材料科学基础智慧树知到期末考试答案章节答案2024年山东理工大学

材料科学基础智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年山东理工大学常见的两种扩散机构为（）。

答案:空位机构;间隙机构影响溶质在置换型固溶体的溶解度的因素是（）。

答案:离子尺寸;离子电价的影响;电负性;晶体的结构类型化合物能否形成玻璃与其键能和键型都有关。（）

答案:对在三元相图中，相应的副三角形的数量一定等于无变量点的数量。（）

答案:错石英的位移型转变不涉及晶体结构中键的破裂和重建,转变过程迅速而可逆。（）

答案:对扩散进行的方向一定是物质从高浓度处流向低浓度处。（）

答案:错蒙脱石的显著特点是C轴吸水后易膨胀。（）

答案:对低价阳离子占据高价阳离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生阴离子空位或间隙阳离子。（）

答案:对一致熔化合物是一种稳定的化合物。（）

答案:对在三元相图中，不一致熔二元化合物的组成点不在其初晶区的范围内。（）

答案:对CaZr"示Ca2+离子占据Zr4+离子位置，且此缺陷带有二个单位负电荷。（）

答案:对蒙脱石属于1:1型的层状硅酸盐结构。（）

答案:错晶界扩散系数>表面扩散系数>晶格扩散系数。（）

答案:错位置关系强调形成缺陷时，基质晶体中正负离子结点数之比保持不变，并非原子个数比保持不变。（）

答案:对弗伦克尔缺陷的特点是正离子空位与负离子空位成对产生，晶体体积增加。（）

答案:错固溶体是一种单相均一的晶态固体。（）

答案:对高岭石属于2:1型的层状硅酸盐结构。（）

答案:错常用γGB/γSV（γGB：晶界能，γSV：表面能）来衡量烧结难易，若YGB/YSV愈大愈容易烧结。（）

答案:错在离子晶体中，围绕每一阳离子，形成一个阴离子配位多面体，阴阳离子的间距决定于它们的半径之和。（）

答案:对一级相变与二级相变都具有相变前后化学势的一阶偏微分相等的特点。（）

答案:错在离子晶体中，被极化的主要是正离子，负正离子为极化者，正离子作为被极化者。（）

答案:错在离子晶体中，阳离子的配位数完全取决于正负离子的半径比。（）

答案:错扩散传质时，对于双球模型，空位浓度最大的区域是（）。

答案:颈部表面关于玻璃的性质的说法，正确的是（）。

答案:Li2O，Na2O和K2O对粘度的影响能力和O/Si有关蒙脱石属于层状硅酸盐结构，其结构特征是（）。

