多晶硅不能使用微电子工业单晶硅生产的剩余料。

答案:错拉速曲线一般为匀速下降的线性曲线。

答案:错判断收尾的时间很重要,收尾太早,容易断苞,合格率降低;收尾太晚,造成浪费。

答案:错放肩角度必须适当,如果角度太小,则晶体实收率低;角度过大,容易造成熔体过冷,甚至产生位错和位错增殖。

答案:对直拉单晶硅装料时应该首先在底部铺平板料,然后铺大块料,最后用边角或小块料填缝。

答案:错母合金晶体使用时切成0.5-1.0mm的薄片,是为了使用时容易碎成小块,称重时方便微量调节。

答案:对切割籽晶用的单晶电阻率应高一些,这样无论拉制低阻单晶、高阻单晶,N型的、P型的都可以用。但是已经拉制过单晶的旧籽晶不能随便使用,拉制过不同型号的旧籽晶也不能混用。

答案:对除了吸引力的大小之外,被接纳的原子首先必须考虑的是和晶体的结构相吻合。

答案:对为了使晶体不断长大,一方面要求液相必须能连续不断地向结晶界面供应原子,另一方面结晶界面不断地牢靠地接纳原子,晶体生长主要由后者控制。

答案:对晶体生长过程中引入的缺陷称为____。

答案:原生缺陷硅中的金属杂质一般以间隙态、____、复合体或____的形式存在

答案:替位态;沉淀在低温热处理时,过饱和的氧一般形成____;在相对高温热处理或多步热处理循环时,过饱和的氧形成____。

答案:氧施主;氧沉淀氧在硅中的分凝系数为1.25左右,因此氧浓度一般从先凝固的晶锭底部到最后凝固的晶锭上部逐渐____。

答案:降低;减小;减少多晶硅铸锭主要分为喷涂、备料及____三部分工序。

答案:铸锭多晶铸锭炉的控制系统中____完成控制工艺的设置、控制过程的监控及各种反馈信息,记录整个硅结晶过程的各种参量的变化情况,生成相应的图表。____以智能控制系统为主体,完成对温度的控制、真空度及氩气的压力控制、隔离笼的提升控制、多晶硅结晶的速度及冷却水流量等的检测。

答案:上位机;下位机多晶硅铸锭炉中保持工艺要求的关键是____系统。

答案:加热多晶硅铸锭炉通常由钢结构平台及炉体、真空供气系统、____与控制系统、____系统、水冷却系统等组成。

答案:电源供应;加热隔热铸锭采用的管式长晶炉分为____、梯度区和冷却区。

答案:加热区进行热场设计,使得硅熔体在凝固时自底部开始到上部结束,其固液界面始终保持与水平面平行,称为____。

答案:平固液界面凝固技术根据界面稳定性理论,当温度梯度超过一临界值时,其稳定化效应会完全克服溶质扩散的不稳定化效应,这时无论凝固速度如何,界面总是稳定的,这种绝对稳定性称为____。

答案:高梯度绝对稳定性将界面上出现的周期性干扰考虑为正弦干扰,根据界面稳定性理论,界面的稳定性取决于正弦波的____。

答案:振幅随时间的变化率单位时间内,某杂质从熔体单位面积上蒸发出来的原子数与熔体中杂质浓度之比称为杂质的____。蒸发效应常以该常数和____来描述。

答案:蒸发速度常数;时间常数;蒸发时间常数电子器件在不同的温度下性能有差异,采用一些措施抑制这种差异的影响称为____。

答案:温度补偿拉制低电阻率单晶(小于10-2Ω·cm),一般选用____作掺杂剂;拉制较高电阻率的单晶(大于10-1Ω·cm),一般选用____做掺杂剂。

答案:纯元素;母合金目前大直径的石英坩埚均采用____法生产。

答案:电弧区熔单晶过程中,多晶硅棒受到____、电磁托力、____和离心力几个方面的作用力。熔体之所以可以被支撑在单晶与棒料之间,主要是由于硅熔体____的作用。

