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文档简介
1+X集成电路理论知识模拟题与答案
1、重力式分选机的测试环节是在()进行。
A、主转塔中
B、旋转台上
C、测试轨道中
D、水平面上
答案:C
2、()分选工序依靠主转盘执行,上料后主转盘旋转,每转动一格,都
会将产品送到各个工位,每个工位对应不同的作用,包括上料位、光检位、旋
转纠姿位、功能测试位等,从而实现芯片的测试与分选。
A、重力式分选机
B、平移式分选机
C、转塔式分选机
D、真空螺旋分选机
答案:C
3、晶圆检测工艺中,在进行打点工序以后,需要进行的工序是()o
A、真空入库
B、扎针测试
C、打点
D、外观检查
答案:D
导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘烤一外检一真空入库
4、扎针测试时,测试机将测试结果通过()传输给探针台。
A、USB
B、GPIB
C、HDMI
D、VGA
答案:B
扎针测试时,测试机将测试结果通过GPIB传输给探针台。
5、转塔式分选机设备的上料步骤正确的是:()。
A、待测芯片上料一芯片筛选一芯片吸取
B、芯片筛选一待测芯片上料一芯片吸取
C、待测芯片上料一芯片吸取一芯片筛选
D、芯片筛选一芯片吸取一待测芯片上料
答案:A
转塔式分选机设备的上料步骤为:待测芯片上料f芯片筛选一芯片吸取。
6、单晶炉的开机顺序正确的是()。
A、电源开关一加热器开关一片烟开关一籽晶开关
B、电源开关一生烟开关~加热器开关一籽晶开关
C、电源开关一籽晶开关一生期开关一加热器开关
D、籽晶开关一生期开关一加热器开关一电源开关
答案:A
单晶炉的开机顺序为:电源开关一加热器开关一生期开关一籽晶开关。
7、用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时,通过()可以得到高纯度的四氯化
硅。
A、高温还原炉
B、精储塔
C、多晶沉积设备
D、单晶炉
答案:B
用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时,通常使用精储法,精微法是在精储塔
中实现的。
8、单晶炉中籽晶轴的作用是()。
A、保证炉内温度均匀分布及散热
B、带动籽晶上下移动和旋转
C、起支撑作用
D、提供一个原子重新排列标准
答案:B
籽晶轴的作用是带动籽晶上下移动和旋转;籽晶的作用是提供一个原子重
新排列的标准;用堀外的高纯石墨用埸托起支撑作用;炉腔可以保证炉内温度
均匀分布及散热。
9、晶圆检测工艺的测试车间符合()洁净区标准。
A、10万级
B、万级
C、千级
D、100万级
答案:B
晶圆检测工艺对环境的要求:测试车间符合10万级洁净区标准,温度常年
保持在22±3℃,湿度保持在45±15吼
10、进行料盘包装时,一个内盒中通常装有()袋真空包装完的料盘。
A、1
B、2
C、3
D、4
答案:A
进行料盘包装时,一个内盒中通常装有1袋真空包装完的料盘。
11、利用平移式分选设备进行芯片分选时,分选环节的流程是。。
A、分选f吸嘴吸取芯片一收料
B、吸嘴吸取芯片一分选一收料
C、吸嘴吸取芯片一收料一分选
D、分选一收料一吸嘴吸取芯片
答案:B
12、在光刻过程中,完成涂胶后需要进行质量评估,以下不属于涂胶质量
评估时,光刻胶覆盖硅片的质量缺陷的是()。
A、光刻胶脱落
B、光刻胶中有针孔
C、光刻胶的回溅
D、光刻胶起皮
答案:A
13、当芯片移动到气轨()时,旋转台吸嘴吸取芯片。
A、首端
B、中端
C-I―;山
、木歹而
D、任意位置
答案:C
当芯片移动到气轨末端时,旋转台吸嘴的升降电机到达芯片正上方,吸嘴