答案:三层型二八面体结构CaCl2加入NaCl晶体时，若Ca2+离子位于Na+离子位置上，那么该缺陷所带电荷为（）。

答案:一个单位正电荷烧结过程中，只改变气孔形状而不引起坯体致密化的传质方式是（）。

答案:蒸发-凝聚传质在晶体材料TiO2-X中，Ti4+位置的数目与O2-位置的数目之比为(注意：位置数目指的是某种离子所在的正常格点的数目（）。

答案:1:2硅酸盐熔体中聚合物的种类、数量与熔体的组成O/Si有关，O/Si比值增大，则熔体中（）。

答案:高聚物数量减少根据缺陷产生的原因进行划分，点缺陷可以分为三种，下面哪个选项不属于这三种类型（）。

答案:空位关于点缺陷，以下说法错误的是（）。

答案:高价阳离子取代低价阳离子，会产生阳离子间隙或阴离子空位关于位错，下面说法正确的是（）。

答案:刃型位错和螺型位错是两种最基本的位错对烧结与晶粒生长说法错误的是（）。

答案:二者的推动力相同在氧化钛的非化学计量化合物中，Ti3+/Ti4+=0.1,则其化学式为（）。

答案:TiO1.955非化学计量化合物Cd1+xO中存在那种类型晶格缺陷（）。

答案:阳离子填隙Na2O·K2O·Al2O3·2SiO2玻璃的四个结构参数为（）。

答案:Z=4R=2.25X=0.5Y=3.5本征缺陷是由于什么形成的？（）。

答案:原子的热运动根据3T曲线，某种玻璃的形成难度很大，表明其临界冷却速率（）。

答案:较大在合成镁铝尖晶石时，根据相关理论可以推断出固相反应速度最快的组合是（）。

答案:γ-Al2O3，MgCO3关于形成填隙固溶体的条件中，下列说法正确的是（）。

答案:形成填隙型固溶体的次序是：沸石＞CaF2＞TiO2＞MgO。;也必须保持结构中的电中性;通过形成空位或补偿电子缺陷，以及复合阳离子置换来达到电中性;溶质原子的半径小或溶剂晶格的结构空隙大高岭石的性能特点是（）。

答案:易理解成片状小晶体;化学组成较纯净;阳离子交换容量小;离子的取代很少（对）陷产生和消灭的过程可以用化学反应方程式来表示，这种反应式的写法必须满足以下规则（）。

答案:位置关系;质量守恒;电荷守恒;表面位置对于阴离子空位型的非化学计量结构缺陷，下面说法正确的是（）。

答案:在缺氧的气氛中形成;TiO2-x与ZrO2-x属于这种类型;属于n型半导体;电导率随氧分压升高而降低在配位结构中，围绕高电价、低配位数的阳离子的阴离子多面体之间完全可以共用棱、共用面。（）

