SJ∕T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻_第1页
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SJ∕T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻_第3页
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文档简介

—Part5:Seriesconnectionresistance中华人民共和国工业和信息化部发布I —SJ/T2658.5—1986。____1SJ/T2658.5—2015第5部分：串联电阻本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)串联电阻的测量原理图、测量步骤以及规定凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则3术语和定义串联电阻seriesconnectionresi正向工作状态下，在被测器件I-V特性曲线(见图1)的线性区内，器件两极之间的电压增量与通过r,=△Vp/△Ip……(1)△VF——电压增量，单位为伏特(V);2SJ/T2658.5—20154一般要求5测量方法5.1测量原理图V5.2测量步骤a)按图2连接测量系统，并进行仪器预热；3………

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