产生一定负压将该芯片吸起,升降电机上移并后退进入旋转台,上料完成。
14、引线键合最常使用的原材料是()o
A、金线
B、银线
C、铜线
D、铝线
答案:A
引线键合利用高纯度的金线、铜线或铝线把框架的引线与芯片电极通过焊
接的方法连接起来。通常使用金线,其焊接简单、良率高;目前还有采用铝线
和铜线工艺的,优点是成本低,缺点是工艺难度加大,良率降低。
15、封装工艺中,装片机上料区上料时,是将。的引线框架传送到进料
槽。
A、顶层
B、中间位置
C、底层
D、任意位置
答案:C
16、晶圆烘烤时长一般为()分钟。
A、1
B、5
C、10
D、20
答案:B
晶圆烘烤长一般为5分钟。烘烤时间太长会导致墨点开裂,时间太短可能
会使墨点不足以抵抗后续封装工艺中的液体冲刷,导致墨点消失。
17、一个花篮最多装()片晶圆。
A、15
B、20
C、25
D、30
答案:C
一个花篮最多装25片晶圆。
18、塑封一般采用()为塑封料。
A、热塑性塑料
B、热固性塑料
C、人工催化塑料
D、芳煌类塑料
E、结晶性塑料
答案:B
略
19、主要使用万用表、毫伏表、示波器、兆欧表、信号发生器等测试设备
主要用来测试()。
A、电子成品的几何性能
B、电子产品的物理性能
C、电子产品的功能性能
D、以上都是
答案:B
20、根据以下随件单信息可知,从待检查品货架上找到的编号为()的中转
箱。
A、7LK8
B、57493
C、1586
D、1568
答案:D
由随件单信息可知,该批次的中转箱号为1568。
21、风淋的作用是()。
A、清除进入车间的人或物体表面的灰尘
B、检测进入车间人员的体重与生态状况
C、降低人体衣物表面的温度
D、使衣物保持洁净、平整
答案:A
风淋的操作是针对芯片处于裸露状态工艺的车间设计的,其目的是为了清
除进入车间的人或物体表面的灰尘,保证车间内的无尘环境不被破坏。
22、装片机上料区上料时,是将()的引线框架传送到进料槽。
A、最顶层
B、中间层
C、最底层
D、任意位置
答案:C
略
23、晶圆扎针测试在测到一定数量时,需要检查扎针情况。若发现针痕有
异常,需如何处理。。
A、重新输入晶圆信息
B、重新设置扎针深度或扎针位置
C、继续扎针测试
D、记录测试结果
答案:B
24、用编带机进行编带前预留空载带的原因是()。
A、比较美观
B、防止芯片散落
C、确认编带机正常运行
D、节省人工检查时间
答案:B
空余载带预留设置是为了防止卷盘上编带的两端在操作过程中可能会出现
封口分离的情况,导致端口的芯片散落。
25、芯片外观检查前为了防止静电击穿损坏,工作人员必须佩戴()。
A、绝缘手套
B、绝缘服
C、防静电护腕
D、无纺布手套
答案:C
26、重力分选机自动装料步骤中将待测料管放在筛选机的入料区内,料管
随传送带上升到()。
A、入料区
B、废料区
C、激光检测区
D、显示区
答案:C
27、重力式分选设备进行芯片并行测试时,在测试轨道完成芯片测试后,
下一环节需要进行。操作。
A、上料
B、分选
C、外观检查
D、真空入库
答案:B
28、单晶硅生长完成后,需要进行质量检验,其中热探针法可以测量单晶
硅的()参数。
A、电阻率
B、直径
C、少数载流子寿命
D、导电类型
答案:D
热探针法用来测量单晶硅锭的导电类型;四探针技术用来测量单晶硅锭的
电阻率;激光扫描法用来测量硅锭的直径;光电导衰法用来测量少数载流子的
寿命。
29、重力式分选机进行自动上料时,进入上料架,上料夹具准备夹取的料
管中的芯片位置()要求:()。
A、有;芯片印章在上面
B、有;芯片印章在下面
C、无;需要等待料管筛选
D、无;进入上料的芯片位置没有要求
答案:A
重力式分选机进行上料时,进入上料架,上料夹具准备夹取的料管中的芯
片位置要求芯片印章朝上,便于后期操作。
