GB∕T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范

GB/T36360—2018半导体光电子器件中功率发光二极管空白详细规范国家市场监督管理总局I1引言GB/T2423.1—2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A:低温GB/T2423.4—200812h循环)GB/T2423.5—1995GB/T2423.10—2008速度GB/T2423.22—2012GB/T2423.28—2005GB/T2423.60—2008GB/T2424.19—2005环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验T:锡焊半导体器件的机械标准化第2部分：尺寸规格(Mechanicalstandardizationofsemiconductordevices—Part2:Dimensions)vices—Mechanicalandclimatictestsmethods—Part21:Solderability)[3]总规范和分规范的版本号和标准号。2[注：在整个空白详细规范中，方括号内给出的内容仅供指导制定详细规范时用，而不包括在详细规范中。][授权发布详细规范的国家标准化[1]机构的名称][IECQ详细规范号、发布号和[2](或)发布日期]GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T12565—1990半导体器件光电子器件分规范[详细规范的国家编号][4][如果国家编号与IECQ编号相同，则本栏可不填[相关器件的型号]订货资料：见本规范第7章外形标准：IEC60191-2-DB-2012[如果可行应强制]国家标准[如果没有IEC外形标准]外形图：[可以放到第10章并给出更多的详细资料]引出端识别：[画图说明管脚的功能，包括图形、符号]标志：[文字、符号或图形][见总规范的2.5和(或)本规范第6章]中功率发光二极管定义：输入功率不小于70mW(GaAlAs/In-GaAlP)或100mW(GaN),且小于700mW(GaAlAs/InGaAlP)或1000mW(GaN)的LED类型：直插式/表面贴装式……发光材料：GaAlAs/InGaAlP/GaN基……封装材料：树脂/金属/玻璃/陶瓷……芯片：单芯片/多芯片产品电气原理图：[可以放到第10章][可以增加某些重要的相关数据]电子信息产品制造厂在生产或制造电子信息产[按总规范的2.6,I类或Ⅱ类或Ⅲ类]按本规范鉴定合格的器件的有关制造厂的资料，可在现行合格产品一览表中查到3章条号极限值符号要求最小最大单位贮存温度工作温度工作环境温度或管壳温度结温(规定时)焊接温度(规定最长焊接时间和/或距管壳的最小距离)反向电压管壳温度为25℃下的直流正向电流或环境温度为25℃下的直流正向电流管壳温度为25℃下的峰值正向电流，规定的脉冲条件下(适用时)或环境温度为25℃下的峰值正向电流，规定的脉冲条件下(适用时)静电敏感电压(适用时)XXX×XsVA4GB/T36360—2018章条号特性符号条件除另有规定外Tamh=25℃要求单位试验分组最小最大5.75.85.9正向电压反向电流平均发光强度半强度角光通量或辐射功率峰值发射波长主波长(适用于单色光)光谱辐射带宽(适用于单色光)显色指数(适用于白光)相关色温(适用于白光)色品坐标色容差(适用于照明用)发光效能(适用于白光)或辐射效率热阻(规定时)VFILEDy或λRCCTx,ySDCM7eIp按规定Ip按规定，其他条件按规定Ip按规定Is按规定Ip按规定Ip按规定Ip按规定I,按规定Is按规定Ip按规定I,按规定Ip按规定Ip按规定Ip按规定散热条件按规定XXXXXXW/srmWKK/WA2b、C2aA2b、C2aA3A3、C2aA3A3A3A4C2aA4A4A4A4A2bA2bC2a5温度循环老炼Tax、Tagmn,5个循环IFmuxt≥24h表4A组(逐批)检验或试验符号引用标准条件除另有规定外，Tamh=25℃(见GB/T4589.1—2006检验或试验要求/极限值最小最大外部目检GB/T4589.1—2006的4.3.1.1A2a分组不能工作器件：极性平均发光强度或光通量或辐射功率正向电压反向电流相关色温(适用于白光)ILEpy或Vp方法2001方法2003方法2004方法1001方法1003方法4004Ip按规定，其他条件按规定Ip按规定Ij按规定I下按规定极性颠倒短路：Vp≤0.1USL开路：Vp≥5USLCCT≥1.5USL或≤0.5LSLA2b分组电特性正向电压反向电流发光效能(适用于白光)或辐射效率Vp7方法1001方法1003方法2003方法2004Ir按规定I,按规定Ir按规定USLUSL6GB/T36360—2018表4(续)检验或试验符号引用标准SJ/T11394—2009条件除另有规定外，Tamh=25℃(见GB/T4589.1—2006检验或试验要求/极限值最小最大光特性平均发光强度半强度角光通量或辐射功率峰值发射波长ILEDv或0₁/2方法2001方法2002方法2003方法2004方法2005Ip按规定，其他条件按规定Ip按规定Ir按规定Ip按规定LSLLSLLSLLSLLSLUSLUSL色度特性主波长(适用于单色光)相关色温(适用于白光)色品坐标显色指数(适用于白光)色容差(适用于照明用)CCTr,ySDCM方法4003方法4004方法4001或4002方法4006方法4005Iy按规定I,按规定I,按规定Ip按规定I,按规定LSLLSLLSLLSLUSLUSLUSLUSL电特性反向电流方法1003最高工作温度，Vk按规定注1:所有试验是非破坏性的，见GB/T4589.1—2006的3.6.6。