光电融合器件工艺

21/24光电融合器件工艺第一部分光电融合器件关键技术 2第二部分半导体异质集成工艺 4第三部分光波导设计与制备 7第四部分光电转换材料与结构 10第五部分集成光源与探测器 13第六部分电光调制与光电信号处理 16第七部分封装与测试技术 18第八部分光电融合器件应用场景 21

第一部分光电融合器件关键技术关键词关键要点【光电芯片设计】

1.高集成化实现多功能器件，如光电探测和信号处理融合。

2.优化光电器件的几何结构和光学特性，以提高光电转换效率和信噪比。

3.采用先进的工艺技术，如异质集成和三维封装，实现器件的高精度和可靠性。

【光电材料生长和表征】

光电融合器件关键技术

一、异质材料集成技术

光电融合器件的关键技术之一是异质材料集成，包括：

*晶片键合：将不同衬底上的化合物半导体晶片连接在一起，形成单芯片设备。

*外延生长：在异质衬底上生长不同材料的层，实现材料性质的调整和优化。

*纳米连接：使用纳米尺度的金属或介质纳米粒子或纳米线，在不同材料之间建立电气或光学连接。

二、光子集成技术

光电融合器件中光子集成技术至关重要，涉及：

*波导设计与制造：设计和制作用于传输和调制光的波导，包括硅光子、氮化镓光子等。

*光腔谐振器：创建光腔谐振器，以增强光电相互作用并实现高性能光学功能。

*光互连：开发光互连技术，实现不同光子器件之间的光信号传输和分发。

三、电光集成技术

电光集成技术是光电融合器件的关键组成部分，包括：

*光电探测器：集成光电探测器，例如光电二极管、光电倍增管和雪崩光电二极管，以检测光信号。

*光调制器：集成光调制器，例如马赫-曾德尔调制器和电吸收调制器，以调制光信号。

*电容加载效应：利用电容加载效应，实现光电转换效率的增强和减小驱动电压。

四、微电子与光子学融合

光电融合器件的核心技术是微电子与光子学的融合，包括：

*CMOS工艺与光子学集成：将标准CMOS工艺与光子学集成相结合，实现光电器件与电子电路的协同工作。

*电子-光子接口：开发电子-光子接口，将电信号转换为光信号，或将光信号转换为电信号。

*异构集成：将不同技术节点和不同功能的芯片集成到单个封装中，以实现高性能和低功耗。

五、封装工艺

光电融合器件的封装工艺对于器件性能至关重要，包括：

*气密封装：采用气密封装技术，保护器件免受环境影响，保持其稳定性。

*光纤耦合：优化光纤与光电器件之间的耦合，以实现高效的光信号传输。

*散热设计：设计和实施散热机制，以防止器件因热量积聚而导致性能下降。

六、测试与表征

光电融合器件需要进行全面的测试和表征，以确保其性能和可靠性，包括：

*光电转换效率：测量器件将光信号转换为电信号的效率。

*调制速率：测量器件调制光信号的能力。

*光学损耗：测量器件中光信号的损耗。

