国家开放大学《光伏电池原理与工艺》形考任务1-4参考答案

国家开放大学《光伏电池原理与工艺》形考任务1-4参考答案题目随机，下载后利用查找功能完成学习任务《光伏电池原理与工艺》是国家开放大学（中央广播电视大学）开放教育《光伏发电技术及应用》专业（专科）的一门统设必修课，是该专业的一门主干专业课程。本课程72学时，4学分，开设一个学期。课程代码：02739形考任务1一、单项选择题1.（）层位于对流层之外，属太阳大气层中的最底层或最里层。A.光球B.色球C.日冕D.针状体2.（）是太阳大气的最外层。A.光球B.色球C.日冕D.针状体3.布喇菲格子的特点是每个格点周围的环境都（）。A.相同B.不同C.部分相同D.部分不同4.当杂质原子取代基质原子占据晶格的格点位置时，形成（）杂质。A.替位式B.间隙式C.组成式D.以上皆不是5.非晶硅有两个致命缺点。一是工作性能不稳定，寿命短。二是它的光电转化效率比晶体硅太阳电池（）。A.高B.低C.一致D.未知6.硅系太阳电池主要包括单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池、非晶硅太阳电池。其中（）太阳电池转换效率最高。A.单晶硅B.多晶硅C.非晶硅D.以上皆不是7.轨道杂化，是共价（）结构晶体的一个共同特点。A.四面体B.五面体C.六面体D.多面体8.将晶面在（）个基矢上的截距的倒数之比化为互质整数比，称为该晶面族的密勒指数。A.一个B.二个C.三个D.四个9.紧贴光球以上的一层大气称为（）层，平时不易被观测到，过去这一区域只是在日全食时才能被看到。A.光球B.色球C.日冕D.针状体10.晶胞（）是体积最小的重复单元，结点一般不仅在顶点，而且可以在体心、面心上。A.一定B.一定不C.不一定D.以上皆不是11.若原子脱离格点后，形成填隙原子，这样的热缺陷称为（）缺陷。A.弗仑克尔B.肖特基C.组成D.以上皆不是12.若杂质原子占据晶格间隙位置，形成（）杂质。A.替位式B.间隙式C.组成式D.以上皆不是13.色心属于（）。A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.体缺陷14.太阳常数的参考值为Isc=（）±7W/m2。A.1357B.1367C.1377D.138715.太阳发射的电磁辐射在大气顶上随（）的分布叫太阳光谱。A.时间B.空间C.距离D.波长16.为使太阳电池所接收到的太阳直射辐射能量最多，就要确定太阳（）。A.高度角B.方位角C.入射角D.日照时间17.我国属于地球太阳能资源丰富程度（）地区。A.最高B.中高C.中低D.最低18.我国太阳能分布最丰富的是（）地区。A.青藏高原B.内蒙古C.宁夏D.陕西19.由基矢b1、b2、b3描述的空间点阵称为（）。A.正格子B.倒格子C.正格矢D.倒格矢20.在固体物理学中，只考虑晶格的周期性，选取（）的重复单元作为固体物理学原胞，简称原胞。A.最大B.最小C.中间D.以上皆不是二、多项选择题1.并网光伏供电系统的组成结构主要有（）。A.太阳电池阵列B.控制器C.蓄电池D.逆变器E.交流负载2.地球太阳能资源丰富程度中低地区有（）。A.东欧B.新西兰C.朝鲜D.日本3.地球太阳能资源丰富程度中高地区有（）。A.中东B.美国C.中非D.中国4.地球太阳能资源丰富程度最低地区有（）。A.北非B.加拿大C.西北欧洲D.中美洲5.地球太阳能资源丰富程度最高地区有（）。A.印度B.巴基斯坦C.澳大利亚D.中国6.点缺陷对材料性能的影响有（）。A.提高材料的电阻B.加快原子的扩散迁移C.形成其他晶体缺陷D.改变材料的力学性能7.独立光伏供电系统的组成结构主要有（）。A.光伏方阵B.控制器C.蓄电池D.逆变器E.直流（交流）负载8.非晶硅的两个致使缺点是（）。A.光致衰减效应B.光电转化效率低C.成本高D.有污染9.弗仑克尔缺陷的特点有（）。A.空位和填隙原子成对地产生B.空位和填隙原子数目相等C.一定的温度下，缺陷的产生和复合过程达到平衡D.一定的温度下，晶体内部的空位和表面上的原子处于平衡10.各种化学气相沉积包括（）。A.等离子增强化学气相沉积B.快速加热化学气相沉积C.催化化学气相沉积法D.热丝化学气相沉积11.根据晶体缺陷在空间延伸的线度，晶体缺陷可分为（）。A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.体缺陷12.硅系太阳电池主要包括（）。A.单晶硅太阳电池B.多晶硅太阳电池C.非晶硅太阳电池D.薄膜太阳电池13.晶胞不一定是体积最小的重复单元，结点可以位于（）。A.顶点B.体心C.面心D.质心14.晶体包括（）。A.离子晶体B.原子晶体C.分子晶体D.金属晶体15.立方晶系的下列（）面是完全等价的。A.-100B.-10C.-1D.{100}16.太阳从中心向外可分为（）。A.核反应区B.辐射区C.对流区D.太阳大气17.太阳的大气层从内向外分为（）三层。A.光球B.色球C.日冕D.针状体18.我国（）等西部地区光照资源尤为丰富。