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2013.9.第一章集成电路设计进展第二章第三章集成电路设计描述与仿真第四章集成电路设计综合第🖂章集成电路测试与可测试性设计第六章VerilogHDL数字系统设计第七章系统集成电路(片上系统)SoC第一章、2.2、第6章(概念2.3、第5、7章(概念第🖂*注:以PPT《VerilogHDL 袁俊泉编 夏宇闻编Appleipad2Appleipad2基于AppleA5芯片的CPUApple

1947年美国Bell实验室发明世界上第一只晶体管(三极管 1958年美国TI公司(JackKilby)基尔比发明世界上第一 诺贝尔奖评审委员会这样评价基尔比:1959年美国仙童公司(RobertNoyce)诺伊斯发明世界上第一块硅集成电路。(Intel公司创始人之一1.1历史的回顾(续d.*1964年第一块线性1.1历史的回顾(续d.*1964年第一块线性*1970年1KDRAM(进入LSI时代1990年64MDRAM、Inter1995年Inter80586(300万个门2000年2002年2.2GHzPentium4,0.13μm制造工艺,铜连接目 SoC,0.028μm(28nm)制造工艺 宽(或称特征尺寸L)。 着1965年Intel公司创始人之一GordonMoore的预言。(Doublingthenumberoftransistorevery18-24 >电源电压越来越 >布线层数越来越 >I/O引线越来越频率(兆赫0.0.20.0.10.0.20.0.10.0.0199 19 2 2 2006 2009 特征尺寸(微米晶体管数70605070605040302010199 1999 2001 2003 2006 2009 芯片面积(平方毫米Vdd(V)

1010199 199 001 003 006 2030002500200015001000501997 199 2001 200 2006 2009金属层数19971999200120032006

一种新的设计概念——SoC(SystemonaChip)。千千万门以上,如SoC

小规模集成电路(SSI:SmallScaleIntegratedCircuit)

超大规模集成电路(VLSI:VeryLargeScaleIntegrated近十万门,如64位CPU特大规模集成电路(ULSI:UltraLargeScaleIntegrated几百万门以上,如DSP、CPU--BiMOS--BiNMOS,专用集成电路(ASICApplicationSpecificIntegrated-专用标准产品专用标准产品(ASSPApplicationSpecificStandard-BlookLogicCell

1.4以设计方式来分(续 *1.4以设计方式来分(续 1.4以设计方式来分(续-与半定制设计方法最大不同:半定制设计是由芯片制造厂商1.4以设计方式来分(续

虚拟元件IPIntellectualProperty 良好的IC良好的IC a.

b.SoCSystemonaChip

Electronic-systemDesign ComputerAided3.1EDA工具发展经历的三个阶段(续 ComputerAided

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