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文档简介

项目八半导体存储器和可编程逻辑器件任务1半导体存储器半导体存储器概述能存储大量二值信息的器件一、一般结构形式输入/出电路I/O输入/出控制！单元数庞大！输入/输出引脚数目有限分类1、从存/取功能分：①只读存储器(Read-Only-Memory）②随机读/写（Random-Access-Memory）2、从工艺分：①双极型②MOS型一、ROM（掉电后数据依然保存）1.掩模ROM1）结构存储矩阵中存储了大量的数据，通过地址，通过地址译码器，可以访问到你希望访问的单元，然后把这个单元的数据送到输出缓冲器，然后取出来。2）举例w0地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0~An-1W0W(2n-1)D0Dm两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”。存储器的容量：“字数x位数”地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110Mos管掩模ROM的特点：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产简单，便宜，非易失性2.可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同2.可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同写入时，要使用编程器3.可擦除的可编程ROM（EPROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同1）用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）4.电可擦除的可编程ROM（E2PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同二、

随机存储器RAM1.静态随机存储器（SRAM）1）结构与工作原理2）SRAM的存储单元六管N沟道增强型MOS管2.*动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理三、

存储器容量的扩展1.位扩展方式适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可例：用八片1024x1位→1024x8位的RAM2.字扩展方式适用于每片RAM,R

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