A.青藏高原B.内蒙古C.宁夏D.陕西19.以下（）地区属于我国太阳能热能资源分布三类地区。A.山西北部B.山东C.河南D.吉林20.以下（）地区属于我国太阳能热能资源分布四类地区。A.江西B.辽宁C.浙江D.云南三、判断题1.布喇菲格子的特点是每个格点周围的环境都相同。（√）2.大气层的影响不仅与太阳光的入射方向有关，而且还与大气中吸收、散射、反射太阳辐射的物质有关。（√）3.单晶一般是凸多面体，且都有规则的外形。（√）4.当天空晴朗，太阳在头顶直射且阳光在大气中经过的光程最短时，到达地球表面的太阳辐射最强。（√）5.地球只接受到太阳总辐射的二十二亿分之一，这个数量相当于全世界发电量的几百万倍。（×）6.点缺陷的特点：在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子。（√）7.电子在原子之间的转移不是任意的，电子只能在能量相同的轨道之间发生转移。（√）8.对于布喇菲格子，原胞只包含一个原子；对于复式格子，基元中包含几个原子，相应的原胞也包含几个原子。（√）9.对于原胞，结点只出现在顶点上。（×）10.根据各地接受太阳总辐射量的多少，可将我国划分为五类地区。（√）11.光致衰减效应是非晶硅的致命缺点之一。（√）12.将晶面在三个基矢上的截距的倒数之比化为互质整数比，称为该晶面族的晶面指数。（√）13.结点的总体称为布喇菲点阵。布喇菲点阵中，每点周围的情况不一样。（×）14.每个正格子都有一个倒格子与之相对应。（√）15.太阳常数的常用单位为W/m2。（√）16.我国太阳能分布最丰富的是宁夏地区。（×）17.我国无电地区大多集中于青藏高原、内蒙古、宁夏、陕西等西部地区。（√）18.一般而言，晶体在同一方向上具有相同的周期性，而不同方向上具有不同周期性。（√）19.在倒格子中，以某一倒格点为原点，离原点次近的多面体称为第二布里渊区。（×）20.在倒格子中，以某一倒格点为原点，离原点最近的多面体称为第一布里渊区。（√）四、配伍题1.将下列事件与时间关系等一一对应。（1）1839年一一（A.法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应）（2）1877年一一（B.制作了第一片硒太阳电池）（3）1954一一（C.贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6％的单晶硅光电池）2.将下列地球太阳能资源分布情况与地区一一对应。（1）丰富程度最高地区一一（B.印度）（2）丰富程度中高地区一一（A.中国）（3）丰富程度中低地区一一（C.日本）3.将下列定义与公式一一对应。（1）太阳高度角（C）（2）太阳方位角（A）（3）太阳入射角（B）4.将下列概念与意义一一对应。（1）太阳常数一一（A.描述大气层上的太阳辐射强度）（2）太阳光谱一一（B.太阳发射的电磁辐射在大气顶上随波长的分布）（3）大气光学质量一一（C.太阳光线穿过地球大气的路径与太阳光线在天顶角方向时穿过大气路径之比）5.将下列晶胞所含原子个数的计算方法一一对应。（1）顶点的原子一一（C.同时为8个晶胞所共有）（2）棱上的原子一一（B.同时为4个晶胞所共有）（3）面心的原子一一（A.同时为2个晶胞所共有）6.将下列晶体缺陷与特征一一对应。（1）点缺陷一一（C.在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子）（2）线缺陷一一（B.在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电镜观察到）（3）面缺陷一一（A.在一维尺寸小，在另二维尺寸大，可被光学显微镜观察到）7.将下列省份地区与太阳能资源分布情况一一对应。（1）山东一一（B.三类）（2）江西一一（C.四类）（3）宁夏南部一一（A.二类）8.将下列世界气候带一一对应。（1）赤道带（C.南北纬10O以内）（2）热带一一（A.纬度10O～回归线（23.5O））（3）温带一一（B.回归线至极圈（23.5O～66.5O））9.将下列太阳大气结构与名称一一对应。（1）光球一一（C.最底层）（2）色球一一（B.中层）（3）日冕一一（A.最外层）10.将下列我国太阳电池发展历程一一对应。（1）1958年一一（A.我国开始研制太阳电池）（2）1971年一一（B.我国发射的第二颗人造卫星—科学实验卫星实践一号上首次应用太阳电池）（3）1979年一一（C.我国开始利用半导体工业废次硅材料生产单晶硅太阳电池）形考任务2一、单项选择题1.300K时，在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体，欲使得锗中的费米能级低于导带底能量0.15eV，施主掺杂浓度ND为（）。A.3.187x1014cm-3B.3.187x1015cm-3C.3.187x1016cm-3D.3.187x1017cm-32.PN结中的总的电子电流计算公式为（）。A.