30、重力分选机手动装料要操作人员取下待测料管一端的(),并将料管
整齐地摆放在操作台上。
A、挡板
B、螺母
C、料盘
D、塞钉
答案:D
31、编带外观检查的步骤正确的是()。
A、检查外观f归纳放置一固定卷盘一编带回料一编带固定
B、归纳放置一固定卷盘一检查外观一编带回料一编带固定
C、固定卷盘一归纳放置一检查外观一编带回料一编带固定
D、编带固定一固定卷盘一归纳放置一检查外观一编带回料
答案:B
编带外观检查的步骤:归纳放置一固定卷盘一检查外观f编带回料一编带
固定。
32、平移式分选机设备的上料步骤正确的是:()。
A、待测芯片上料一吸嘴转移芯片一空料盘替换
B、吸嘴转移芯片一待测芯片上料一空料盘替换
C、空料盘替换一待测芯片上料一吸嘴转移芯片
D、吸嘴转移芯片一空料盘替换一待测芯片上料
答案:A
平移式分选机设备的上料步骤为:待测芯片上料一吸嘴转移芯片一空料盘
替换。
33、重力式分选机的测试环节是在()中进行。
A、主转塔
B、旋转台
C、测试轨道
D、水平面上
答案:C
重力式分选机的测试环节是在测试轨道中进行的。主转塔和旋转台是转塔
式分选机的设备,平移式分选机是在水平面上完成芯片的测试、分选。
34、重力式分选机进行自动上料筛选,当检测到传送带上的料管放置不符
合要求时,下一步对料管的操作是()。
A、拔出塞钉
B、进入空管槽
C、进入上料槽
D、放回上料区
答案:D
激光检测到不符合要求的料管会重新放回上料区,等待下次筛选。
35、料盘外观检查前期,将料盘从中转箱中取出后,将测试合格的料盘放
在()。
A、己检品区
B、待检品区
C、不合格品区
D、工作台任意位置
答案:B
料盘外观检查前期,将料盘从中转箱中取出后,根据随件单核对合格品、
不合格品的数量一致后,将合格品和随件单放在工作台的右边,其中不合格品
放在工作台下方的不合格品箱中,合格品放在待检区,并且不能超过黄线,这
是为了防止检查时进行混合。
36、以全自动探针台为例,上片过程中,当承重台下降到指定位置时,()。
A、红色指示灯亮
B、红色指示灯灭
C、绿色指示灯亮
D、绿色指示灯灭
答案:B
以全自动探针台为例,承重台前的两个按钮指示灯:绿色表示上升,红色
表示下降。承重台下降到指定位置后,下降指示灯灭,即红色指示灯灭。
37、芯片检测工作流程()。
A、确定产品等级、研读Spe确定机械手、确定测试机、设计测试DUT、
方案编程调试、批量验证
B、确定产品等级、研读Spe确定机械手、设计测试DUT、确定测试机、
方案编程调试、批量验证
C、确定产品等级、方案编程调试、研读Spe确定测试机、确定机械手、
设计测试DUT、批量验证
D、确定产品等级、研读Spe确定测试机、确定机械手、设计测试DUT、
方案编程调试、批量验证
答案:D
38、芯片检测工艺中,整批芯片完成外观检查后,需要进入。环节。
A、编带
B、上料
C、测试
D、真空包装
答案:D
39、单晶硅生长完成后,需要进行质量检验,其中四探针法可以测量单晶
硅的()参数。
A、电阻率
B、直径
C、少数载流子寿命
D、导电类型
答案:A
40、下面选项中不属于激光打字的优点的是()o
A、精度高
B、字迹清晰
C、塑封体上易反复进行
D、不易擦除
答案:C
略
41、在外检时,发现晶圆周边有指纹等印记时,用()进行剔除。
A、打点器
B、油墨笔
C、铅笔
D、钢笔
答案:A
在外检时,发现晶圆周边有指纹等印记时,用油墨笔进行剔除。
42、在AD软件中,当项目被编译后,任何错误都将显示在()o
A、Message面板
B、Debug面板
C、Navigator面板
D、Project面板
答案:A
43、{平移式分选机进行芯片检测时,芯片在该区域的操作完成后会进入()
区域。}
A、上料
B、待测
C、测试
