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  • 正在执行有效
  • 2017-04-25 颁布
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【正版授权-英语版】 ISO 19214:2017 EN Microbeam analysis - Analytical electron microscopy - Method of determination for apparent growth direction of wirelike crystals by transmission electron m_第1页
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基本信息：

  • 标准号：ISO 19214:2017 EN
  • 标准名称：微束分析 分析电子显微镜 利用透射电子显微镜确定线状晶体表观生长方向的方法
  • 英文名称：Microbeam analysis — Analytical electron microscopy — Method of determination for apparent growth direction of wirelike crystals by transmission electron microscopy
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2017-04-25

文档简介

ISO19214:2017EN标准是关于微束分析的分析电子显微镜测定法。具体来说，它涉及到通过透射电子显微镜来确定线状晶体的表面生长方向的方法。

以下是对ISO19214:2017EN标准的详细解释：

ISO19214:2017EN标准主要涉及到微束分析，这是一种使用高精度电子显微镜进行材料微观结构和性质研究的分析方法。它涉及到线状晶体的表面生长方向，这对于许多材料科学和工程领域都是一个重要的问题，因为晶体的生长方向可能会影响材料的性能和性质。

该标准提供了一种通过透射电子显微镜（TEM）来确定线状晶体表面生长方向的方法。这种方法涉及到对晶体在TEM中的图像进行分析，通过观察晶体的形态、排列和取向，来确定其表面生长方向。

具体来说，该标准包括以下步骤：

1.准备样品：选择适当的样品，并将其制备成适合TEM观察的形态。

2.观察TEM图像：使用TEM观察晶体的图像，并使用适当的软件进行分析。

3.分析晶体的形态和排列：通过观察晶体的形态和排列，确定晶体的取向。

4.确定表面生长方向：根据晶体的取向，可以确定其表面生长方向。

该标准提供了一种可靠和准确的方法来确定线状晶体的表面生长方向，这对于许多材料科学和工程应用中非常重要。它提供了

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