I=LnqDnni2(ekTqV−1)

（其中q是电荷量，Dn是电子扩散系数，ni是本征载流子浓度，Ln是电子扩散长度，V是外加电压，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度）

B.

I=V/R

（欧姆定律，但不适用于PN结的非线性特性）

C.

I=C⋅dtdV

（电容的电流-电压关系，与PN结的稳态电流无关）

D.

I=nqAvd

（电流的微观表达式，但需要考虑PN结的具体物理过程进行修正）3.PN结中的总的空穴电流计算公式为（）。A.与总的电子电流相等（在稳态情况下）

B.

Ip=复杂函数(V,T,材料参数)

（过于复杂，不适合单项选择题）

C.

Ip=V/R

（欧姆定律，不适用于PN结）

D.

Ip=C⋅dV/dt

（电容的充放电公式，与空穴电流无关）4.单晶一般是（）。A.凸多面体B.凹多面体C.圆球体D.立方体5.电子的扩散电流为（）。A.与电子的浓度梯度成正比B.与电子的浓度成正比C.与电子的迁移率成正比D.与电场强度成正比6.电子的漂移电流为（）。A.与电子的浓度成正比B.与电子的迁移率和电场强度成正比C.与电子的速度成正比D.与电子的动能成正比7.空间点阵可分为（）晶系。A.四种B.五种C.六种D.七种8.空穴的扩散电流为（）。A.与空穴的浓度梯度成正比B.与空穴的浓度成正比C.与空穴的迁移率成正比（在无电场情况下此选项不准确，因为迁移率与电场有关）D.与电场强度成正比（这是漂移电流的特性，不是扩散电流）9.空穴的漂移电流为（）。A.与空穴的浓度成正比B.与空穴的浓度梯度成正比C.与空穴的迁移率和电场强度成正比D.与空穴的速度成正比10.面心立方密堆积空间利用率最大为（）。A.70%B.72%C.74%D.76%11.七大晶系共有（）种布喇菲原胞。A.11B.12C.13D.1412.体心立方堆积空间利用率为（）。A.68%B.67%C.66%D.65%13.体心立方晶格的倒格子是面心立方结构，它的第一布里渊区为（）。A.截角八面体B.菱形十二面体C.正八面体D.菱形十六体14.下列哪项不属于配位数的可能值（）。A.1200%B.900%C.800%D.600%15.以下（）为价带的有效状态密度计算公式。A.

Nv=21(2πmdkBTh2)3/2B.

Nv=2(h22πmdkBT)3/2C.

Nv=(hmdkBT)3D.

Nv=mdkBTh3

16.在105个硅原子中掺入一个硼原子，可以使硅的电导增加（）。A.102B.103C.104D.10517.在PN结中施主掺杂浓度为，受主掺杂浓度为，在300K时Si突变结的接触电势差VD为（）A.0.736VB.0.976VC.0.686VD.0.876V18.在下列公式中计算本征半导体费米能级的是（）A.

EF=2Eg+kBTln(NvNc)

B.

EF=2Eg

C.

EF=EC−kBTln(niNc)

或

EF=EV+kBTln(Nvni)

D.

