28-基于VoLTE的eSRVCC切换关键问题及策略研究分析-上海联通网络优化中心V3（杨飞虎）

上海联通网络优化中心系统优化处主管，集团网优战略人才专家，从事移动网规划优化、无线网集中评估和新技术专项研究工作。杨飞虎VoLTE的eSRVCC切换关键问题及策略研究分析上海联通网络优化中心杨飞虎背景VoLTE开启了向移动宽带语音演进之路，其给我们带来两方面的价值，一是提升无线频谱利用率、降低网络成本，另一个价值就是提升用户语音感知体验。上海无线环境复杂，在4G覆盖边缘或深度覆盖区域如何保障用户语音感知，需在VoLTE业务商用前研究制定一套完善的VoLTE会话持续性策略。BestVoice更短的呼叫建立时延更好的语音质量

<6.8sCSFB<5sUltra-FlashCSFB<3sVoLTENB-AMR12.2kbpsWB-AMR23.85kbpsGSMHR4.8kbps语音网络结构演进All-IP电路连接>4.0MOS<1sSetupTimeVoLTE>400VoLTEUsersperCell<4sSetupTimeUltra-FlashCSFBVoLTE语音连续性解决方案-SRVCC的引入及演进LTE网络建设初期，其覆盖范围有限，当用户在使用LTE网络进行语音通话过程中，移动到LTE信号较弱，但GERAN/UTRAN网络信号覆盖较好的区域时，3GPP在R9中提出了SRVCC（SingleRadioVoiceCallContinuity）。但由于此方案需要在IMS域创建新的承载，延时较长，用户体验较差。演进eSRVCC功能与SRVCC相比，eSRVCC在保证语音呼叫连续性的同时，尽可能地减小了切换时延，将时延控制在人类所能感知的范围之内，使正在进行的通话不会感觉到有中断的迹。SRVCCeSRVCCeSRVCC切换策略制定原则及切换过程分析宏站设置时主体以路面感知为导向，根据城区与郊区的不同场景分别设置，重点场景涉及的宏站单独设置，根据MR采样点，在路面参数方案上适当调整，减少掉话风险。室分场景分电梯场景（快衰）与一般场景（慢衰），快衰场景eSRVCC触发流程建议使用B1算法，以加快切换速度，避免信号衰落较快导致掉话，慢衰场景可使用B2算法。测量阶段从A2事件触发/B2测控下发至B2事件上报。准备阶段从B2事件上报至切换命令。执行阶段从切换命令至切换完成。测量阶段和准备阶段时延影响eSRVCC切换成功率，执行阶段会语音中断，影响用户感知。eSRVCC切换流程参数门限分宏站和室分两类场景eSRVCC切换过程分测量、准备、执行基于MOS值设置eSRVCC切换门限分析目前对于MOS值的统计是针对MOS均值以及MOS值如下占比：语音MOS质量＝（MOS>=2.5个数）/（MOS个数）×100％语音MOS质量＝（MOS>=3.0个数）/（MOS个数）×100％语音MOS质量＝（MOS>=3.5个数）/（MOS个数）×100％语音MOS质量取主、被叫手机的统计结果，按照分段出具采样点统计。统计上海网格第一轮长呼VOLTE拉网MOS统计结果，如下表所示：网格MOS>=3比例MOS>=3.5比例MOS均值LTE覆盖率RTP丢包率语音MOS质量＝（MOS>=3.0个数）/（MOS个数）语音MOS质量＝（MOS>=3.5个数）/（MOS个数）LTE覆盖率（RSRP>=-110&SINR>=-3）=LTE条件采样点/覆盖率计算参数,LTE总采样点；RTP丢包率=（发送RTP数-接收到RTP数）/发送RTP数网格198.29%93.50%3.9797.26%0.42%网格297.89%92.51%3.9498.26%0.47%网格393.22%88.81%3.8599.30%1.50%主要受切换影响，网格DT测试数据中MOS受RSRP和SINR影响没有呈现出明显规律，统计全部测试采样点发现RSRP与MOS并无直接映射关系如下：为进一步对语音MOS值进行分析找出其拐点，首先排除切换影响，单独针对RSRP以及SINR选点做CQT测试。RSRP与MOS的关系图MOS是VOLTE语音质量评估的主要参考因素eSRVCC切换门限验证结果评估：基于RSRP和MOS相关性验证结果以SINR=-3、0dB选点，RSRP由-70dBm衰减步长5dBm，直到掉话为止，做VoLTE的CQT测试，统计每个信号点强度CQTlog的RSRP平均值，以及MOS平均值，做出折线图。根据第一轮测试数据找出MOS衰落的转折点，以该转折点为起测点，再次做VoLTE的CQT测试

