SJ-T 11773-2021 半导体集成电路冲压型引线框架

半导体集成电路冲压型引线框架I1半导体集成电路冲压型引线框架本标准规定了半导体集成电路冲压型引线框架术语和定义、技术要求、检测及验收规定、标志、储存等。本标准适用于半导体集成电路冲压型引线框架。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必本可少纳。凡是注期的文件仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件其最新版本(包括所有的修改单Y话用于本文件。GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQD检索的逐批检验抽样计划GB/T7092半导体重成电路外形尺寸GB/T14112半与体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GBT1411坐导体集成电路3术语和定义GB/T111s定的术语与定义适用了本文件。4技术要求在引线框架有间部位，竖直毛刺不大于0.025mm,水平毛刺不大于0.05m4.2凹坑和压痕凹坑和压痕的要求如大：a)在功能区和外引线上的压痕，深度应不大于0.013mm,压痕长度应不大于0.13mm;b)功能区和外引线以外的区域压痕深度应不大于0.05mm,长度应不大手0.13mm。4.3镀层镀层表面应致密，色泽均匀呈镀层本色，不允许有肉眼可见的起皮、起泡、发花、斑点、沾污、异物等缺陷。应无镀层漏镀并符合相关要求。4.4外形尺寸引线框架外形尺寸应符合GB/T7092有关规定及引线框架设计文件的要求。4.5厚度公差引线框架常用材料厚度公差见表1。24.6侧弯a)引线精压区的宽度不小于对应精压部位的80%;b)引线精压后的深度不大于材料厚度的30%,引线框架精压深度为(0.013～0.05)mm;4.9扭曲4.10卷曲3图1内引继端精压区与引线连筋区的平面性应不大五±0.12m4.16内引线部精压区翘曲端部定位孔位置偏差一图24垂直毛刺a)变焦显微镜(放大25倍);5b)利用变焦显微镜1倍目镜10倍物镜进行全面的肉眼检验，发现异常时用3.5倍目镜10倍物c)必要时可以利用工具显微镜放大50倍对外观不良的长宽进行测量，放大200倍或者500倍下5.3镀层变焦显微镜(放大25倍)。b)利用变焦显微镜1信镜10倍物镜进行全面的肉眼检验发现异常时用3.5倍目镜10倍物5.4.1测量工具a)投景树量仪放大20倍，精确度0.002-mm);5.4.2测量方法a)将产品香值放在测量夹具(检查夹其正确固定在投影测量仪上)上固定好；d)用同样的方去测量引线框架的另一端的宽度，如图4中Wi所长度L1宽度W宽度W图4a)将产品垂直放在测量夹具(检查夹具正确固定在投影测量仪上)上固定好；6d)用同样的方法测量引线框架的另一边的切断长度，如图4中L1所示。a)将产品垂直放在测量夹具(检查夹具正确固定在投影测量仪上)上固定好；a)将产品垂直放在测量夹具(检查夹具正确固定在投影测量仪上)上固定好；螺旋测微器(精确度0.001mm,量程a)投影测量仪(放大20倍，精确度0.002mm);7图5a)真品微镜(放大200倍，精确度b)检验具其测量的见图6最大值部位。横横弯值基准面横横弯值8精精压长度9图8图9所示。卷卷曲值精压面c)利用工具显微镜放大25倍在芯片粘结区连筋上距离打完压点A,转动物镜到200倍调焦归“0”;再将物镜转到25倍下在距离打完压痕的芯片粘结区或芯片粘结区连筋上0.254mm的平坦区域选一点B,转动物镜到200倍调焦得出的Z值即引线框架芯片粘结区打凹深度，如图10所示Da)工具显微镜(放大500倍，精确度0.002mm);c)测试点应在距芯片粘结区切割边缘0.127mm处，把显微镜聚焦在如图7的目标1处，聚焦Ze)用同样方法分别测量目标3和4,得出芯片粘结区的最大斜度数值。图11c)测试点应在距芯片粘结区切割边缘0.127mm处，把显微镜聚焦在如图13的目标1处，聚焦e)将(Z1+Z2+Z3)/4,把显示器Z轴的数值调整为Z1+Z2+Z3除4的数值后再重新将Z轴清零；5.13.1测量工具a)投影测量仪(放大20倍，精确度0.002mm);5.13.2测量方法a)将产品垂直放在测量夹具(检查夹具正确固定在投影测量仪上)上固定好；上Y轴归“0”;示值就是定位孔位置偏差的值，如图1中L所示。5.14.1测量工具a)工具显微镜(放大25倍和200倍，精确度0.002mm);c)放大25倍下在芯片粘结区连筋左上边的LEADTIP的中心选一点1,转到200倍下调焦归值-最小值或|最大值计最队值针算得出的数值助位内引线端部精压区共面性的值。5.15.1测量工具测量工具如下a)工具显微镜(放大200倍，精确度.002mm);5.15.2测量方法内引线端部精压区与引线筋区的方法如下：a)在引线连筋点1的中央调焦后数字盘归于“0”b)工具显微镜的焦点移向相反方向引线(筋2的中心后从调焦；为了设定基准把两个焦点高c)焦点移向引线端部3后从引线端部市2.54am的地方从新调焦；记录基滩点到Z轴的高度差。所要测定的一切引线用同样的步骤反复进行，记录(+)和(-)符号，此数值就是内引线2图135.16.1测量工具a)工具显微镜(放大500倍，精确度0.002mm);b)把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座上后确定Z平面；c)把显微镜聚焦在内引线精压区的表面的边缘上，避开圆弧的平坦面上A点进行测量，聚焦Zd)移动测量仪器的轴，使平面移至规定的距离(Y),并重新调节显微镜焦距，确保焦点在平坦面上B点上，测出焦点高度(Z)值；e)引线扭曲角度利用下列公式计算：f)引线扭曲角度=arctan(焦点高度Z值/移动距离Y值)图145.17镀层耐热度5.17.1测量工具b)变焦显微镜(20倍)5.17.2测量方法镀层耐热度测量方法如下：a)将引线框架电镀层向上放在加热板上，按所规定的(温度及时间)加热；b)加热的引线框架用显微镜观察是否有变色、起皮、起泡、发花、斑点等缺陷。5.18镀层键合强度5.18.1测量工具测量工具如下：b)键合强度试验仪。5.18.2测量方法如图15所示，用挂钩钩住焊接丝的中央部分向垂直方向拉，A点不发生断裂，键合强度不小于40mN,则符合键合强度。芯片a)变焦显微镜(20倍引线框架外观目检和变焦显微镜按4.1引线框架外观目检和变焦显微镜按4.2目检和变