EF=2EC+EV

19.正四面体四个共价键之间的夹角是（）A.109°30'B.109°28'C.109°D.109°25'20.自然界的晶体结构只有（）种。A.200B.210C.220D.230二、多项选择题1.常用的酸性腐蚀液配方中硝酸与氢氟酸与醋酸之比为（）。A.6:03:03B.5:03:03C.5:01:01D.6:01:012.单晶硅锭的两种常见生产工艺有（）。A.浇铸法B.直拉法C.直熔法D.区熔法3.电池的输出功率受以下哪些因素所影响（）。A.栅覆盖面积B.抗反射层的吸收和反射C.光子能量小于禁带宽度引起的损耗D.光子能量大于禁带宽度的能量损耗4.多晶硅锭的两种常见生产方法有（）。A.浇铸法B.直拉法C.直熔法D.区熔法5.多晶硅绒面制备时采用的酸腐蚀液主要由（）组成。A.HN03B.HFC.H20D.CH3CH2OH6.固态氮化硼扩散与液态硼扩散比较，其有如下的特点（）。A.设备复杂、操作麻烦B.扩散效率高，更适于大批量生产C.扩散后硅片的均匀性、重复性和表面质量都较好D.产品的合格率较高7.光伏电池广泛应用于当今社会，以下哪些选项是其典型应用（）。A.无线电通信系统电源B.抽水系统C.室内电子器件D.电池充电器8.硅材料的选料主要包括（）。A.导电类型B.电阻率C.晶向、位错、寿命D.形状、尺寸、厚度9.硅片表面污染的杂质分类有（）。A.分子型杂质B.离子型杂质C.原子型杂质D.质子型杂质10.碱腐蚀法的酸腐蚀法对比，其优点是（）。A.成本较低B.对环境的污染小C.外观平整D.光亮度高11.离子注入法具有的特点主要有（）。A.精确的剂量控制B.均匀性好C.掺杂深度小D.不受固溶度限制12.太阳电池的测试方法包括（）。A.阳极氧化法测结深B.四探针法测薄层电阻C.少子寿命的测试D.太阳电池负载特性的测试13.太阳电池的光电转换效率哪些因素有关（）。A.结构B.材料性质C.工作温度D.环境变化14.以下哪些选项对太阳电池性能有直接的影响（）。A.电池片厚度B.温度和光强度C.辐射D.颜色15.在太阳电池的扩散工艺中，影响扩散的重要因素有（）。A.扩散温度B.扩散深度C.扩散气氛D.扩散时间16.直拉单晶硅制备工艺一般包括（）。A.装料和熔化B.种晶和引细颈C.放肩和等径生长D.收尾17.制备PN结的主要方法有以下几种（）。A.扩散法B.离子注入法C.合金法D.分离法18.制备背电场电池较常用的方法还有硼扩散法，硼扩散法的优点是（）。A.分配系数比铝大B.结均匀C.电极牢度好D.所需温度低19.制作电极的方法主要有（）。A.真空蒸镀法B.化学镀膜法C.印刷烧结法D.加热氧化法20.作为减反射层的薄膜材料，通常要求有很好的（）。A.透光性B.耐化学腐蚀性C.硅片粘接性D.导电性三、判断题1.N型半导体的特征是电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（×）2.本征半导体的特征是电子的浓度与空穴的浓度相等。（√）3.单晶没有规则的外形。（×）4.对一定的晶体，杂质原子是形成替位式杂质还是间隙式杂质，主要取决于杂质原子与基质原子几何尺寸的相对大小及其电负性。（√）5.对于结构相同的晶体，滑移方向和滑移面通常不相同。（×）6.对于一定的晶格，结点所占的体积是一定的，面间距大的晶面上，格点的面密度小。（×）7.多晶由很多细小的取向不同的单晶组成。（√）8.非晶体内部的原子、分子排列整齐，有周期性规律。（×）9.晶体加热至熔点开始熔化，熔化过程中温度保持不变，熔化成液态后温度才继续上升；而非晶体熔化时，随着温度升高，粘度逐渐变小，变成流动性较大的液体。（√）10.晶体内的位错滑移是使临界切应力大为减小的主要原因。（√）11.晶体缺陷是固体物理中的重要研究领域。（√）12.晶体在不同方向上具有相同的周期性。（×）13.理想晶体的主要特征是原子（或分子）严格按照规则排列，具有完整的周期性。（√）14.密勒指数小的晶面，面间距较大。（√）15.七大晶系共有十五种布喇菲原胞。（×）16.色心是一种化学计量比引起的空位缺陷。（×）17.同一品种的晶体，两个对应晶面间的夹角恒定不变。（√）18.位错为面缺陷，位错的基本类型有刃型位错和螺旋位错两种。（×）19.由于内建电场作用，电子要从P区漂移运动到N区，空穴要从N区漂移运动到P区，它们的漂移形成了电流，电流方向也是P指指向N。（×）20.