答案:错本征扩散的温度比杂质扩散的温度低。（）

答案:错杨德尔方程可适用于粉状物料固相反应的全过程。（）

答案:错形成玻璃的物质必须具有极性共价键或金属共价键型。（）

答案:对在一个晶体中，本质不同的结构组元的种类趋向于最多。（）

答案:错高岭石具有较高的阳离子交换容量。（）

答案:错静电价规则不可以用来确定阴离子配位数。（）

答案:错微晶学说和无规则网络学说都承认玻璃是具有近程有序、远程无序结构特点的无定形物质。（）

答案:对晶体结构缺陷对能造成晶格点阵的畸变，因此对材料的性能有着非常明显的影响，因为晶体结构缺陷。（）

答案:对在硅酸盐晶体中，会同时出现[SiO4]和[Si2O7]双四面体。（）

答案:错对液-固相变过程，若相变过程吸热，即△H＞0，则相变推动力过冷度△T＜0。（）

答案:对硅酸盐层状结构中，2：1型（三层型层状结构）指的是一层四面体层和一层八面体层相连。（）

答案:错硅酸盐熔体粘度的大小是由熔体中硅氧四面体的网络连接程度决定的。（）

答案:对固体和液体相互接触后，若润湿则体系自由能降低。（）

答案:对硅酸盐晶体的基本单元不是SiO4]四面体。（）

答案:错过冷度越大，晶胚的临界半径越小。（）

答案:对一个晶体的结构，主要取决于其组成单位的数目、相对大小以及极化性质。（）

答案:对对硅酸盐熔体，碱金属氧化物对粘度的影响能力为Li2O＞Na2O＞K2O（）

答案:错固相反应开始于较高的温度，但反应速度非常快。（）

答案:错一般说来，价数愈低及半径越大，越易被极化。（）

答案:对高温熔体结构具有近程无序的特点（）

答案:错在正常的结点位置上有一个结点位置是空着的，这个空结点就是空位。（）

答案:对硅酸盐熔体是由低聚物、高聚物、“三维碎片”、吸附物、游离碱等不同聚合程度的各种聚合体的混合物。（）

答案:对在氧化铝晶体中，如果氧离子迁移到固体表面后在原来的位置上留下空位，那么该空位带2个单位的负电荷。（）

答案:错硅酸盐晶体中的Si-O键不是纯离子键,有相当的共价键成分。（）

答案:对在三元相图中，处于相应副三角形的交叉位的无变量点是双转熔点。（）

答案:错固溶体的晶体结构和固体“溶剂”无关。（）

答案:错离子晶体中，极化可能会导致键长缩短。（）

答案:对静电价规则可以用来判断晶体结构是否稳定（满足静电平衡）。（）

答案:对B2O3一定使硅酸盐玻璃的粘度降低。（）

答案:错离子化合物和固溶体都是在原子尺度形成的，它们中的各种原子或离子的数量比（摩尔比）都不是固定的。（）

答案:错固溶体是一种溶解了杂质原子的非晶态固体。（）

答案:错对于低共熔混合物，从液相中析出几种晶体，即产生几种新相。（）

答案:对肖特基缺陷的特点是间隙原子和空位成对产生。（）

答案:错熔体析晶遵循成核-长大机理，I、U曲线峰值的大小及位置直接影响析晶过程及制品性质。当I-U曲线重叠面积大且过冷度大时，容易得到（）

答案:晶粒多、尺寸小的细晶。三元系统相图中，等温线分布疏松，表明随温度变化（）。

答案:液相量变化大以下哪种缺陷的产生和环境的气氛有关（）。

答案:非化学计量缺陷关于热缺陷，下面说法错误的是（）。

答案:体积都没有变化当在晶格中存在阳离子空位时，为了保持电中性，在正离子空位周围捕获电子空穴,它属于（）。

答案:p型半导体下面那个选项不属于影响形成置换型固溶体的主要因素（）。

答案:密堆积方式可以根据3T曲线求出熔体的临界冷却速率。熔体的临界冷却速率越大，形成玻璃就（）。

答案:越难在离子化合物中，晶界扩散系数Qg、表面扩散系数Qs以及晶格扩散系数Qb的大小关系一般为（）。（）

答案:Qs＞Qg＞Qb在Al2O3中掺加0.5mol%NiO和0.02mol%Cr2O3所制成的人造黄玉，经分析认为是形成了置换型（空位）固溶体，则此人造黄玉的化学式为（）。

答案:Al1.9946Ni0.005Cr0.0004O2.9975对于x（0＜x＜1）mol的Al2O3溶解到1molZrO2形成固溶体，如果形成空位型缺陷，则固溶体的化学式为（）。