D、分选
答案:D
该图红色所框区域有L字型的测压手臂,为平移式分选机设备芯片检测工
艺的测试区域。测试完成后,会根据测试结果进行分选。
44、对晶向为6英寸N型半导体材料来说,()是作为放置第一步
的光刻图形的掩膜版的依据。
A、主平面
B、次平面
C、两个平面均可
D、定位槽
答案:A
晶向为6英寸N型半导体材料在定位时有两个基准面,主平面主要
用于硅片上芯片图形的定位和机械加工的定位,即作为放置第一步的光刻图形
的掩膜版的依据。
45、()是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体等材料中,改变材料电
学性质,达到形成半导体器件的目的。
A、光刻
B、掺杂
C、刻蚀
D、金属化
答案:B
掺杂是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体等材料中,改变材料电学性
质,达到形成半导体器件的目的。
46、封装工艺中,在晶圆切割后的光检中环节发现的不良废品,需要做()
处理。
A、剔除
B、修复
C、标记
D、降档
答案:A
47、“对刀”操作时,点击显示屏上主菜单的()按钮,使承载盘真空从
关闭状态转为开启状态。
A、9角度调整
B、开始
C、WorkSet
D、ManualAlign
答案:C
点击显示屏上主菜单的“WorkSet"(设置)按钮,使承载盘真空从关闭
状态转为开启状态。点击显示屏上的“ManualAlign”(手动对位)按钮,界
面跳转到“切割道调整界面”。点击“
48、在全自动探针台上进行扎针调试时,若发现探针整体偏移,则对应的
处理方式是:()。
A、利用摇杆微调扎针位置
B、相关技术人员手动拨针,使探针移动至相应位置
C、更换探针测试卡D、调节扎针深度
答案:A
扎针调试时通过对焦图检查到针印整体偏移,需要用摇杆微调整体的扎针
位置。
49、清洁车间内的墙面时要求使用()进行清洁。
A、麻布
B、不掉屑餐巾纸
C、无尘布
D、棉
答案:C
一周擦一次墙面,清洁车间内的墙时应使用无尘布。无尘布由100%聚酯纤
维双面编织而成,表面柔软,易于擦拭敏感表面,摩擦不脱纤维,具有良好的
吸水性及清洁效率。
50、若遇到需要编带的芯片,在测试完成后的操作是()。
A、测试
B、上料
C、编带
D、外观检查
答案:C
转塔式分选机的操作步骤一般为:上料一测试一编带一外观检查一真空包
装。
51、晶圆进行扎针测试时,测试机将测试结果通过()传输给探针台。
A、USD
B、GPIB
C、HDMI
D、VGA
答案:B
52、把塑封后的芯片放到温度为175±5℃的高温烘箱内的作用是()o
A、消除内部应力,保护芯片
B、测试产品耐高温效果
C、改变塑封外形
D、剔除塑封虚封的产品
答案:A
注塑之后为了保护芯片,消除内部的应力,我们还需要把塑封后的芯片放
到温度为175±5℃的高温烘箱内进行高温固化,一般需要8小时的固化时间。
53、当测压手臂未吸起芯片,经检查有芯片在入料梭上后,需按“()”键
继续吸取一次。
A、SKIP
B、RESTART
C、RETRY
D、STOP
答案:C
当测压手臂未吸起芯片,经检查有芯片在入料梭上后,需按“RETRY”键继
续吸取一次。
54、完善的精储技术可将杂质总量降低到()量级。
A、10-210-5
B、10-5^10-7
C、10-7^10-10
D、10-17^10-20
答案:C
提纯四氯化硅通常使用精储法。完善的精储技术可将杂质总量降低到10-
7~10-10量级。
55、低压化学气相淀积的英文缩写是。。
A、APCVD
B、PECVD
C、LPCVD
D、HDPCVD
答案:C
APCVD是常压化学气相淀积;PECVD是等离子体增强型化学气相淀积;