由于浓度梯度作用，电子和空穴的扩散会形成电子扩撒电流和空穴扩散电流，它们的电流方向是相同的，都是P指向N。（√）21.由于生长条件不同，同一品种的晶体其外形可能不同，这是晶体的本质特征。（×）22.在不同的带轴方向上，晶体中原子排列情况不同，晶体性质也不同。（√）23.在晶体中，位于晶格点阵上的原子是静止不动的。（×）24.在熔化过程中，晶体的长程序解体时对应着一定的熔点，非晶体也有固定的熔点。（×）25.在一定温度下，原子热振动的振幅和平均能量是不断变化的。（×）26.组成缺陷包括替位式杂质原子和填隙式杂质原子。（√）四、配伍题1.当热平衡PN结不加偏压时，将下列求解公式一一对应。（1）PN结区空间电荷区的总的宽度——（A）（2）N型区空间电荷区的宽度——（C）（3）P型区空间电荷区的宽度——（B）2.将倒格子三个基矢与其定义一一对应。（1）b1A.（2）b2B.（3）b3C.（1）b1——（C）（2）b2——（A）（3）b3——（B）3.将下列PN结理论常用函数式一一对应。（1）费米分布函数（）（2）玻尔兹曼分布函数（）（3）状态密度函数（）4.将下列不同半导体的费米能级求解公式一一对应。（1）本征半导体费米能级一一（A）（2）N型半导体费米能级一一（B）（3）P型半导体费米能级一一（C）5.将下列定义与其计算公式一一对应（1）导带的有效状态密度一一（A）（2）导带中电子浓度一一（C）（3）价带中空穴浓度一一（B）6.将以下物质室温下的本征载流子浓度一一对应。（1）Si一一（A）（2）GaAs一一（B）（3）Ge一一（C）形考任务3一、单项选择题1.（）对电池性能的影响直接反映在对材料参数及电池的电学参数的影响上。A.温度B.厚度C.辐射D.大小2.（）是衡量电池输出特性的重要指标，其值越大表明太阳电池的输出特性越好。A.填充因子B.短路电流C.开路电压D.光谱响应3.常规电池的厚度（），开路电压及填充因子（）。A.减小下降B.减小上升C.减小不变D.增加不变4.常规硅太阳电池工艺中,形成电池PN结的主要方法是（）。A.扩散法B.离子注入法C.合金法D.分离法5.电池烧结前先对电极进行（），之后再进行烧结。A.氧化B.加热C.烘干D.铜化6.硅的电阻率与掺杂（）有关。A.数量B.颜色C.重量D.浓度7.硅片清洗必须按照的次序清洗，才能除去硅片表面的油脂、蜡等有机物。A.甲苯-丙酮-酒精-水B.丙酮-甲苯-酒精-水C.水-甲苯-丙酮-酒精D.水-丙酮-甲苯-酒精8.粒子（）差别的存在是产生扩散运动的必要条件。A.浓度B.大小C.颜色D.重量9.目前的拉晶工艺几乎都采用平放肩工艺,肩部形成一个近（）的夹角。A.30°B.45°C.90°D.180°10.内圆切割机切片的速度（），硅材料的损耗很（），效率（），切片后硅片的表面损伤大。A.慢大低B.慢小低C.快大高D.快小高11.太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其中电池温度为（）。A.15℃B.20℃C.25℃D.30℃12.太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其中光谱辐照度为（）。A.500W/㎡B.1000W/㎡C.1500W/㎡D.2000W/㎡13.太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其中光谱为（）。A.AM1B.AM1.5C.AM2D.AM2.514.线切割线切割机切割的效率（），切割损耗（），表面损伤（）。A.高小小B.高大小C.低小大D.低大大15.悬浮区熔方法制备的区熔单晶硅，纯度（）,电学性能（）。A.高均匀B.高不均匀C.低均匀D.低不均匀16.以下（）用于固态源扩散。A.氮化硼B.硼酸三甲酯C.硼酸三丙酯D.三溴化硼17.以下哪项最为直接影响太阳电池的光电转换效率（）。A.电池结构B.材料性质C.工作温度D.禁带宽度18.在硅片清洗中，经常用到王水，主要利用它的（）。A.强氧化性B.强腐蚀性C.强酸性D.强碱性19.直拉单晶硅的制备工艺一般包括（）。A.多晶硅的装料和熔化、种晶、引细颈、放肩、等径和收尾B.多晶硅的装料和熔化、种晶、放肩、引细颈、等径和收尾C.多晶硅的装料和熔化、种晶、、放肩、等径、引细颈和收尾D.多晶硅的装料和熔化、种晶、引细颈、等径、放肩和收尾20.转换效率是电池的最大功率输出与（）之比。A.入射功率B.短路电流C.开路电压D.填充因子二、多项选择题1.