我国半导体分立器件行业

-1-我国半导体分立器件行业1、概述半导体分立器件是半导体行业的重要组成部分，是电力电子装备的基础和核心器件，主要用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频、放大等，具有应用范围广、用量大等特点。半导体分立器件主要包括以MOSFET、IGBT为代表的功率器件，应用十分广泛，涵盖汽车电子、工业及自动控制、消费电子、5G通信、计算机及外设、充电桩等多个领域。半导体分立器件种类2、全球半导体分立器件行业概况近年来，全球半导体分立器件行业市场规模呈现波动变化。根据数据显示，2021年全球半导体分立器件行业市场规模为303.37亿美元，同比增长27.4%，2022年进一步同比增长12.1%，为339.93亿美元。近年来，全球半导体分立器件行业市场规模呈现波动变化。根据数据显示，2021年全球半导体分立器件行业市场规模为303.37亿美元，同比增长27.4%，2022年进一步同比增长12.1%，为339.93亿美元。从区域分布情况来看，根据半导体行业协会数据，欧洲半导体分立器件厂商市场销售额占比最大，高达42%；其次是日本、美国，市场份额占比分别为25%、23%，而我国市场份额仅占5%。从区域分布情况来看，根据半导体行业协会数据，欧洲半导体分立器件厂商市场销售额占比最大，高达42%；其次是日本、美国，市场份额占比分别为25%、23%，而我国市场份额仅占5%。从需求结构来看，工业是半导体分立器件行业需求最大的下游应用领域，占比达到35%，其次是汽车和消费电子领域，需求占比分别为29%和18%。不过，随着世界各国对节能减排产业的日益重视，半导体分立器件应用已从传统领域扩展到新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等领域。从需求结构来看，工业是半导体分立器件行业需求最大的下游应用领域，占比达到35%，其次是汽车和消费电子领域，需求占比分别为29%和18%。不过，随着世界各国对节能减排产业的日益重视，半导体分立器件应用已从传统领域扩展到新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等领域。3、我国半导体分立器件行业概况近年来，在众多下游应用领域的强力拉动下，我国半导体分立器件行业市场规模持续快速增长。根据中国半导体行业协会数据，2021年我国半导体分立器件行业整体销售规模为3509.5亿元，同比增长20.00%，2023年市场规模有望达到4609.1亿元，同比增长14.2%。近年来，在众多下游应用领域的强力拉动下，我国半导体分立器件行业市场规模持续快速增长。根据中国半导体行业协会数据，2021年我国半导体分立器件行业整体销售规模为3509.5亿元，同比增长20.00%，2023年市场规模有望达到4609.1亿元，同比增长14.2%。在下游应用市场方面，近年来，以汽车电子、工业电子、计算机、通信领域为代表的下游市场需求旺盛，带动我国半导体分立器件行业发展。根据相关数据可知，MOSFET和IGBT是近年增长最强劲的半导体分立器件，市场份额占比分别在2020年达到33%、17%。从市场应用端来看，消费电子市场需求受居民可支配收入、技术迭代影响较大，并且存在周期性波动。未来，随着汽车电子、新能源、工业控制等行业的快速发展，MOSFET、IGBT在半导体分立器件行业市场规模占比有望持续提升。我国半导体分立器件细分产品性能、应用场景、竞争格局、市场份额情况器件类型产品性能应用场景竞争格局市场份额二极管包括整流二极管、快恢复极管、肖特基二极管、稳压二极管等，结构原理简单，工作可靠，不可控型开关器件，主要用作整流，在频率较高的电力电子电路中的应用受限。是基础性器件，普适性较强二极管市场格局分散，威世科技是全球二极管最大供应商，占据全球约10%，前五大厂商约占据28%。二极管虽然原理成熟，但受产品稳定性及客户认证壁垒影响，国产化率仍然较低28%三极管电流控制型开关器件，用于开关或功率放大，不易于驱动控制，频率较低消费电子、适配器及电源、绿色照明，工业控制、网络通信、计算机及周边设备等总体而言，国外厂商仍占据市场份额的前列，国内厂商在附加值较低的部分已完成国产替代，但附加值高的产品仍被外商垄断19%晶闸管电流控制型开关器件，但开关频率不高，难以实现变流装置的高频化自动控制，机电领域，工业电气及家电等国外厂商仍占据市场份额的70%左右，国内厂商在附加值较低的部分已完成国产替代，但附加值高的产品仍被外商垄断小于2.90%MOSFET场效应品体管，产品有平面MOS、槽器MOS、超结MOS、屏蔽栅MOS等，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题，但电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kw的电力电子装置。消费电子、网络通信、工业控制、汽车电子等整体而言，国外企业占比较高，国内最大的MOSFET厂商是英飞凌，前5大厂高市场占比为64.00%，市场集中度较高，国内厂商正逐步展开国产替代，特别是在中低压MOSFET领域33%IGBT绝缘栅双极型晶体管，开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，电压越高，IGBT越有优势，高压下，开关速度高，电流大，但开关速度低于MOSFET