GB∕T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范

GB/T36357—2018中功率半导体发光二极管芯片技术规范国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会GB/T36357—2018 I 12规范性引用文件 1 1 3 附录A(规范性附录)中功率半导体发光二极管芯片的目检 附录B(规范性附录)人体模式和机器模式的静电放电敏感度分级及标志 I本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的本标准由中华人民共和国工业和信息化部(电子)归口。1中功率半导体发光二极管芯片技术规范本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片。下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T2423.4—2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Db:交变湿热(12h+12h循环)GB/T2423.15—2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ga和导则：稳态加速度GB/T2423.22—2012环境试验第2部分：试验方法试验N:温度变化GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937.1—2006半导体器件机械和气候试验方法第1部分：总则SJ/T11394—2009半导体发光二极管测试方法SJ/T11399—2009半导体发光二极管芯片测试方法IEC60749(所有部分)半导体器件机械和气候试验方法(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods)IEC60749-19:2010半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度(Semicon-ductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part19:Dieshearstrength)IEC60749-22:2002半导体器件机械和气候试验方法第22部分：键合强度(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part22:Bondstrength)3.1.1优先顺序芯片应符合本标准和相关详细规范的要求。本标准的要求与相关详细规范不一致时，应以相关详细规范为准。3.1.2对详细规范的引用本标准中使用“按规定”一词而未指明引用的文件时，即指引用相关详细规范。应采用能使芯片符合本标准性能要求的半导体材料，且所用材料在规定的试验条件下，应无刮伤、2GB/T36357—20183.2.2外形尺寸芯片的外形尺寸应符合相关详细规范的规定。3.2.3键合区芯片的外观质量应符合附录A的规定。绝对最大额定值要求见表1。表1绝对最大额定值章条号参数符号数值单位贮存温度XXC工作环境温度结温X焊接温度(规定最长焊接时间)—8反向电压—×V环境温度为25℃下的直流正向电流XX环境温度为25℃下的峰值正向电流(规定的脉冲条件下)(适用时)—XA静电敏感电压(适用时)XV注：×表示应规定的具体值。3.4.2光电特性芯片的光电特性应符合表2及相关详细规范的规定。表2光电特性章条号特性符号除非另有规定T=25℃单位最小最大3.4.2.1正向电压VpI,按规定XV3.4.2.2反向电流Vk按规定X3章条号符号除非另有规定单位最小最大光功率或发光强度或光通量IvJ,按规定Ij按规定主波长或峰值发射波长Ip按规定Ip按规定nm注：×表示应规定的具体值。3.5环境适应性符合表6的规定。能符合表5的规定；加电工作1000h后，电性能符合表6的规定。3.7静电放电敏感度(适用时)按照SJ/T11394—2009中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度和/或机器模式静电放电敏感4检验方法本标准中规定的试验应在GB/T4937.1—2006中规定的标准大气条件下进行。4进行探针测试时，应按SJ/T11399—2009中4.1的规定。4.2结构按附录A规定的方法进行检验，使用准确度符合要求的量具测量芯片的尺寸，应符合3.2.2的按附录A规定的方法进行检验，应符合附录A中的规定。4.4.1正向电压4.5环境适应性键合强度试验按IEC60749-22:2002的规定进行，应符合3.5.1的规定。剪切力试验按IEC60749-19:2010的规定进行，应符合3.5.2的规定。温度循环试验按GB/T2423.22—2012的规定进行，试验后符合3.5.3的规定。5循环湿热试验按GB/T2423.4—2008的规定进行，试验后符合3.5.4的规定。恒定加速度试验按GB/T2423.15—2008的规定进按照SJ/T11394—2009中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度和/或机器模式静电放电敏感5检验规则5.1检验职责5.2检验分类本标准规定的检验分为：b)鉴定检验(见5.7);c)质量一致性检验(见5.8)。从晶圆加工开始，经由同一组工艺过程的晶圆构成一个晶圆批。每个晶圆批应给定一个能追溯到所有晶圆加工步骤的识别代码。一个检验批由同时提交检验的一个或多个晶圆批中同一型号的芯片组成。鉴定检验和质量一致性检验的抽样应按本标准和相关详细规范的规定进行。5.5重新提交当提交鉴定检验不符合要求时，应重新进行鉴定检验。