注2:LSL为规范下限值，USL为规范上限值。检验或试验符号引用标准条件除另有规定外，(见GB/T4589.1—2006第4章)检验或试验要求/极限值最小最大尺寸GB/T4589.1—2006的4.3.2、附录B(见本规范第1章)引线弯曲(适用时)试验Ub按规定无损伤7表5(续)检验或试验符号引用标准条件除另有规定外，Tamh=25℃(见GB/T4589.1—2006第4章)检验或试验要求/极限值最小最大可焊性GB/T2423.28—2005,Ta表贴器件按IEC60749-21:2011按规定润湿良好温度快速变化继之以：循环湿热(D)(仅对非空腔器件)或密封(仅对空腔器件)终点测试平均发光强度或光通量或辐射功率正向电压反向电流相关色温(适用于白光)或主波长(适用于单色光)ILEDv或VpIkGB/T2423.22—2012GB/T2423.4—2008GB/T2423.23—2013方法2001方法2003方法2004方法1001方法1003方法4004方法4003按规定按规定按规定Ip按规定，其他条件按规定Ip按规定Ip按规定Ip按规定Ip按规定Ip按规定USLUSLUSLUSLB6分组恒定加速度(仅对空腔器件)终点测试GB/T2423.15—2008按规定稳态湿热(仅对非空腔器件)终点测试GB/T2423.3—2016168h(0失效)或500h(1失效)其他按规定B8分组电耐久性终点测试平均发光强度或光通量或辐射功率正向电压反向电流相关色温(适用于白光)或主波长(适用于单色光)ILEDy或VpIk本规范附录A方法2001方法2003方法2004方法1001方法1003方法4004方法4003I,按本规范4.6规定，168hIj按规定I,按规定Is按规定Ir按规定Ir按规定Ir按规定0.9IVD0.9IVL0.9LSLUSL8GB/T36360—2018表5(续)检验或试验符号引用标准条件除另有规定外，(见GB/T4589.1—2006第4章)检验或试验要求/极限值最小最大B9分组高温贮存终点测试按B5分组168h(0失效)或500h(1失效)其他按规定CRRL分组提供B3、B4和B5分组的属性资料。提供B8分组前后的测试数据注1:只有标明(D)的试验是破坏性试验，见GB/T4589.1—2006的3.6.6。注2:对于等级要求为I类的器件(见GB/T4589.1—2006的2.6)。注3:LSL为规范下限值，USL为规范上限值，IVL为初始值。表6C组(周期)检验或试验符号引用标准条件除另有规定外，Tamh=25℃(见GB/T4589.1—2006第4章)检验或试验要求/极限值最小最大尺寸GB/T4589.1—2006的4.3.2、附录B(见本规范第1章)C2a分组正向电压Vp方法1001USL反向电流方法1003USL光谱辐射带宽(适用于单色光)方法2005USL半强度角方法2002Ip按规定—USL热阻(规定时)R方法5003I,按规定，散热条件按规定—USL引出端强度(D)拉力(适用时)GB/T2423.60—2008,按规定无损伤耐焊接热(D)终点测试GB/T2423.28—2005,试验Tb按规定按规定9表6(续)检验或试验符号引用标准条件除另有规定外，(见GB/T4589.1—2006第4章)检验或试验要求/极限值最小最大振动或冲击继之以：恒定加速度(仅对空腔器件)终点测试或GB/T2423.5—按规定按规定按规定(仅对非空腔器件)终点测试1000h(I类器件不要求)其他按规定按规定电耐久性终点测试平均发光强度或光通量或辐射功率正向电压反向电流相关色温(适用于白光)或主波长(适用于单色光)ILEDy或VFIk本规范附录A方法2001方法2003方法2004方法1001方法1003方法4004方法4003I,按本规范4.6的规定，至少1000hIp按规定，其他条件按规定Ip按规定Ip按规定I,按规定Is按规定Ir按规定(I类、类)(Ⅲ类)高温贮存终点测试至少1000h,T=TAg.maxC10分组低温贮存(要求时)终点测试试验方法Ab至少168h,T=Ts.nin表6(续)检验或试验符号引用标准SJ/T11394—2009条件除另有规定外，Ta=25℃(见GB/T4589.1—2006第4章)检验或试验要求/极限值最小最大C11分组静电放电敏感度(ESDS)(要求时)人体模式(HBM)和/或机器模式(MM)方法6001及本规范附录B方法6002及本规范附录B按规定按规定C12分组光辐射安全等级(要求时)按规定提供C3、C4和C8分组的属性资料。提供C7、C8和C9分组前后的测试数据注1:只有标明(D)的试验是破坏性试验，见GB/T4589.1—2006的3.6.6。注2:LSL为规范下限值，USL为规范上限值，IVL为