LPCVD是低压化学气相淀积;HDPCVD是高密度等离子体化学气相淀积。
56、在使用JTink驱动连接单片机是需在魔法棒按钮的()中设置()o
A、Debug;地址范围
B、Debug;工作频率
C、Output;地址范围
D、Output;工作频率
答案:A
57、通常被用于深紫外光刻胶的准分子激光器的光源材料是()。
A、KrF
B、F2
C、ArF
D、XeF
答案:A
通常被用于深紫外光刻胶的准分子激光器的光源材料是氟化氟KrF。
58、SOP封装的芯片一般采用()形式进行包装。
A、卷盘
B、编带
C、料管
D、料盘
答案:B
SOP封装因其体积小等特点,一般采用编带包装形式。
59、重力式分选机进行自动上料筛选,当检测到传送带上的料管放置不符
合要求时,下一步对料管的操作是()。
A、拔出塞钉
B、进入空管槽
C、进入上料槽
D、放回上料区
答案:D
激光检测到不符合要求的料管会重新放回上料区,等待下次筛选。
60、平移式分选机完成测试后,会进入()环节。
A、上料
B^分选
C、外观检查
D、真空包装
答案:B
平移式分选机的操作步骤一般为:上料一测试一分选一外观检查一真空包
装。
61、进行芯片检测工艺的芯片外观检查时,将工作台整理干净后,根据物
流提供的。到待检查品货架上领取待外检的芯片。
A、芯片测试随件单
B、晶圆测试随件单
C、中转箱号
D、芯片名称
答案:C
62、在半自动探针台进行扎针调试时,当针尖悬于待测点上方,先调节()
旋钮。
A、X轴
B、Y轴
C、Z轴
D、X-Y-Z微调
答案:B
在半自动探针台上进行扎针调试时,当针尖悬于待测点上方,先用Y轴旋
钮将探针退后少许,再用Z轴旋钮下针,最后用X轴旋钮。
63、管装包装时,将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后,需要在内
盒的封口边()处贴上“合格”标签。
A、左侧
B、右侧
C、中央
D、任意位置
答案:C
管装包装时,将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后,需要在内盒的
封口边中央处贴上“合格”标签。
64、解决铝尖刺的方法有。。
A、在合金化的铝中适当地添加铜
B、采用三层夹心结构
C、在合金化的铝中适当地添加硅
D、采用“竹节状”结构
答案:C
解决铝尖刺的方法有在合金化的铝中适当地添加硅。
65、下列有关平移式分选机描述错误的是()。
A、平移式分选机是采用测压手臂下压的压测方式进行的
B、通过入料梭移动将芯片从待测区“中转站”转移至测试区,等待测压
手臂吸取芯片进行测试。
C、收料时,为了确保料盘能平稳地放入,需要将收料架上的料盘向下压
紧
D、测试机通过GPIB将测试结果反馈给分选机,在分选机的显示界面显示
测试结果并记录
答案:C
66、一般来说,()封装形式会采用平移式分选机进行测试。
A、LGA/TO
B、LGA/SOP
C、DIP/SOP
D、QFP/QFN
答案:D
一般来说,LGA/TO会采用转塔式分选机进行测试,DIP/SOP会采用重力式
分选机进行测试,QFP/QFN会采用平移式分选机进行测试。
67、关于全自动探针台扎针调试的步骤,下列说法正确的是:()o
A、输入晶圆信息一调出检测MAP图一自动对焦一扎针调试
B、输入晶圆信息一自动对焦一调出检测MAP图一扎针调试
C、输入晶圆信息一自动对焦一扎针调试一调出检测MAP图
D、输入晶圆信息一调出检测MAP图一扎针调试一自动对焦
答案:B
全自动探针台扎针调试步骤:输入晶圆信息一自动对焦一调出检测MAP图
一扎针调试。
68、有关开路测试不正确的是()。
A、管脚正常连接:pinl和地之间会存在一个压差,其大小为pinl与地