常用的酸性腐蚀液配方中硝酸与氢氟酸与醋酸之比为（）。A.6:03:03B.5:03:03C.5:01:01D.6:01:012.单晶硅锭的两种常见生产工艺有（）。A.浇铸法B.直拉法C.直熔法D.区熔法3.电池的输出功率受以下哪些因素所影响（）。A.栅覆盖面积B.抗反射层的吸收和反射C.光子能量小于禁带宽度引起的损耗D.光子能量大于禁带宽度的能量损耗4.多晶硅锭的两种常见生产方法有（）。A.浇铸法B.直拉法C.直熔法D.区熔法5.多晶硅绒面制备时采用的酸腐蚀液主要由（）组成。A.HN03B.HFC.H20D.CH3CH2OH6.固态氮化硼扩散与液态硼扩散比较，其有如下的特点（）。A.设备复杂、操作麻烦B.扩散效率高，更适于大批量生产C.扩散后硅片的均匀性、重复性和表面质量都较好D.产品的合格率较高7.光伏电池广泛应用于当今社会，以下哪些选项是其典型应用（）。A.无线电通信系统电源B.抽水系统C.室内电子器件D.电池充电器8.硅材料的选料主要包括（）。A.导电类型B.电阻率C.晶向、位错、寿命D.形状、尺寸、厚度9.硅片表面污染的杂质分类有（）。A.分子型杂质B.离子型杂质C.原子型杂质D.质子型杂质10.碱腐蚀法的酸腐蚀法对比，其优点是（）。A.成本较低B.对环境的污染小C.外观平整D.光亮度高11.离子注入法具有的特点主要有（）。A.精确的剂量控制B.均匀性好C.掺杂深度小D.不受固溶度限制12.太阳电池的测试方法包括（）。A.阳极氧化法测结深B.四探针法测薄层电阻C.少子寿命的测试D.太阳电池负载特性的测试13.太阳电池的光电转换效率哪些因素有关（）。A.结构B.材料性质C.工作温度D.环境变化14.以下哪些选项对太阳电池性能有直接的影响（）。A.电池片厚度B.温度和光强度C.辐射D.颜色15.在太阳电池的扩散工艺中，影响扩散的重要因素有（）。A.扩散温度B.扩散深度C.扩散气氛D.扩散时间16.直拉单晶硅制备工艺一般包括（）。A.装料和熔化B.种晶和引细颈C.放肩和等径生长D.收尾17.制备PN结的主要方法有以下几种（）。A.扩散法B.离子注入法C.合金法D.分离法18.制备背电场电池较常用的方法还有硼扩散法，硼扩散法的优点是（）。A.分配系数比铝大B.结均匀C.电极牢度好D.所需温度低19.制作电极的方法主要有（）。A.真空蒸镀法B.化学镀膜法C.印刷烧结法D.加热氧化法20.作为减反射层的薄膜材料，通常要求有很好的（）。A.透光性B.耐化学腐蚀性C.硅片粘接性D.导电性三、判断题1.POCl3扩散是一种用气体携带液态扩散源的扩散方式。（×）2.常规硅太阳电池工艺中,形成电池PN结的主要方法是合金法。（×）3.串、并联电阻对填充因子的影响极小，可以忽略不计。（×）4.多晶硅一般采用碱溶液对进行表面腐蚀制绒。（×）5.根据晶体生长方式的不同，单晶硅可以分为直拉单晶硅和区熔单晶硅。（√）6.光伏电池具有对称的电子学结构。（×）7.光伏电池可以用于微波中继站电源供给，作为无线电通讯系统电源。（√）8.硅片进行表面腐蚀，其作用是去除表面的切片机械损伤。（√）9.减反射膜又称增透膜，它的主要功能是减少或消除太阳电池表面的反射光。（√）10.碱腐蚀的硅片表观光亮平整，但缺点是成本高和对环境的污染大。（×）11.晶面间的共价键密度越低，则该晶面越容易被腐蚀。（√）12.利用区熔单晶硅制备的太阳电池的光电转换效率高，且生产成本低，应用广泛。（×）13.利用王水清洗硅片主要在于它的腐蚀性。（×）14.内圆切割机切片的速度快，可以同时切割多根单晶硅锭。（×）15.水汽氧化是平面工艺最常用的方法。（×）16.太阳电池的最高转换效率不可能达到100%。（√）17.太阳电池良好特性最适宜在低温低光照强度下。（×）18.填隙式扩散是指杂质的原子在进入晶体之后，沿着晶格空位跳跃前进的一种扩散。（×）19.用于硅片清洗常的有机溶剂主要有甲苯、丙酮、酒精等。（√）20.制作背场可以较大地改善太阳电池的性能。（√）四、配伍题1.电池的总短路电流是全部光谱段贡献的总和，用表达式表示如下：式中各项分别指代。（1）λ0一一（B本征吸收波长限）（2）R(λ)一一（A表面反射率）（3）F(λ)一一（C太阳光谱中波长为l～l+dl间隔内的光子数）2.硅片表面污染的杂质可分类为。（1）分子型杂质一一（B油脂、腊、松香）（2）离子型杂质一一（AK+,Na+,Ca2+,F-,CL-,CO32）（3）原子型杂质一一（C金、铂、铜、铁）3.