，衰减步长为3dBm，直到掉话，相差10dBm以内的RSRP选点要求SINR值波动范围在0-5dB内，统计最终的MOS随RSRP变化折线图。RSRP值采样由-90dBm衰减到-119dBm。RSRP-90-95-100-105-110-115-119SINR0000000RSRP值采样由-100dBm衰减到-119dBm。RSRP-100-105-110-115-119SINR-3-3-3-3-3数据整理后得出如下折线图：数据整理后得出如下折线图：SINR值固定为-3dB选点测试SINR值固定为0dB选点测试结论：SINR=-3dB，对应的RSRP采样最优点只取到-100dBm，整个衰减过程中，MOS值均在4以下，RSRP为-115dBm以后MOS值由3以下向下波动。结论：当SINR=0，RSRP=-98dBm时MOS值开始由4向下波动。eSRVCC切换门限验证结果评估：基于RSRP和MOS相关性验证方法据第一轮测试数据-100dbm为MOS值向下波动拐点，针对RSRP低于-100dBm的点重点测试，衰减步长为3dBm，SINR值选点尽量在0-5dB范围内波动。选取测试点如下：将所有MOS对应采样时间点8s内的RSRP和SINR取值求平均，MOS采样点共768个，根据步骤一测试数据，拐点后的RSRP值重点测试，采样点较多，取整处理汇总得出MOS随RSRP变化图像，已排除RSRP变化过程中SINR变化对MOS的影响，呈现折现图像如下：结论1：RSRP由-70dBm衰减到-105dBm过程中，MOS值稳定在4左右。结论2：RSRP-105dBm衰减到-123dBm过程中MOS值呈现大幅度衰落，该变化中SINR在0-5dB范围内波动，排除SINR对MOS值的影响。结论3：RSRP=-105开始MOS值开始由4向下波动。结论4：RSRP=-115开始MOS值出现3以下的值。结论5：RSRP=-119开始MOS值出现2.5以下的值。RSRP-90-95-100-105-108-111-114-117-120-123-126-129-132eSRVCC切换门限验证结果评估：基于SINR和MOS相关性验证方法以RSRP=-95、-110和-115dBm选点，SINR由20dB，衰减步长为5dB，直到掉话，做VoLTE的CQT测试，统计每个信号点强度CQTlog的SINR平均值，以及MOS平均值，做出折线图。根据第一轮测试数据找出MOS衰落的转折点，以该转折点为起测点，再次做VoLTE的CQT测试

，衰减步长为2dB，直到掉话，相差5dBm以内的SINR选点要求RSRP值波动范围在10dB以内，统计最终的MOS随SINR变化折线图。评估方式：为排除RSRP对MOS的影响，测试选点RSRP值相同，分别取-95，-110，-115探究RSRP值变化对MOS值的影响。SINR2015108642RSRP-95-95-95-95-95-95-96数据整理后得出如下折线图：结论：排除RSRP值影响，当RSRP=-95，SINR=6dBMOS值开始由4向下波动。RSRP值采样由20dB衰减到2dBRSRP值采样由8dB衰减到-6dBSINR86420-2-4-6RSRP-110-110-110-110-110-110-110-110结论：当RSRP=-110dBm,SINR值最高点取到8dB，MOS值一直在4以下，SINR=0开始MOS值由3向下波动。RSRP值采样由8dB衰减到-6dBSINR86420-2-4-6RSRP-115-115-115-115-115-115-115-115结论：当RSRP=-115dBm,SINR值最高点取到8dB，MOS值一直在4以下，SINR=1开始MOS值由3向下波动RSRP值固定为-95dBm选点测试数据整理后得出如下折线图：RSRP值固定为-110dBm选点测试数据整理后得出如下折线图：RSRP值固定为-115dBm选点测试eSRVCC切换门限验证结果评估：基于SINR和MOS相关性验证方法根据第一轮测试数据8dB为MOS值由4向下波动拐点，针对SINR低于8dB的点重点测试，衰减步长为2dBm，RSRP值选点尽量在-110dBm左右波动，选取测试点如下：将所有MOS对应采样时间点8s内的RSRP和SINR取值求平均，MOS采样点共768个，拐点后的SINR值重点测试，采样点较多，数据取整处理汇总得出MOS随SINR变化图像，已排除SINR变化过程中RSRP对MOS的影响，呈现折线图如下：结论1：SINR由25dB衰落到9dB，MOS稳定在4左右。结论2：SINR由8dB衰减到-9dB过程中，MOS值呈现大幅度衰落，此变化过程中RSRP在-110dBm左右波动，排除RSRP对MOS值影响。SINR2015108531-1-3-5-7-9结论3：SINR=8dB开始MOS值开始由4向下波动。结论4：SINR=0dB开始MOS值出现3以下的值。结论5：SINR=-3dB开始MOS值出现2.5以下的值。总结为保证VOLTE语音通话的连续性和用户的良好感知，在LTE覆盖较弱区域采用eSRVCC切换到3G，做好eSRVCC切换门限优化策略是关键，根据以上CQT测试数据的研究