当质量一致性检验的任一检验批不符合要求时，应进行失效分析并确定失效机理。如确认该失效是可以通过对整批晶圆的芯片重新筛选而有效加严检验(按双倍样品量及合格判定数为零的方案)重新提交一次。重新提交的批不得与其他的批相65.6筛选序号检验或试验方法章条号条件抽样方案1目检放大20倍～40倍2特性测试正向电压V₇反向电流I光功率φ。或发光强度Iv或光通量①v主波长λa或峰值发射波长λIr按规定Vr按规定1,按规定1,按规定Ir按规定1r按规定1j按规定鉴定检验应在鉴定机构批准的实验室按表4、表5和表6规定的检验项目和要求进行。每一检验批的芯片在交付前应按本标准的规定进行质量一致性检验。质量一致性检验包括A组检验、B组检验和C组检验，A组检验和B组检验为逐批检验，C组检验为周期检验。在C组检验合格规定对C组重新检验合格后方可恢复交付。从筛选合格的检验批中随机抽取芯片，按表4的规定进行A组检验。各分组的测试可按任意顺序表4A组检验(逐批)检验或试验方法章条号除非另有规定，Tomb=25℃抽样方案AQLA1分组目检外形尺寸键合区本标准附录A本标准附录AⅡ7GB/T36357—2018表4(续)检验或试验方法章条号除非另有规定，Tanh=25℃抽样方案AQL或峰值发射波长λI,按规定Vr按规定Ij按规定Ip按规定I,按规定I,按规定Ip按规定Ⅱ5.8.3B组检验B组检验按表5进行。行B1分组和B2分组检验，封装成品进行B3分组和B4分组检验。表5B组检验(逐批)检验或试验方法除非另有规定，Tamb或Taac=25℃抽样方案规范值最小最大BI分组键合强度"按规定按规定B2分组芯片剪切强度按规定按规定B3分组特性测试正向电压Vp反向电流Ir光功率φ。或发光强度Iy或光通量Φy主波长λa或峰值发射波长λI,按规定Vk按规定Iy按规定1,按规定1,按规定1,按规定I,按规定8表5(续)检验或试验方法除非另有规定，Tab或Ta=25℃抽样方案规范值最小最大电耐久性终点测记正向电压Vp反向电流Ik光功率φ。或发光强度1y或光通量Φv主波长λa或峰值发射波长λ加电工作168hI,按规定Vr按规定1,按规定1r按规定I,按规定Ip按规定Ip按规定注：LSL为规范下限值，USL为规范上限值，IVD为初始值。"指被试键合引线数，至少应从3个样品中抽取。h对倒装芯片(同侧电极结构)应依次检验芯片载体与管壳底盘、芯片载体与外延层的粘附性。表6C组检验(周期)检验或试验方法除非另有规定，抽样方案LTPD规范值最小最大C1分组温度循环循环湿热终点测试正向电压Vp反向电流1光功率币。或发光强度Iy或光通量Φv主波长λa或峰值发射波长λGB/T2423.22—2012GB/T2423.4—2008SJ/T11399—2009,5.2SJ/T11399—2009,5.4SJ/T11399—2009,6.3SJ/T11399—2009,6.1SJ/T11399—2009,6.2SJ/T11399—2009,8.3SJ/T11399—2009,6.4按规定按规定Ip按规定Vr按规定I,按规定Ir按规定Ip按规定Ip按规定1,按规定LTPD=20LSLLSI.LSLUSLUSLUSLUSL9GB/T36357—2018表6(续)检验或试验方法除非另有规定，抽样方案规范值最小最大恒定加速度终点测试GB/T2423.15—2008按规定LTPD=20按C1分组电耐久性终点测试正向电压Vp反向电流1r或光通量φy或光功率φ。主波长λa或峰值发射波长λ加电工作1000hI,按规定Vk按规定Ij按规定I,按规定I,按规定Ip按规定Ip按规定LTPD=20a)电参数测试c)电参数测试SJ/T11394—2009,方法6001和6002按规定静电电压按规定按规定LTPD=50按规定按规定注：LSL为规范下限值，USL为规范上限值，IVD为初始值。5.9样品的处理5.10不合格5.11检验记录录至少保存5年。6包装、运输和储存6.1包装产品包装应符合以下要求：GB/T36357—2018f)ESDS等级标志(见附录B,适用时)。6.2运输芯片应储存在10℃~30℃,相对湿度不大于30%的充氮干燥箱或干燥塔中。满足以上条件的芯(规范性附录)中功率半导体发光二极管芯片的目检检验中功率半导体发光二极管芯片的结构和工艺质量是否符合要求，发现和剔除有缺陷的芯片。A.2设备本检验所需设备包括具有规定放大倍数的光学仪器和作为目检判据的标准样品或图样、照片等，使操作者能对受检芯片的接收与否做出客观的判断。此外还需要有利于芯片检查而又不使芯片受到损伤的合适夹具。A.3程序A.3.1.1环境要求芯片应在相对湿度45%～75%,温度15℃~35℃的ISO8级的净化环境及有相应级别静电防护条件的环境中进行目检。A.3.1.2放大倍数除非另有规定，采用放大倍数20倍～40倍的单目、双目或立体显微镜进行检验，操作人员使用不A.3.1.3检验顺序承制方可自行安排检验顺序。A.3.2芯片检验装芯片的同侧电极结构(见图A.3),对受检芯片的正面、侧面和背面进行检验。探针测试点不作为外足层村庭外证层村底图A.3倒装芯片的同侧电极结构示意图A.3.2.4外形尺寸使用准确度符合要求的量具测量芯片的尺寸。a)芯片尺寸只有原来芯片面积90%以下；b)带有15%以上邻近的芯片：c)虽带有15%以下邻近芯片，但在邻近芯片上可看见电极金属化层；d)厚度偏差超过规定值时。无论是芯片的正面还是背面，除另有规定外，镀层脱落面积芯片表面附着的多余物的各方向尺寸均不应大于25pm。A.3.2.7芯片排列芯片排列出现表A.1所述缺陷均为不合格。表A.1芯片排列的缺陷示例缺陷类型检验标准不合格示例排列不齐a)行或列相邻芯片排列偏移应符合相关详细规范的规定，芯片排列上不得有连接或倾倒现象；b)整行或整列芯片头尾最大偏移不得超过一个芯片宽芯片倾斜倾斜角度不得超过15°,倾斜方向不能往多个方向芯片间隔芯片间隔大小比例不得大于2a/b>