之间的ESD二极管的导通压降,大约在0.6~0.7V左右。如果改变电压方向,VI
电压的测量结果大约为-0.6~-0.7V左右
B、管脚出现开路:ESD二极管被断开,pinl和地之间的电阻会无限大,
在管脚施加负电流时,VI的电压会无限小(负压)。在实际情况中,电压会受
测试源本身存在的钳位电压,或者受电压量程挡位限制达到一个极限值
C、管脚出现短路:ESD二极管被短路,pinl和地之间的电阻接近为0欧
姆,此时不管施加多少电流,VI都接近于0V
D、测量Pinl和VDD之间的通断情况,则可以将VDD通过测试源加到0V,
利用12电流和二极管D2的正向导通压降进行测量和判断。此时12的电流方向
和II的电流方向相同,此时VI的电压为正电压
答案:D
69、芯片封装工艺中,下列选项中的工序均属于前段工艺的是()。
A、晶圆切割、引线键合、塑封、激光打字
B、晶圆贴膜、芯片粘接、激光打字、去飞边
C、晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接、引线键合
D、晶圆切割、芯片粘接、塑封、去飞边
答案:C
封装工艺流程中前段工艺包括晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接以及引线键
合,后段工艺则包括塑封、激光打字、去飞边、电镀以及切筋成型。
70、重力式分选机进行芯片检测时,上料的第一步是()。
A、设置参数
B、吸取芯片
C、装料
D、上料夹具夹持
答案:C
装料是上料的第一步。装料是将待测料管放入上料槽内。装料完成后由上
料夹具夹持上料。
71、通常一个花篮中最多装()片晶圆。
A、15
B、20
C、25
D、30
答案:C
72、转塔式芯片检测前需要进行参数设置,其中设置动作延时的时间是为
了()。
A、确保所有环节的测试能够完整进行
B、配合并行测试的速率
C、防止卷盘上编带两端在操作过程中出现封口分离的情况
D、准备对应的测试卡
答案:A
转塔式分选机设备在芯片检测前需要进行参数设置,其中设置动作延时的
时间是为了确保所有环节的测试能够完整进行。
73、使用重力式分选机进行模块电路的串行测试时,假设A,B轨道测试合
格,C轨道测试不合格,芯片移动的路线是()O
A、A测试轨道一分选梭1-B测试轨道f分选梭2-C测试轨道一分选梭
3~D合格轨道~分选梭4一不良品料管;
B、A测试轨道一分选梭1-B测试轨道~分选梭2-C不合格轨道一分选
梭3-D不合格轨道一分选梭4f不良品料管;
C、A测试轨道一分选梭1-B测试轨道一分选梭2-C不合格轨道f分选
梭3-D不合格轨道一分选梭4f不良品料管
D、A测试轨道一分选梭1-B测试轨道f分选梭2-C测试轨道f分选梭
3->D不合格轨道一分选梭4f不良品料管
答案:D
74、墨点打点的位置是在()的中央。
A、PAD点
B、晶粒
C、晶圆
D、切割通道
答案:B
打点时,合格的墨点必须控制在管芯面积的1/4、1/3大小,且墨点不能覆
盖PAD点。管芯是指在集成电路中制造集成块所用的晶粒。
75、在晶圆盒内壁放一圈海绵的目的是()。
A、防止晶圆包装盒和晶圆直接接触
B、防止晶圆之间的接触
C、防止晶圆在搬运过程中发生移动
D、美观
答案:A
在晶圆盒内壁放一圈海绵是为了防止晶圆盒和晶圆接触。
76、主控有较多的选择空间,这里主要考虑检测方案是()o
A、是否需要A/D转换
B、工作频率高低
C、能耗大小
D、输入、输出数量
答案:A
77、使用重力式分选机设备进行芯片检测,当遇到料管卡料时,设备会()。
A、继续操作
B、会自动处理
C、停止运行并报警
D、只进行报警
答案:C
重力式分选机进行芯片检测时,如果遇到料管满管或者卡料时,会出现设
备自动停测并报警提示。
78、晶圆切割的作用是。。