答案:表面张力;重力;表面张力晶核的临界半径rC的大小与溶体的过冷度有直接关系,过冷度越大,临界半径就越____。

答案:小单晶硅生长时,热场中温度梯度有多种,对结晶状态影响最大的是____,它在一定程度上决定着单晶的质量。

答案:生长界面处的温度梯度;(dT/dr单位距离内温度的变化率为____。

答案:温度梯度____也称为温度场,指的是热系统内的温度分布状态。

答案:热场过冷的温度于熔点的温度差称为____,该值越大,结晶速度越____。

答案:过冷度;快位错对多晶硅的影响主要有()。

答案:杂质偏聚、沉淀,造成新的电活性中心;产生补偿作用;扩散增强金属在硅中沉淀的密度和形态与()有关。

答案:形核方式;冷却速率;扩散速率如果高温热处理后冷却速率很快,金属的扩散速率相对较慢,晶体硅中金属为()。

答案:间隙态;替位态氢对于晶体硅中的主要杂质氧作用主要表现为()。

答案:增强氧施主生成;促进氧的扩散;增强氧沉淀生成;形成复合体氮在铸造多晶硅中的存在形式有()。

答案:氮氧复合体;沉淀态;氮对铸造多晶硅中的碳杂质对氧杂质的影响有()。

答案:形成大量的C-O复合体;吸附在氧沉淀和基体的界面上,降低氧沉淀的界面能;引起晶格形变,吸引氧原子聚集,形成氧沉淀核心氧沉淀的影响因素很多,其中哪些是氧沉淀的主要影响因素?()

答案:热处理的时间;热处理的温度;初始氧浓度铸造多晶硅中坩埚涂层的作用为()。

答案:降低多晶硅中的氧、碳杂质浓度;坩埚可能重复使用,降低生产成本;解决坩埚和硅料的黏滞问题直熔法生产铸锭多晶硅的优点有()。

答案:生长的硅锭质量较好;晶体生长过程易控制、易自动化;“原位”热处理降低硅锭内的热应力直拉单晶硅化料过程中,温度控制不当会造成()。

答案:温度太低,影响生产效率;温度过高,影响单晶质量,反应过于剧烈甚至会发生喷硅现象;温度过高,导致坩埚、炉壁、炉底产生变形;温度过高,硅蒸气大量聚集容易拉弧造成过流直拉单晶硅过程中使用的氩气要进行检测,检测项目主要有()。

答案:露点;纯度;氧含量区熔硅单晶的掺杂方法主要有()。

答案:填装法;中子嬗变掺杂;气相掺杂法;液体掺杂有效分凝系数Keff是和熔体性质、结晶速度、杂质的扩散系数及熔体的搅拌情况有关的一个物理量,通过()方式可以增大有Keff。

答案:增大熔体粘滞系数;增大结晶速度;增加杂质富集层或贫乏层厚度;减小扩散系数通常晶体生长速度受()过程的限制。

答案:硅原子在结晶界面上按晶格位置排列的速度;熔硅热量的传递速度;结晶界面处结晶潜热的释放速度下面哪种铸锭方法可以实现连续化生产?()

答案:电磁铸锭法通常硅锭的晶粒尺寸分布为()。

答案:上大下小、中间大边缘小根据成分过冷理论和MS理论,固液界面形态有(a)平面状、(b)绝对稳定性平面、(c)枝状、(d)胞状。随着凝固参数G/v的减小,固液界面形态变化顺序为()

答案:adcb磁控直拉生长技术产生的磁致()控制了流体的运动,也减少了熔体的温度波动,可以达到控制()的目的。

答案:粘滞性、氧含量从晶体的外观可以判断晶体是否为无位错,<111>单晶会有()条轴对称的“棱线”。

答案:3氧在硅中的分凝系数大于1,因此其分布为(

)。

答案:底部低上部高在结晶前沿处,只有很薄的一层熔体是低于熔化温度的(过冷度为1℃左右),其余部分的熔体都是处于过热状态,这样可以抑制自发形核,该理论为()。

答案:科塞耳理论太阳能电池串联电阻对开路电压无明显影响,但填充因子和短路电流会随串联电阻的增加而减小;并联电阻对短路电流无明显影响,但随着并联电阻的减小开路电压和填充因子都会减小。