*可靠性测试：进行温度、湿度和振动测试，评估器件在不同环境条件下的稳定性。第二部分半导体异质集成工艺关键词关键要点硅基异质集成

1.将不同半导体材料（如砷化镓、氮化镓）与硅基底片集成，实现高速、高效的光电器件。

2.采用先进的异质外延、键合和互连技术，突破传统硅工艺的限制，提高器件性能。

3.适用于高速通信、光计算、生物传感等广泛应用领域，具有广阔的市场前景。

光子集成电路

1.在单个芯片上集成多个光学元件，如激光器、波导、调制器等，实现光信号处理和处理。

2.利用硅光子学或氮化硅光子学平台，实现高密度、低损耗、低交叉串扰的光子集成。

3.为下一代光通信、光计算和光传感技术提供关键支撑，提高系统集成度和性能。

量子异质集成

1.将量子材料（如超导体、半导体）与常规半导体集成，实现量子计算、量子通信等前沿应用。

2.利用异质外延、原子层沉积等技术，精确控制量子材料的生长和集成。

3.突破量子器件尺寸和性能瓶颈，为量子信息技术的发展提供基础保障。

柔性异质集成

1.将半导体异质集成技术与柔性基板相结合，实现可弯曲、可折叠的光电器件。

2.利用聚合物、薄膜等柔性材料，提供轻巧、耐用的基板支撑。

3.适用于可穿戴设备、柔性显示、电子皮肤等新兴应用，拓展了器件的应用场景。

增材制造异质集成

1.利用增材制造技术（如3D打印）构建三维异质集成结构，突破传统工艺的平面限制。

2.实现器件快速原型制作、定制化设计和复杂结构设计，提高研发效率。

3.为高级光学元件、生物传感和微流控器件等领域提供新的制造手段。

集成光电子封装技术

1.将光学和电子元器件通过先进的封装技术集成到单个模块中，实现光电系统的高度集成。

2.利用芯片级封装、光子封装等技术，提高器件集成度、降低系统成本。

3.适用于高性能光通信模块、光子集成系统和光电传感器等应用，满足下一代信息和通信技术的需要。半导体异质集成工艺

半导体异质集成工艺涉及将不同的半导体材料和器件集成在单个芯片上。它提供了超越传统同质集成方法的性能、功能和成本优势。该工艺的主要技术包括：

晶圆键合

晶圆键合将两个或多个晶圆永久地键合在一起，形成多层异构结构。键合过程利用界面键合机制，如范德华力、共价键合或金属键合。根据键合机制，晶圆键合技术可分为直接键合、中间介质键合和混合键合。

硅通孔（TSV）

TSV是通过晶圆厚度蚀刻的垂直互连，允许不同层之间的电气连接。TSV通常由铜或钨填充，具有高导电性。TSV工艺包括蚀刻、金属电镀和介电质填充。

翻转键合

翻转键合是一种将芯片背面与另一晶圆键合的工艺。这消除了顶部互连层的需要，释放了芯片表面积以实现更高密度集成。翻转键合工艺包括芯片背面凸点的形成、键合剂应用和键合过程。

薄膜转移

薄膜转移涉及从源晶圆剥离薄膜层并将其转移到目标晶圆上。这允许集成异构材料和设备，例如光学元件、压电传感器或射频（RF）器件。薄膜转移工艺包括层分离、转移过程和目标晶圆上的重新沉积。

