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文档简介

半导体基本知识一.本征半导体导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。硅（Si）、锗（Ge）是最常使用的半导体材料，它们均为四价元素，原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。

本征半导体是纯净的晶体结构的半导体，它内部无杂质，具有稳定的结构。本征半导体硅晶体中的共价健结构

Si

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Si本征半导体相邻原子间距离很小，相邻两个原子的一对最外层电子不但围绕自身所属的原子核运动，而且会出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，形成共价键结构。由于热运动，具有足够能量的价电子会挣脱共价键的束缚而成为自由电子。自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴。本征半导体硅晶体中的共价健结构

Si

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Si自由电子与空穴相碰时会同时消失，称为复合。一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。本征半导体硅晶体中的共价健结构

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Si运载电荷的粒子称为载流子。

外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，所以导电性很差。温度升高时，热运动会加剧，导致载流子浓度增大，从而使导电性增强。所以，温度对半导体器件性能影响很大，半导体器件具有温敏的特性。二.杂质半导体在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。

Si

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Sip+掺入五价元素后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称多子，空穴是少数载流子，简称少子。

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SiB–杂质半导体掺入三价元素后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。在P型半导体中空穴是多数载

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