答案:对太阳能电池的短路电流等于光生电流,是能够输出的最大电流。

答案:对同质结和异质结载流子转移机制不同。对于同质结,主要是浓度梯度所引起的扩散;对于异质结,主要是功函数不同所引起的热发射。

答案:对半导体材料的能带是连续分布的,光吸收表现为连续的吸收带。

答案:对IBC(交叉背接触电池)正面无金属接触,背面的正负电极接触区域呈叉指状排列,p-n结位于电池背面。

答案:对PERT指的是钝化发射极背表面全扩散电池,为典型的双面受光、双面发电电池。

答案:对根据国家标准,太阳能电池只能以转换效率做为分选的依据。

答案:错电化学腐蚀法形成的黑硅由于多孔硅的孔径太小,与后续钝化和合金化工艺不兼容,不适用于太阳电池的制备。

答案:对为了提高减反射效果,通常要求制绒深度要深一些。

答案:错光固化树脂金刚线指的是利用紫外光固化树脂作为结合剂,通过紫外光照射固化使金刚石固定在线芯上而形成的金刚线。

答案:对硅片表面或边缘非穿通性的缺损称为缺口。

答案:错WARP与硅片可能存在的任何厚度变化无关,更能全面反映硅片的形变状态。

答案:对在硅片生产中通常采用全检的方式进行检验。

答案:错强制性标准必须执行,不符合强制性标准的产品禁止生产、销售和进口。

答案:对企业标准通常比国家标准或行业标准略松。

答案:错硅片在经过每一道工序加工后都要进行清洗,且硅片清洗的环境洁净度也要逐级提高。

答案:对单晶切方滚磨设置好磨削进给量、旋转速度与进给速度后,一次性滚磨成功。

答案:错太阳能电池标准测试条件(STC)为温度25℃,光强1000W/m2,大气质量____。

答案:AM1.5以光照射侧的p-i型a-Si:H膜和背面侧的i-n型a-Si:H膜夹住晶体硅片,在两侧的顶层形成透明的电极和集电极,构成____电池。

答案:本征薄膜异质结;HIT减反射膜的光学参数主要有厚度的均匀性和____。

答案:折射率POCl3分解产生的P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子,在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2,称之为____。

答案:磷硅玻璃;PSG扩散制结时首先通入三氯乙烷TCA,高温氧化分解后,产生的氯分子与重金属原子化合后被气体带走,达到____的目的。

答案:清洗石英管道电池片外观呈黑色或近于黑色的微纳米绒面结构电池称为____电池,主要是由____大量减少造成的。

答案:黑硅;表面反射；反射全自动硅片清洗机利用超声波产生的高频机械振动,即____冲击工件表面,同时结合清洗剂的去污作用使工件快速洁净。

答案:空化效应电镀金刚线利用电镀金属作为金刚石颗粒与钢线的结合剂,镀层与钢线表面产生____结合。

答案:冶金金刚线根据固定金刚石的方法主要分为树脂金刚线和____两种。

答案:电镀金刚线硅片总厚度变化(TTV)检验可以采用____测量和扫描式测量两种方式进行。

答案:分立点式;五点法硅片中线面与一基准平面之间的最大距离与最小距离的差值称为____。

答案:翘曲度;WARP线切割过程中由于钢线运动形成的凹凸痕迹称为____。

答案:线痕实际生产中各硅片的厚度不可能完全一致,需要有一个范围来约束,这个范围称为____。

答案:厚度公差硅片的线牵引技术主要利用____,将两条具有热抗性的石墨纤维线穿过熔硅,用于稳定带硅的边缘,提升石墨纤维线直接将一定厚度的带硅从熔硅中拉出。

答案:表面张力利用连续移动的细金属丝作电极,对工件进行脉冲火花放电蚀除金属、切割成型的技术称为____。

答案:电火花线切割技术;电火花线切割加工当样本中不合格数≤接收数Ac时,该样本所代表的检验批被判为____。（合格或不合格）

答案:合格一个连续系列批被提交验收抽样时,可允许的最差过程平均质量水平为____。

答案:接收质量限超声波清洗工艺的主要影响因素有超声波频率、超声波____、超声波清洗____、超声波清洗温度和工件放置方式。超声波频率越____,在液体中产生空化越容易,作用也越强,但是方向性差。

答案:功率密度;介质;低脱胶主要使用全自动硅片脱胶机,其流程为冲洗、超声和____脱胶。

答案:加热线切割机的线轮分放线轮和收线轮,____通常是固定的型号,____线轴具各种型号。

答案:收线轮;放线轮由于复合、吸收等作用,量子效率曲线低于理想曲线,其中红光响应部分降低是由于()。

答案:短扩散长度;长波长的吸收减少;背表面反射通过()途径可以提高太阳能电池开路电压。

答案:增加各区掺杂浓度;减小暗电流;减少载流子复合太阳能电池等效电路中,串联电阻包括()。

答案:材料本身的电阻率;金属电极与半导体的欧姆接触与PERC电池相比,N-PERT电池具有()优点。

答案:弱光响应好;没有用到激光工艺,不对硅片造成额外损伤;无光致衰减;印刷后不产生翘曲分选测试机试系统单元能够获得()数据。

答案:待测电池片的性能指标;光