异质外延

异质外延是在不同半导体材料上沉积新的半导体材料层。这允许创建具有定制属性的复合异构结构。异质外延工艺包括外延生长、选择性外延生长和异质外延外延（HEE）。

异质集成工艺的优势

异质集成工艺提供以下优势：

*提高性能：通过集成不同材料和器件，可以实现超越单个材料或工艺技术的性能。

*增强功能：异质集成允许在单个芯片上集成多种功能，从而实现更复杂的系统。

*降低成本：异构集成可以减少对多个芯片和封装的需求，从而降低制造成本。

*增强封装灵活性：异构集成允许选择最适合特定应用的封装技术。

*缩小尺寸：异构集成可以缩小设备尺寸，从而实现更紧凑的设计。

应用

半导体异质集成工艺已广泛用于各种应用，包括：

*光电集成电路（OEIC）

*生物传感

*射频通信

*能源收集和存储

*机器视觉

*人工智能

随着技术进步和新材料的发展，预计异质集成工艺将在未来发挥越来越重要的作用，推动半导体行业的创新和进步。第三部分光波导设计与制备关键词关键要点【光波导设计】

1.光波导设计的目标是实现特定波长范围内的光信号高效传输，其涉及波导材料、几何结构、色散控制等方面的优化。

2.波导材料的选择至关重要，需考虑其折射率、损耗、热稳定性和相容性等特性。常见的光波导材料包括硅基材料、氮化硅、铌酸锂和聚合物。

3.波导几何结构的设计则涉及波导的截面形状、尺寸和弯曲半径等参数的优化，以实现特定模式的传播和色散补偿。

【光波导制备】

光波导设计与制备

光波导简介

光波导是一种能够引导光波传输的结构，是光电融合器件中至关重要的组成部分。根据横截面形状和折射率分布，光波导可分为以下几种类型：

*阶梯型光波导

*渐变型光波导

*单模光波导

*多模光波导

光波导设计

光波导的设计涉及多个因素，主要包括：

*折射率分布：折射率分布决定了光波在光波导中的传播特性，包括传输模式、色散和损耗。

*波导宽度：波导宽度影响光波在光波导中的约束程度，从而影响传输模式和损耗。

*波导厚度：波导厚度决定了光波导的机械强度和光学特性。

*衬底材料：衬底材料的折射率和光学特性影响光波导的传播模式和损耗。

光波导制备

光波导的制备方法多样，常见方法包括：

*光刻和刻蚀：在衬底材料上进行光刻和刻蚀工艺，形成所需的波导结构。

*薄膜沉积：采用分子束外延(MBE)、化学气相沉积(CVD)或其他薄膜沉积技术，在衬底材料上沉积高折射率材料，形成波导核心层。

*离子注入：通过离子注入技术，在衬底材料中形成高折射率区域，形成波导结构。

*激光诱导：利用聚焦激光束在衬底材料中诱发相变或结构变化，形成光波导。

具体制备工艺

以硅基阶梯型光波导为例，其制备工艺流程如下：

1.衬底制备：使用抛光硅晶圆作为衬底材料。

2.掩膜图案化：通过光刻工艺，在光刻胶上形成所需的波导图案。

3.刻蚀：使用反应离子刻蚀(RIE)或湿法刻蚀工艺，将波导图案转移到硅衬底上。

4.波导侧壁passivation：通过热氧化或氮化工艺，在波导侧壁形成保护层，减少光波散射和吸收损耗。

5.波导表面平坦化：通过化学机械抛光(CMP)或其他工艺，将波导表面抛光平整，减少光波散射和衍射损耗。

关键参数

光波导制备过程中，需要精确控制工艺参数，以确保光波导的性能满足设计要求。关键参数包括：

*波导核心层折射率：影响光波的传播速度和传播模式。

*波导宽度：影响光波的约束程度和传播损耗。

*波导厚度：影响光波导的机械强度和光学特性。

*波导侧壁粗糙度：影响光波的散射和吸收损耗。

*波导弯曲半径：影响光波在弯曲波导中的传播特性和损耗。第四部分光电转换材料与结构关键词关键要点宽带隙半导体光电材料

1.氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体具有高光电响应率、高载流子迁移率和耐高温特性，适合于紫外和可见光谱范围内的光电转换。

2.宽带隙半导体材料的异质结结构可以实现高效的光电转换和宽波段响应，如GaN/AlGaN异质结太阳能电池。

3.纳米结构和量子阱等微纳加工技术可以进一步提高宽带隙半导体材料的光电转换效率和降低成本。

有机-无机杂化钙钛矿材料

1.有机-无机杂化钙钛矿材料具有优异的光吸收性能、高载流子迁移率和可调谐的带隙，是新型光电器件的promising材料。

2.钙钛矿材料的稳定性问题是其商业化的主要障碍，通过材料掺杂、界面钝化和其他稳定化策略可以有效提高其稳定性。

3.钙钛矿太阳能电池和光电探测器等基于钙钛矿材料的光电器件具有巨大的应用潜力和发展空间。

二维材料光电材料

1.石墨烯、过渡金属二硫化物（TMDs）等二维材料具有独特的光电特性，如高光吸收、可调谐的带隙和异向性电学性质。

2.二维材料与宽带隙半导体或钙钛矿材料的异质结结构可以实现高效的光电转换和宽波段响应，如石墨烯/GaN异质结太阳能电池。

3.二维材料的纳米结构和调控技术可以进一步提高其光电转换效率和拓展其应用领域。

纳米结构光电材料

1.纳米线、纳米棒和纳米点等纳米结构可以提高光电材料的光吸收效率、载流子收集效率和器件性能。

2.纳米结构的光电器件具有体积小、集成度高、响应速度快等优点，适用于光通讯、传感和成像等领域。

3.纳米结构的表面电荷、尺寸和形状等参数canbetailoredtooptimizetheoptoelectronicproperties.