A、对晶圆边缘进行修正
B、将完整的晶圆分割成单独的晶粒
C、在完整的晶圆上划出切割道的痕迹,方便后续晶粒的分离
D、切除电气性能不良的晶粒
答案:B
晶圆切割将整片晶圆切割成一颗颗独立的晶粒,用于后续集成电路的制造。
79、{以串行测试为例,假设A,B轨道测试合格,C轨道测试不合格,芯片
移动的路线是()。}
A、A测试轨道一分选梭1-B测试轨道一分选梭2fC测试轨道f分选梭
3->D合格轨道分选梭4f不良品料管;
B、A测试轨道一分选梭1-B测试轨道一分选梭2-C不合格轨道一分选
梭3-D不合格轨道一分选梭4f不良品料管;
C、A测试轨道一分选梭1-B测试轨道一分选梭2-C不合格轨道一分选
梭3-D不合格轨道一分选梭4f不良品料管
D、A测试轨道分选梭1-B测试轨道一分选梭2-C测试轨道一分选梭
3-D不合格轨道f分选梭4f不良品料管
答案:D
重力式分选机进行串行测试时,A,B轨道测试合格,C轨道测试不合格,芯
片移动的路线是:分选梭1将A轨道测试合格的芯片送入B测试轨道,B轨道
测试合格后,分选梭2将芯片送人C测试轨道,C轨道测试不合格后,分选梭3
将芯片送入D不合格轨道,分选梭4将芯片放入不良品料管中。
80、金属铝在集成电路中通常用于。。
A、填充塞
B、金属连线
C、阻挡层
D、焊接层
答案:A
金属鸨在集成电路中通常用于鸨填充塞。
81、LK32Tl02单片机内部有一个()ADC。
A、8位
B、12位
C、18位
D、24位
答案:B
82、避光测试是通过显微镜观察到待测点位置、完成扎针位置的调试后,
用()遮挡住晶圆四周,完全避光后再进行测试。
A、气泡膜
B、不透明袋
C、黑布
D、白布
答案:C
83、装有晶圆的花篮需要放在氮气柜中储存的主要目的是。。
A、防氧化
B、合理利用生产车间的空间
C、作为生产工艺的中转站
D、防尘
答案:A
84、晶圆检测工艺中,进行晶圆烘烤时,温度一般设置在。°C。
A、110
B、120
C、130
D、150
答案:B
85、下列选项中不属于“5s”管理要求的是()o
A、培训
B、清扫
C、整理
D、素养
答案:A
〃5S管理起源于日本,是指在生产现场对人员、机器、材料、方法等生产
要素进行有效管理的一种管理方式。5s即整理(SEIRI)、整顿(SEITON)、
清扫(SEISO)、清洁(SEIKETSU)、素养(SHITSUKE),因为这5个词日语中
罗马拼音的第一个字母都是"S",所以简称为"5S"。"
86、请根据下列图片判断哪幅图片是合格针迹?()
A、图片
B、图片
C、图片
D、图片
答案:A
87、以立式氧化扩散炉为例,以下氧化扩散方式正确的是()。①产品放
置完成后在电脑终端输入控制片ID。②在电脑终端输入操作设备ID、硅片批
号等。③放置硅片盒后,在设备上确认硅片批号等信息后按下确认按钮。④
将一定数量的硅片盒放在立式氧化扩散炉设备的loader窗口,确认放好后按下
按钮进行操作。⑤等待设备传片,传完片后石英舟上升进入炉管。⑥按同样
的方法将控制片放置在氧化炉窗口。⑦等待工艺完成后,设备传片结束,此时
设备黄灯闪烁。
A、②④③①⑥⑤⑦
B、②①④③⑥⑤⑦
C、②④⑥③①⑤⑦
D、②⑥⑤④③①⑦
答案:A
88、下列关于平移式分选机描述错误的是()。
A、传送带将料架上层的料盘输送至待测区料盘放置的指定区域
B、料盘输送到待测区的指定位置后,吸嘴从料盘上真空吸取芯片,然后
转移至“中转站”
C、等待芯片传输装置移动到“中转站”接收芯片并将芯片转移至测试区
D、当待测区料盘上的芯片全部转移后,需要更换料盘,继续进行上料
答案:A
89、下列说法错误的是()o
A^在cadence软件界面上,单击Tools菜单,选择LibraryManager命
令,出现“库文件管理器”
B、用户可以在库文件里新建单元,但不能在新建的单元下新建视图
C、选择Tool选项中的Composer-Schematic选项,表示在单元下建立电
路图视图
D、在电路编辑窗口中,利用图标栏可以快速建立、编辑电路图
答案:B
90、编带过程中,在进行热封处理后,需要进行()环节。
A、芯片放入载带
B、密封
C、编带收料
D、光检
答案:C
转塔式分选机进行编带的步骤是:芯片光检一载带移动一热封处理一编带
收料一清料。
91、在淀积时,反应气体的多少会影响淀积的速率及均匀性,因此需严格
控制气体流量,通常采用()来实现精确控制。
A、质量流量计
B、气体流量计
C、液体流量计
D、电磁流量计
答案:A
92、下列语句的含义是()。
A、->OUT&=0X00FF
B、->OUT|=0X0F00
C、GPIOB低八位端口,高四位为低,低四位为高
D、GPI0B低八位端口,高四位为高,低四位为低
E、GPIOB高八位端口,高四位为低,低四位为高
F、GPIOB高八位端口,高四位为高,低四位为低
答案:C
93、在扎针测试时,如果遇到需要加温的晶圆,对晶圆的加温是()。
A、在扎针调试之前
B、在扎针调试之后
C、在扎针调试过程中
D、在扎针调试前后都可以
答案:A
94、在原理图编辑器内,用鼠标左键选择每一个元件,当选中一个元件时,
在对话框的右边的封装管理编辑框内设计者可以。当前选中元件的封装。
A、添加、删除
B、添加、删除、复制
C、添加、删除、编辑
D、添加、删除、复制、编辑
答案:C
95、激光打标文本内容和格式设置好之后,需要()。
A、选择打标文档
B、点击保存按钮
C、点击开始打标按钮
D、调整光具位置
答案:B
打标文本内容编辑好后点击“保存”即可,然后开始调整光具位置准备打
标。
96、封装工艺中,。工序后的合格品进入塑封工序。
A、引线键合
B、第二道光检
C、芯片粘接
D、第三道光检
答案:D
97、扎针测试的步骤是:()。
A、输入晶圆信息一测试f清零一检查扎针情况(有异常)一异常情况处
理~继续测试一记录测试结果
B、输入晶圆信息一测试一检查扎针情况(有异常)一异常情况处理一清
零一继续测试一记录测试结果
C、输入晶圆信息一检查扎针情况(无异常)一测试一清零一继续测试一
记录测试结果
D、输入晶圆信息一清零一测试一检查扎针情况(无异常)一继续测试一
记录测试结果
答案:D
扎针测试时,在界面输入晶圆信息并进行核对,核对信息一致后需要进行
清零,清零是为了保证晶圆的零点与检测MAP图上的零点位置一致,防止出现
探针未按照设定运行轨迹进行扎针测试的现象。确认清零后,点击开始按钮进
行扎针测试。当测至500颗左右时需检查扎针情况,若无异常则继续进行测试,
测试完成后记录测试结果,若有异常则需要进行相应处理后再继续测试。
98、在AltiumDesigner软件中完成电路设计之后,为了验证所布线的电
路板是符合设计规则的,现在设计者要运行()。
A、BoardLayers&Colors
B、DesignRuleCheck
C、ProjectOutputsforMultivibrator
D、PCBRulesandconstraintsEditor
答案:B
99、封装工艺中,芯片粘接工序中,完成点银浆以后进入()步骤。
A、框架上料
B、芯片拾取
C、框架收料
D、银浆固化
答案:B
100、重力式外观检查是在()环节之前进行的。
A、编带
B、测试
C、分选
D、真空包装
答案:D
重力式分选机设备芯片检测工艺流程:上料一测试一分选一编带(SOP)一
外观检查一真空包装。
101、模块电路外观检查时
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