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文档简介
半导体的激子能级
半导体的激子能级①当
激子能级随着
略微上移,其原因：随着
增加
减小,一方面激子能级下降；
另外,由于库仑势屏蔽，激子的束缚能减小,使激子能级上升,略强.②相空间填充随着
增加，自由电子和空穴填充导带
和价带,而导带会降到激子能级之下,于
是低能激子就无法产生.这是激子在高激
发情况下消失的第二种原因.在量子阱中尤为显著.3.激子衰减随着
增加,激子碰撞加剧,相驰豫时间
减小,激子的衰减增强(阴影部分).4.电子-空穴系统化学势
热平衡情况下，
非热平衡情况下，●T=0,在有效质量近似下,随着
增加,
，同时
,但是
的增加大于
减小,使得
增加.
●随着
继续增加,
的增加不大于
减小,所以
减小.●当
增加到
之后,
随着
增加而增加.4.电子-空穴系统EHP化学势μ
●多组分均相系统中,在等温等压并保持系统中其他物质的量都不变的条件下,系统的吉布斯自由能随某一组分的物质的量的变化率.自由能熵内能压强其中N为e-h对数目.5.激子和自由载流子向EHL相分离●在
情况下，随着
增加,
μ经历最大值和最小值变化过程，这对应激子和自由载流子向液态电子-空穴体EHL相分离过程。
态激子和自由载流子包围,其密度不随温度变化).密度增加，形成EHP液体，即EHL
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