高折射率光子晶体

1.光子晶体具有周期性变化的折射率分布，可以实现光子禁带和模式控制，为光电器件提供光场调控和增强手段。

2.高折射率光子晶体可以有效降低光子泄漏和器件尺寸，提高光电转换效率和集成度。

3.高折射率光子晶体的范德华外延技术可以实现异质材料的无缝集成，拓宽光电器件的功能。

光子集成技术

1.光子集成技术通过将多个光学元件集成在单个芯片上，实现光信号的处理、转换和调制。

2.集成光学器件具有体积小、能耗低、稳定性高和量产潜力等优点，适用于高速光通信、光计算和光传感等领域。

3.光子集成技术与宽带隙半导体、有机-无机杂化钙钛矿材料等新型光电材料相结合，可以实现功能更强大、性能更卓越的光电融合器件。光电转换材料

半导体材料

*单晶硅：高效率、低缺陷，用于太阳能电池和光电探测器。

*多晶硅：比单晶硅更经济实惠，用于薄膜太阳能电池。

*砷化镓（GaAs）：高效率、宽光谱响应，用于高性能太阳能电池和光电探测器。

*氮化镓（GaN）：高热稳定性、宽禁带，用于紫外光电探测器和高功率电子器件。

有机材料

*共轭聚合物：具有电荷传输和光吸收能力，用于有机太阳能电池和有机发光二极管（OLED）。

*有机-金属配合物：将有机基团与金属离子结合，具有宽吸收光谱和高载流子迁移率。

*染料敏化太阳能电池（DSSCs）：使用染料分子吸收光并将其转换成电荷，具有低成本和高效率。

钙钛矿材料

*混合卤化物钙钛矿：具有优异的光伏特性，包括高吸收系数、长载流子扩散长度和低缺陷密度。

*全无机钙钛矿：具有更高的稳定性和更好的耐热性，有望实现高效率和长寿命太阳能电池。

光电结构

异质结

*p-n结：由p型和n型半导体层组成，在结界面处形成一个耗尽层，用于光电转换和电子器件。

*肖特基结：由金属和半导体层组成，在结界面处形成一个肖特基势垒，用于光电转换和高频电子器件。

*异质结：由不同半导体材料组成的结，具有独特的电子性质，用于多结太阳能电池和光电探测器。

量子阱和量子点

*量子阱：两个具有不同带隙的半导体层之间的薄层结构，电子和空穴被限制在量子阱中，具有特殊的光学和电子性质。

*量子点：纳米尺寸的半导体晶体，具有离散的能级和高发光效率，用于光电转换和生物成像。

纳米线和纳米棒

*纳米线：一维纳米结构，具有优异的光吸收和电荷传输特性，用于光伏和光电探测器。

*纳米棒：二维纳米结构，具有与纳米线类似的特性，还具有极化效应，用于增强光电转换效率。

光子晶体和等离子体结构

*光子晶体：一种周期性变化的介电材料结构，能够控制光子的传播和增强光电相互作用。

*等离子体结构：利用金属纳米结构的表面等离子体共振特性，增强光电转换和光学器件的性能。

集成光电器件

*光电探测阵列：集成多个光电探测器元件在一个芯片上，用于成像和光谱分析。

*光调制器：利用光电效应调制光的传播和偏振，用于光通信和光信号处理。

*光电耦合器：将光信号转换为电信号或电信号转换为光信号，用于光电转换和数字电路接口。第五部分集成光源与探测器关键词关键要点【集成激光光源】：

1.采用半导体激光器作为光源，具有小体积、低能耗、高效率的优点。

2.集成分布式反馈（DFB）或垂直腔面发射激光器（VCSEL）技术，实现单纵模、波长可调谐的光输出。

3.利用微纳加工技术，在光芯片上集成光源腔体、导波结构和驱动电路。

【集成探测器】：

集成光源与探测器

光电融合器件将光源和探测器集成于同一芯片上，是一种光电协同器件。它能实现光和电信号的高效转换，具有体积小、集成度高、功耗低、低成本等优点。

光源集成

光源集成技术包括激光器集成和发光二极管（LED）集成两种方式。

*激光器集成：将激光器芯片直接集成到光电融合芯片上，实现光信号的产生。常见的激光器类型包括分布反馈激光器（DFB）和垂直腔面发射激光器（VCSEL）。

*LED集成：将LED芯片集成到光电融合芯片上，实现光信号的产生。LED的发光效率和稳定性比激光器低，但成本更低。

探测器集成

探测器集成技术主要包括光电二极管（PD）集成和雪崩光电二极管（APD）集成两种方式。

*PD集成：将PD芯片集成到光电融合芯片上，实现光信号的检测。PD具有响应速度快、线性度高、噪声低等优点。

*APD集成：将APD芯片集成到光电融合芯片上，实现光信号的检测。APD具有内部增益，能提高光信号的探测灵敏度，但响应速度慢、噪声高。

集成方式

光源和探测器集成的方式主要有：

*同一衬底集成：在同一个半导体衬底上，同时制造光源和探测器结构。这种方式可以实现高集成度和低成本。

*异质集成：将光源和探测器芯片通过键合、对准等工艺集成在不同的衬底上。这种方式能克服不同材料和工艺的限制，实现功能的多样性。

应用

集成光源与探测器的光电融合器件广泛应用于：

*光通信：光源和探测器集成在光模块中，用于光信号的传输和接收。

*光传感：光源和探测器集成在传感器中，用于检测物理量，如压力、温度、生物信号等。

*光成像：光源和探测器集成在成像器件中，用于图像的采集和处理。

*光信息处理：光源和探测器集成在光处理芯片中，用于光信号的处理和计算。

发展趋势

光电融合器件的发展趋势主要包括：

*高集成化：进一步提高光源和探测器的集成度，实现单芯片多功能器件。

*异质集成：探索不同材料和工艺的异质集成，实现器件功能的多样化。

*高性能：提高光源和探测器的性能，如光输出功率、探测灵敏度和响应速度等。

*低成本：降低光电融合器件的制造成本，使其具有市场竞争力。

数据

2022年全球光电融合器件市场规模约为20亿美元，预计到2026年将达到30亿美元。市场增长主要由光通信和光传感领域的应用驱动。第六部分电光调制与光电信号处理关键词关键要点【电光调制器】

