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文档简介
金属氧化物半导体场效应晶体管概念(gàiniàn)的深入第一页，共23页。12.1非理想(lǐxiǎng)效应亚域值电导(diàndǎo)第1页/共21页第二页，共23页。第2页/共21页第三页，共23页。沟道长度调制(tiáozhì)效应第3页/共21页第四页，共23页。第4页/共21页第五页，共23页。迁移率变化(biànhuà)第5页/共21页第六页，共23页。速度(sùdù)饱和第6页/共21页第七页，共23页。弹道(dàndào)输运长沟器件(qìjiàn)：短沟器件(qìjiàn)：弹道输运，统计规律不再适用高速器件第7页/共21页第八页，共23页。12.2MOSFET按比例(bǐlì)缩小理论恒定(héngdìng)电场按比例缩小第8页/共21页第九页，共23页。器件和电路参数比例因子比例参数器件尺寸k掺杂浓度1/k电压k器件参数效应电场1载流子速度1耗尽区宽度k电容k漂移电流k电路参数效应器件密度1/k²功耗密度1器件功耗k²电路延时k功率延时k³第9页/共21页第十页，共23页。阈值电压---一级近似(jìnsì)全部(quánbù)按比例缩小理论第10页/共21页第十一页，共23页。12.3阈值电压的修正(xiūzhèng)短沟道效应第11页/共21页第十二页，共23页。第12页/共21页第十三页，共23页。窄沟道效应第13页/共21页第十四页，共23页。第14页/共21页第十五页，共23页。12.4附加(fùjiā)电学特性击穿(jīchuān)电压栅氧化(yǎnghuà)层击穿沟道雪崩击穿寄生晶体管击穿源漏穿通效应第15页/共21页第十六页，共23页。第16页/共21页第十七页，共23页。通过离子注入进行(jìnxíng)阈值调整离子注入(zhùrù)工艺：被注入(zhùrù)的杂质原子首先被离化，通过电场加速获得高能量(25-200keV)。离子的穿透深度通常小于1um，离子注入(zhùrù)时，晶体严重损伤，必须用退火工艺修复损伤。低剂量：调节器件特性高剂量：形成欧姆接触第17页/共21页第十八页，共23页。通过离子注入进行阈值(yùzhí)调整最大空间电荷宽度(kuāndù)：第18页/共21页第十九页，共23页。E12.7第19页/共21页第二十页，共23页。12.37第20页/共21页第二十一页，共23页。感谢您的观看(guānkàn)。第21页/共21页第二十二页，共23页。内容(nèiróng)总结金属氧化物半导体场效应晶体管概念的深入。注入(zhùrù)时，晶体严重损伤，必须用退火工艺修复损伤
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