硅片的一般清洗顺序是，请按步骤一一匹配。（1）有机溶剂去油一一（C甲苯）（2）去除残留的有机和无机杂质一一（B热的浓硫酸）（3）清洗液彻底清洗一一（A热王水或I号、Ⅱ号清洗液）4.将下列常用几种氧化方法一一匹配。（1）水汽氧化法一一（C生长速率最快，生长的二氧化硅层结构疏松，表面有斑点）（2）干氧氧化法一一（A生长速率最慢，生成的二氧化硅薄膜结构致密、均匀性好）（3）湿氧氧化法一一（B生长速率介于两者之间,钝化效果不好，进一步降低体寿命）5.将下列常用减反射膜一一匹配。（1）SiO膜一一（B折射率为1.8～1.9，是最常用的减反射膜材料）（2）TiO2膜一一（C折射率为2.0～2.7，可得到比较理想的太阳电池减反射膜）（3）Si3N4膜一一（A折射率在1.8～2.5，具有明显的表面钝化和体钝化作用）6.将下列概念与意义作用一一匹配。（1）腐蚀一一（C去除表面的切片机械损伤）（2）扩散一一（B由热运动所引起的杂质原子和基体原子的输运过程）（3）绒面一一（A降低了表面反射提高光生载流子的收集）7.将下列扩散源一一匹配。（1）液态源扩散一一（B硼酸三甲酯）（2）涂布源扩散一一（A五氧化二磷）（3）固态源扩散一一（C氮化硼）8.太阳电池的等效电路中，暗电流表达式式中各项分别指代。（1）U一一（C等效二极管的端电压）（2）Q一一（A电子电量）（3）A一一（B二极管曲线因子，取值在1～2之间）9.太阳电池组件的测量必须在标准条件下进行，测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其条件是。（1）光谱辐照度一一（B.1000W/㎡）（2）光谱一一（C.AM1.5）（3）电池温度一一（A.25℃）10.提高硅太阳电池效率的几种途径，请匹配。（1）紫光电池一一（A采用0.1～0.15μm浅结和30条/cm精细密栅）（2）M1S电池一一（B在金属和半导体之间加入1．5一3．0nm绝缘层）（3）聚光电池一一（C电池面积小，低成本）形考任务4一、单项选择题1.（）接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。A.半导体与半导体B.金属与半导体C.金属与金属D.金属与绝缘体2.1973年GaAs三层结构异质结太阳电池，实验室效率达到（），超过了硅太阳电池。A.22%B.42%C.32%D.12%3.MIS光伏电池是什么结构()。A.金属-绝缘层-半导体结构B.金属-绝缘层-金属结构C.半导体-绝缘层-半导体结构D.绝缘层-金属-半导体结构4.半导体硅中，n+/p型硅太阳电池通常用（）为掺杂元素。A.磷B.硼C.砷D.钠5.单晶硅的生产工艺在太阳电池领域主要应用的是（）。A.浇铸法B.直熔法C.区熔法D.直拉法6.非晶硅太阳电池的哪一方面限制了非晶硅太阳电池的应用（）。A.工艺复杂B.大面积均匀性的困难C.光致衰减效应D.陷光效应7.硅太阳电池地面应用倾向于采用电阻率为()的材料，以获得高的转换效率。A.0.1至50·cmB.10至200Ω·cmC.零点几至2Ω·cmD.小于0.018.具有整流效应（单向导电性）的金属和（）接触，称为肖特基结。A.半导体B.金属C.绝缘体D.以上均可9.硫化亚铜-硫化镉太阳电池的缺点主要是（）。A.工艺复杂B.大面积均匀性的困难，效率低C.造价高D.不利于大规模自动化生产10.目前，在实验室中薄膜太阳电池的光电转换效率已经超过了()，在国际上已经有模的工业生产。A.21.90%B.29%C.16%D.40%11.目前，制备薄膜的主要方法中（）是一种高效、低成本、适合大面积生产的方法。A.化学沉积法B.电沉积法（ED）C.喷涂法（SP）D.物理气相沉积法（PVD）12.目前产业化太阳电池中,所占比例最大的是（）。A.MIS光伏电池B.硅基太阳电池C.碲化镉太阳电池（a-Si）D.铜铟镓硒太阳电池13.目前已产业化的薄膜光伏电池材料有（）。A.铜铟镓硒太阳电池B.非晶硅薄膜电池（a-Si）C.碲化镉太阳电池D.以上三种14.太阳电池用单晶硅片的厚度约为（）。A.200～300μmB.20～30μmC.200～300mmD.20～30cm15.铜铟镓硒薄膜太阳电池走向大规模的产业化最大的困难是（）A.性能不稳定B.光电转换效率低C.复杂的多层结构和敏感的元素配比，对工艺和设备的要求非常严格D.其成本高、抗辐射能力弱16.下列不是半导体异质结太阳电池的是（）。A.硫化亚铜-硫化镉太阳电池B.