1.电光调制器的基本原理及其分类：利用电光效应调控光的振幅、相位或偏振，包括马赫-曾德尔调制器、电子吸收调制器、铌酸锂调制器等。

2.电光调制器的优势及应用：高速、低插入损耗、低失真，广泛应用于光通信、光雷达、光量子计算等领域。

3.电光调制器的关键技术及发展趋势：提高调制带宽、降低功耗，探索新材料和结构，实现片上集成和多功能化。

【光电探测器】

电光调制与光电信号处理

电光调制器件通过将电信号转换成光信号来实现电光调制，而光电探测器件则将光信号转换成电信号来进行光电信号处理。

电光调制器件

电光调制器件的工作原理是利用材料中电光效应或磁光效应。

电光效应

电光效应是指材料在电场作用下折射率或双折射率发生变化的现象。

电光调制器类型

常见的电光调制器类型包括：

*Mach-Zehnder调制器（MZM）：使用电极在波导中产生非均匀电场，从而改变光的相位。

*电吸收调制器（EAM）：利用材料在电场作用下吸收率变化的特性来调制光强度。

*电透镜调制器（EL）：使用电极在光路上产生电场梯度，从而控制光的汇聚或发散。

光电探测器件

光电探测器件的工作原理是利用材料的半导体特性。

光电效应

光电效应是指材料在光照射下产生电流的现象。

光电探测器类型

常见的光电探测器类型包括：

*光电二极管（PD）：使用PN结将光信号转换成电信号。

*光电倍增管（PMT）：使用多个二极管级联放大光电电流。

*雪崩光电二极管（APD）：利用半导体中的雪崩效应放大光电电流。

电光调制与光电信号处理的应用

电光调制与光电信号处理在光通信、传感和成像等领域具有广泛的应用：

光通信

*光纤通信中信号的调制和解调

*光切换和光放大

传感

*利用电光调制器件测量光学信号的相位和极化

*光电探测器件在光纤传感器、生物传感和气体传感中的应用

成像

*利用电光调制器件实现光束转向和光束整形

*光电探测器件在数字相机、医疗成像和天文学中的应用

工艺挑战

电光调制与光电信号处理器件的工艺面临着以下挑战：

*材料选择：选择具有合适电光或光电特性的材料

*集成：在紧凑尺寸中集成多个器件

*工艺精度：确保器件的性能和可靠性

发展趋势

电光调制与光电信号处理领域的当前发展趋势包括：

*硅基器件：利用互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，实现低成本和高集成度

*纳米材料：使用纳米结构增强器件性能

*片上光学：将光电器件集成在同一芯片上，实现紧凑且高性能的系统第七部分封装与测试技术关键词关键要点【封装与测试技术】

1.光电融合器件封装技术主要包括：引线框架封装、表面贴装技术（SMT）、倒装芯片技术（FC）、晶圆级封装（WLP）等。

2.光电融合器件测试技术主要包括：光学测试、电学测试、热性能测试、可靠性测试等。

【测试技术】

封装与测试技术

封装和测试是光电融合器件制造过程中的关键步骤，确保器件的可靠性和性能。

封装技术

光电融合器件的封装旨在保护芯片免受环境因素的影响，并提供必要的电气接口。常用的封装技术包括：

*引线键合封装(LCP)：使用金或铝线将芯片引脚连接到封装引脚。

*球栅阵列封装(BGA)：使用焊料球将芯片连接到封装电路板。

*带状封装：使用金属带连接芯片引脚和封装引脚。

*倒装封装(FC)：将芯片倒置放置在封装基底上，直接连接到封装引脚。

测试技术