答案:Zr1-2xAl2xO2-X某熔体析晶区较宽，在冷却析晶时若控制△T大，则得到的产品（）。

答案:晶粒多而尺寸小扩散的一般推动力为（）。

答案:化学位梯度关于硅酸高温玻璃熔体，下列说法错误的是（）。

答案:降温一定不能析出晶体。0.03mol%TiO2固溶于Al2O3中形成空位型有限固溶体，该固溶体分子式为（）。

答案:Al1.9997Ti0.0003O3关于高岭石和蒙脱石，下面说法错误的是（）。

答案:两者吸水后C轴都易膨胀.当有n个等大球体紧密堆积时，会形成八面体空隙和四面体空隙，则球体个数与八面体空隙、四面体空隙的个数比为（）。

答案:1:1:2某晶体AB，A—的电荷数为1，A—B键的S=1/6，则A+的配位数为（）。

答案:6关于在M2O-SiO2高温熔体中，关于Li2O，Na2O,K2O对其粘度的影响，说法正确的是（）。

答案:当O/Si比很大时，按照熔体粘度按照Li2O，Na2O,K2O次序减小关于固体材料中的扩散，下面说法正确的是（）。

答案:根据鲍林规则，[SiO4]四面体中的某一个O2-可以同时被这个[SiO4]四面体和几个[Fe2+O6]八面体所共用（）。

答案:3下列硅酸盐矿物中是1：1型层状结构是（）。

答案:高岭石下列性质中哪个不是晶体的基本性质（）。

答案:有限性在硅酸盐晶体结构中硅氧四面体只能以何种方式相连，否则结构不稳定（）。

答案:共顶方式在硅酸盐熔体中，当R=O/Si减小时，相应熔体组成和性质发生变化，熔体析晶能力、熔体的黏度、低聚物数量如何变化？（）。

答案:减小；增大；减小硅酸盐玻璃的结构是以硅氧四面体为结构单元形成的何种聚集体（）。

答案:近程有序，远程无序下面各项，不属于形成连续置换型固溶体的条件是（）。

答案:电负性相差大于1Na2O·CaO·Al2O3·3SiO2玻璃的四个结构参数为（）。

答案:Z=4R=2.2X=0.4Y=3.6关于晶界，下面说法错误的是（）。

答案:晶界处熔点高于晶粒二级相变的特点是（）。

答案:相变时两相的化学势相等;相变时两相的体积相等;相变时两相的熵相等相变过程的推动力表现为（）。

答案:过冷度;过饱和浓度;过饱和蒸汽压马氏体相变的特点是（）。

答案:伴随马氏体相变的宏观变形-浮凸效应;存在习性平面;相变往往以很高的速度进行，有时高达声速;无扩散性关于液-固相变中的关于晶坯的临界半径的说法正确的是（）。

答案:过冷度愈大，则rk值就愈小;rk是新相可以长大而不消失的最小晶胚半径关于亚稳区，说法正确的是（）。

答案:在亚稳区内虽然不能自发产生新相;亚稳区具有不平衡状态的特征;在亚稳区内，物系不能自发产生新相;在外界能量影响下，也有可能在亚稳区内形成新相，此时使亚稳区缩小以什么为主要传质手段的烧结，用延长时间难以达到坯体致密化的目的（）。

答案:蒸发—凝聚;以扩散传质为主的烧结初期扩散传质时空位由（），扩散原子或离子由（）扩散（）。

答案:凸表面向凹表面;凹表面向凸表面烧结时加入外加剂可以促进烧结，外加剂作用是（）。

答案:扩大烧结温度范围;与烧结主体生成化合物;与烧结主体形成固溶体;与烧结主体形成液相下列哪个过程能使烧结产物强度增大而不产生致密化过程（）。

答案:蒸发—凝聚常用γGB/γSV来衡量烧结难易，若YGB/YSV愈大，说明烧结推动力（）。

答案:越大关于金斯特林格方程和杨德尔方程，以下说法正确的是（）。

答案:金斯特林格方程适用范围比杨德尔方程更大。;金斯特林格方程和杨德尔方程都是以稳定扩散为假设条件。;金斯特林格方程没有考虑体积效应。对于间隙空位机构：间隙扩散活化能包括（）。

答案:间隙迁移能对于本征空位机构：空位扩散活化能包括（）。

答案:空位形成能;空位迁移能固体材料中的扩散特点是（）。

答案:迁移速率十分缓慢;晶体中的质点扩散具有各向异性;明显的质点扩散常开始于较高的温度;需克服一定势垒非稳定扩散的描述正确的是（）。

答案:是菲克第二定律的适用条件;扩散物质在扩散层内的浓度分布随时间而变化氧化铝固溶到氧化锆中形成的晶态固体属于（）。

答案:单相相应副三角形的数量（）无变量点的数量（）。

答案:≤单转熔点处于相应副三角形的什么位（）。

答案:交叉位不一致熔融的化合物的特点是（）。

答案:加热后到一定温度下分解;不稳定;在二元系统中，化合物组成位于其液相线的范围之外用于判断结晶产物和结晶终点的规则是（）。

答案:三角形规则当表面形成双电层后，它将向内层发生作用，并引起内层离子的极化和重排，表面效应所能达到的深度，与阴、阳离子的半径差有关，差愈大深度愈深。（）

答案:对黏土在下列哪种溶液中的阳离子交换容量最大（）。

答案: