2024单晶硅PERC太阳电池

PERC 前 GB/T191GB/T2296GB/T6495.1–1996光伏器件1部分：光伏电流–GB/T6495.3–1996 光伏器件第3部分：地面用光伏期间的测量原理及标准光谱辐照度数据GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法ASTMD3359GB/T14264PERCPassivatedemitterrearcontactsolarcell的缩写，即钝化发射区背面接触1%ELPERC电池背面经过激光工序后，三氧化二铝/氮化硅薄膜被破坏的面积占总面积的比率。PERC电池的过程中，硅片表面接收到的激光的功率。表示A/B片等信息产，A片的单晶硅电池片。5。12PERC LIDLID1.5%&单片效率衰减<26.5.26.65.1.5、5.2的规定，电池的最大功率衰减比率3%。SENTECHAdvanced碱抛100–140nm4PERC35000±3000温度：25±2≤60800lx0.01mm0.001mm610–55℃～120℃0.02mm～1mm电极外观、图形尺寸、形状和位移的检验方法见表r（或负350℃，8020分钟，实验过程中无集中性气泡且水不浑浊；0.44N/mm。具体ASTMD3359的规定进行。0.02mm0.01mm的千分尺或GB/T66185 rABVV<2mm230mm2不允许崩到栅线、V型崩边及崩透；1个；L＜0.5mm1/2，5片0.8mm＜L<1mmD<1mmN≤3个，不允许崩到栅线、V型崩边及崩透H≤2.0mm（2小时测试H≤2.5mm（2小时测试4个L240um±20um220)，220um±20um200)，200um±20um175/180)240um+20um(siliconwaferthickness200),200um+20um(siliconwaferthickness214；电池片正面或边角明显发红（但发黄不明显），14；3常规电池片无明显色差（各颜色在模板区间内个数≤2个数≤2个数≤23mm²，不允许成指纹状手个数≤2根，长度≤10mm；一个组件≤1片；线痕根数≤1（断线≤52mm），水印痕≤2主栅线粗细均匀，左右偏移≤0.3mm无氧化，允许1*1mm²无氧化；断线：长度＜1mm4处，不在同根虚印：长度＜10mm2断栅/氧化：长度＜2mm，处数≤5处，相虚印：长度≤13mm3累积划痕长度<10mm,宽度<0.5mm，一个组件内电3片；累积划痕长度≥10mm,单个面积≤1mm²，数量≤2个，电池片边缘不允许10%单个面积≤2mm²，数量≤5A边框线粗栅宽度≤0.15mm,长度≤1/4细栅线长度，连续加粗栅线≤5个；单个面积≤0.3mm²，个数≤10个，单个大小≤2mm长*0.3mm宽，个数≤2个单个面积大小≤5mm长*0.3mm5个数≤1个数≤2个，单个面积≤5mm²A1背场线痕不允许在正背电极上,背面线痕无明显高度差,单个露硅面积≤4m²≤10.mm5m²≤4mm²，N≤2背场线痕未露硅，无明显凹凸感，n≤2根；背场许，单根长度≤3cm5处；密集型划痕≤20mm*20mm1处，一包电池片≤20片PECVD个数≤2个，单个面积≤5mm²且范围超出A级范围个数≤2个，单个面积≤5mm²且范围超出A级范围0.3mm(以测试值为准，≥0.25mm需调整)；激光边允许非同一根栅线漏打数量≤3处，同一栅线上数量≤2处，且长度＜2mm；P007激光图形)11表6ELABEL黑色划伤:≤15mm移位错导致EL有交叉划伤印刻蚀线不允许过外框栅线连续断栅≤3分散的断栅＜7每班小于10PCS(4–6根（断栅长度≤1cm不计为断栅皮带印：EL测试后形成黑线或灰线；N≤2条（灰色EL雪花点/黑bonay电池片上散布着不规在明显边界的黑色斑点状区域单包≤8SE散点状的按脏污和黑点标准判定（黑色≤1%条状的按断栅标准判定（3根，分散的断栅＜7的不计0.01N的拉力计对焊带进行拉拔（1）1.73N/mm(电池片头1电池隐性裂纹、EL黑边、EL黑心黑斑、EL在电池电极两端加正向电压，使电流密度大小和电池短路电流密度相当，用分辨率优于型式试验和交收实验时，电性能参数在经标准电池片校准，且满足GB/T6495.1–1996和GB/T6495.3–1996要求的电池测试分选设备上进行测试将经初始光衰减稳定后的电池样品间隔地放置在环境试验箱（60%）2的6h5次。再对电池外观、力学性能、电性能参数中的最大功率进行检测215SENTECHAdvanced400测试三氧化5.5.1要求。

PmaxP

Pmin447PERC周的生产批组成。交收检验项目除全检项目外