测试光电融合器件至关重要，以验证其功能和性能。常见的测试技术包括：

电气测试：

*DC参数测试：测量器件的电压、电流和电阻特性。

*射频测试：评估器件在高频下的性能，例如带宽、增益和噪声指数。

*寿命测试：验证器件在预期使用寿命内的耐用性和可靠性。

光学测试：

*光谱响应测试：测量器件对不同波长的光响应。

*光功率测试：测量器件发射或接收的光功率。

*光束质量测试：评估器件输出光束的质量，例如光斑大小、发散性和偏振。

环境测试：

*温度循环测试：暴露器件于极端温度变化，以评估其热稳定性。

*湿度测试：暴露器件于高湿度环境，以评估其防潮性。

*振动和冲击测试：模拟实际使用条件下的应力，以评估器件的机械稳定性。

可靠性测试：

*高加速寿命测试(HALT)：通过施加压力环境加速器件老化，以预测器件故障模式。

*破坏性物理分析(DPA)：拆解器件并检查其内部结构和材料，以识别潜在的缺陷。

测试标准

国际电工委员会(IEC)和国际标准化组织(ISO)等组织已制定了许多标准，用于规范光电融合器件的测试方法。这些标准旨在确保测试的一致性和可比性，并提供符合行业最佳实践的指南。

测试设备

光电融合器件的测试需要专门的设备，包括：

*半导体参数测试仪：用于测量电气特性。

*光学光谱仪：用于测量光谱响应。

*光功率计：用于测量光功率。

*环境测试室：用于进行温度和湿度测试。

*振动和冲击测试系统：用于评估机械稳定性。

结论

封装和测试技术对于光电融合器件的成功至关重要。通过仔细选择和执行这些技术，制造商可以确保器件满足预期性能和可靠性要求。国际标准和专用测试设备的使用有助于确保整个行业的测试一致性和可比性。第八部分光电融合器件应用场景关键词关键要点移动通信

1.光电融合器件可应用于5G和6G移动通信系统中，通过提高带宽和数据传输速率，满足移动通信日益增长的需求。

2.光电融合天线阵列可实现波束赋型和多用户多输入多输出（MIMO），大幅提升移动通信的覆盖范围和传输质量。

3.光电融合器件可用于光纤到基站（FTT）网络，将光纤通信技术引入移动通信基础设施，提高传输容量和可靠性。

数据中心互联

1.光电融合器件可应用于数据中心互联，通过光电互联桥接不同距离、不同速率的网络，实现高速、低延迟的数据传输。

2.光电融合芯片可集成光电转换器、多路复用器和驱动器等功能，实现更紧凑、更低功耗的数据中心网络连接。

3.光电融合技术可实现数据中心的绿色节能，通过降低电功耗和光纤资源消耗，提升数据中心的可持续性。

物联网与传感器

1.光电融合器件可应用于物联网和传感器网络，通过光纤连接多个传感器节点，实现远距离、高带宽的数据传输。

2.光电融合技术可增强传感器的性能，如灵敏度、分辨率和响应时间，满足物联网不同应用场景的需求。

3.光电融合器件可用于光纤感测领域，实现高精度、实时监控，广泛应用于结构健康监测、环境监测和安全防范等领域。

生物医学成像

1.光电融合器件可应用于生物医学成像，如光学相干断层扫描（OCT）和显微成像，提供高分辨率、无创的组织和细胞成像。

2.光电融合成像技术可实现多模态成像，将光学成像与其他成像技术（如超声成像）结合，提高诊断的准确性和效率。

3.光电融合器件可用于光遗传学领域，通过光刺激神经元，实现对神经回路的精确控制和研究。

航空航天

1.光电融合器件可应用于航空航天领域，如卫星通信、空间探索和飞机网络，实现高带宽、低延迟的数据