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文档简介
L6562临界模式PFC设计,,,,,
2011年12月1号BySamYang,,,,,
设计目标参数,,,,,
最低输入线电压均根值,VACmin=,85,,Volts,
最高输入线电压均根值,VACmax=,265,,Volts,
最低输入线电压频率,fL=,47,,Hz,
输出功率,Pout=,80,,W,
输出电压,Vout=,400,,Volts,
期望效率,η=,93,,%,
输入功率因数,PF=,0.99,,,
最大输出过冲电压,ΔOVP=,55,,Volts,
输出最大低频率纹波电压,ΔVout=,20,,Volts,
功率下降时最小输出电压,Voutmin=,,320,Volts,
HoldupCapability,tHold=,10,,ms,
最低开关频率,fsw=,35,,kHz,
最高环境温度,Tambx=,50,,℃,
升压电感相关计算,,,,,
最大输出功率,Pin=,,86.02,W,
额定输出电流,Iout=,,0.20,Amps,
输入均根值电流,Iin=,,1.02,Amps,
升压电感值,LP=,,735,uH,
选取实际电感值,L=,700,,uH,
气隙与磁路比值,Lgap/Le=,2.5,,%,"选取1.5-3之间的数值,使气隙比为1.5%--3.0%"
估计需要电感体积,Ve=,,2185,mm3,
实际工作最低频率,f1sw=,,36.8,kHz,
最大匝比(主线圈/ZCD线圈),n1=,,10.4,,
实取匝比(主线圈/ZCD线圈),n=,9,,,
升压电感峰值电流,ILpk=,,2.89,Amps,
升压电感均根值电流,ILrms=,,1.18,Amps,
升压电感交流电流,ILac=,,0.59,Amps,
"MOS,续流二极管,整流桥相关计算",,,,,
MOS管均根值电流,ISWrms=,,1.02,Amps,
MOS管功耗,Pmos=,,1.56,W,
续流二极管均根值电流,IDrms=,,0.60,Amps,
续流二极管正向压降,Vdiode=,0.85,,Volts,
续流二极管通态电阻,Rdiode=,165,,mΩ,
续流二极管功耗,Pdiode=,,0.23,W,
续流二极管温升比最大限值,Rth(j-a)=,,328,℃/W,
输入桥堆均根值电流,Iinrms=,,0.72,Amps,
输入桥堆平均值电流,Iin_avg=,,0.46,Amps,
输入桥堆电阻,Rbridge=,70,,mΩ,
输入桥堆正向压降,Vth=,1,,Volts,
输入桥堆功耗,Pbridge=,,1.99,W,
输入输出电容相关计算,,,,,
输入滤波电容,Cin=,,273,nF,
最小输出滤波电容计算值,Cout=,,39,uF,
输出电容纹波电流,Icrms=,,0.56,Amps,
实际输出滤波电容,Co=,47,,uF,
实际HoldupCapability,t1Hold=,,13.59,ms,
实际输出纹波电压,ΔV1out=,,14.41,Volts,
"乘法器输入分压电阻,输出分压电阻,反馈电阻电容等相关计算",,,,,
电流检测电阻最大值,Rcs=,,553,mΩ,
Mult引脚最大峰值电压设定值,Vmul_max=,2.6,,Volts,取接近3V的数值并使Vmul_min<0.84
Mult引脚最小峰值电压,Vmul_min=,,0.83,Volts,Vmul_max电压选取OK
Mult引脚下位电阻最小值,R1mul_L=,,13.00,kΩ,
选择的Mult下位电阻,Rmul_L=,13.00,,kΩ,
Mult引脚上位电阻最小值,Rmul_H=,,1861,kΩ,
输出电压采样上位电阻最大值,R1out_H=,,1375,kΩ,
选择的电压采样上位电阻,Rout_H=,1300,,kΩ,
输出电压采样下位电阻,Rout_L=,,8.17,kΩ,
零电流检测电阻,RZCD=,,48.4,kΩ,(副绕组电压-芯片VZCDH)/0.8毫安
typ1反馈电容最小值,Ccomp=,,784,nF,
typ1反馈电容实际取值,C1comp=,1000,,nF,
typ2反馈串联电阻,Rcomp_s=,12,,kΩ,"取大于Rout_L的值,与串并联电容一起调整零极点"
typ2反馈串联电容,Ccomp_s=,1000,,nF,10<取值使增益曲线零点频率<20
typ2反馈并联电容,Ccomp_p=,390,,nF,取值使增益曲线极点频率<50
增益曲线零点频率,fz1=,,13.3,Hz,
增益曲线初始极点频率,fp0=,,14.1,Hz,调整反馈元件使fp0>fz1
增益曲线极点频率,fp1=,,47.3,Hz,
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