碲化镉太阳电池C.砷化镓太阳电池D.非晶硅薄膜太阳电池17.下列哪个不是染料敏化太阳电池（DSSC）的优点（）A.结构简单B.光电转换效率高C.对环境无污染D.成本低廉、易于制造18.要提高微晶硅太阳电池性能，核心技术是（），可使光电转换效率超过20%。A.陷光技术B.掺杂工艺C.大面积均匀性技术D.抗光致衰减技术19.因转化率低，而且存在光致衰退，因此在太阳能发电市场多用于功率小的小型电子产品市场。如电子计算器、玩具等的太阳能电池是（）。A.单晶硅电池B.多晶硅太阳电池C.铜铟镓硒太阳电池D.非晶硅太阳电池20.在国际光伏行业得到了广泛应用的铸造多晶硅的工艺是（）。A.浇铸法B.直熔法C.区熔法D.直拉法二、多项选择题1.（）有何特点的金属-半导体接触称为欧姆接触，欧姆结。A.很小的电阻B.很大的电阻C.单向导电性D.具有线性和对称的电流-电压关系2.MIS结构实际上是一个（）。A.金属-绝缘层-半导体B.金属C.电阻D.电容3.薄膜太阳电池采用的化学沉积法制膜的优点是（）。A.高效B.低成本C.环保D.适合大面积生产4.单晶硅一般采用哪种溶液对进行表面腐蚀制绒（）。A.氢氧化锂B.氢氧化钠C.硝酸D.氢氧化钾5.电池的优缺点有（）。A.可在不同的衬底上制作，非常适合于大规模自动化生产B.电池生产成本低廉。C.效率低，缺少硅电池那种固有的稳定性D.系统其他部分的成本高6.多晶硅可采用哪种溶液对进行表面腐蚀制绒（）。A.NaOHB.HN03、HF、H20C.KOHD.CH3CH2OH7.非晶硅薄膜太阳电池与晶体硅太阳电池相比，具有什么优点（）。A.光致衰减低B.重量轻C.耗能少D.工艺简单、成本低8.硅基电池包括（）。A.单晶硅B.非晶硅电池C.铜铟镓硒薄膜电池D.多晶硅9.金属与半导体接触能形成（）。A.整流特性接触B.良好的欧姆接触C.半导体D.绝缘体10.染料敏化太阳电池主要由组成（）。A.纳米多孔薄膜B.染料敏化剂C.电解质D.对电极11.实际的化合物半导体电池结构之所以考虑异质结，出于以下（）因素的考虑。A.采用异质结构来降低表面复合速率B.一些半导体材料存在结构自补偿，使成结困难，需要采用异质结构C.异质结可以充分利用太阳光D.成本低12.铜铟镓硒薄膜太阳电池受到全世界广泛研究的原因是（）。A.性能稳定B.成本低C.抗辐射能力强D.光电转换效率高13.王水几乎能溶解所有不活泼金属如铜、银以及金、铂等。具有极强的（）。A.强碱性B.氧化性C.腐蚀性D.强酸性14.微晶硅太阳电池的特点（）。A.不存在光致衰减现象，具有较好的稳定性B.光谱响应范围窄C.低吸收系数D.工艺简单、成本低15.下面关于硅太阳电池的形状、尺寸、厚度，说法正确的是（）。A.125×125mm2B.156×156mm2C.基体厚度为200μm左右D.球形16.硝酸(HNO3)不能溶解的有（）。A.金B.铂C.铜D.铁17.肖特基二极管(SBD)比一般的半导体二极管特性好在（）。A.正向导通电压高B.高频性能好，开关速度快C.正向导通电压低D.低频性能好，开关速度快18.肖特基结是（）。A.金属与半导体接触B.有整流效应的金属和半导体接触C.金属与金属接触D.单向导电性的金属和半导体接触19.直拉单晶硅的制备工艺一般包括（）。A.晶硅的装料和熔化B.种晶C.引细颈、放肩、等径D.收尾20.铸造多晶硅主要的工艺有（）。A.直熔法B.浇铸法C.直拉法D.区熔法三、判断题1.II号清洗液是由去离子水、含量为30%的过氧化氢和含量为37%的浓盐酸混合而成。（√）2.N型半导体样品，热端的空穴向冷端扩散，冷端带正电，热端带负电。（×）3.P+/n硅太阳电池，常用磷或砷作掺杂元素。（√）4.POCl3是无色透明无气味的无毒液体。（×）5.P型半导体样品，热端的空穴向冷端扩散，冷端带正电，热端带负电。（√）6.采用同一种材料的P型和N型组成的P-N结，称为同质结。（√）7.多晶硅的制备工艺一般包括:多晶硅的装料和熔化、种晶、引细颈、放肩、等径和收尾。（×）8.多晶硅一般采用酸溶液对进行表面腐蚀制绒。（√）9.非晶硅薄膜太阳电池可以制备在玻璃、不锈钢、陶瓷等衬底上。（√）10.非晶硅薄膜太阳电池一般被设计成pin结构。（√）11.非晶硅太阳电池的光致衰减效应限制了非晶硅太阳电池的应用。（√）12.硅片清洗必须按照酒精-水-甲苯-丙酮的次序清洗，才能除去有机物及有机溶剂分子。（×）13.金属-绝缘层-半导体(MIS)结构实际上是一个